铁电存储器

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铁电存储器相关的厂商

  • 济南晶正电子科技有限公司成立于2010年, 坐落于济南市综合保税区,是一家致力于纳微米级厚度光电、压电单晶薄膜材料研发、生产及销售为一体的高新技术企业。公司拥有产业化生产基地,研发团队由海归学者领军,凭借在晶体材料和半导体领域丰富的经验,在国际上率先开发出并产业化300-900纳米厚度铌酸锂单晶薄膜材料产品。晶正产品具有完全自主知识产权,并拥有多项相关技术专利。公司产品涵盖多种规格高技术难度、高规格晶体薄膜材料,可用于制作高性能调制器、滤波器、探测器、晶振及高密度信息存储器件等,在光电、压电、铁电、太赫兹、红外探测等领域具有广泛的发展前景和显著的应用优势,能够带来巨大经济效益和社会效益。
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  • 深圳市储安科技有限公司是一家集研发、设计、生产、销售及服务为一体的科技型企业。公司已通过(ISO9001-2000)国际质量体系认证。本公司主要经营:恒温恒湿系列产品,防潮柜系列产品,承接钣金加工等服务,公司分为三个事业部。防潮产品事业部 由公司专业技术人才以多年的温湿度技术开发经验,严格按照工业标准设计,重要部件采用国际品牌研制而成。产品系列:电子防潮箱、防潮柜、氮气柜、防潮保险柜。本公司产品技术领先,智能控制,节能环保,质量可靠,使用寿命长等优点。适用于各个行业领域,如:光电、LED、电子、电力、精密仪器、医药、金银首饰、古董字画、烟草、茶叶等。钣金加工事业部 公司自建以来发展多元化市场的生产力量基础,和上述(产品事业部)是密不可分的;是由一支力量雄厚、生产效率高的团队、和一批先进的生产设备组建而成。从生产环节数控剪板、数控冲、数控折弯、钳工、焊接、打磨、喷涂、组装等工序,都是自主完成。即能控制成本保证生产进度,也可对产品的质量做到严控把关,赢得广大客户的支持与好评! 深圳市储安科技有限公司创办以来,一直以“品质求发展,服务求生存”为宗旨。本着“创新、务实、高效”的基本原则,为广大新老客户提供优质的产品与完善的服务,确保公司所有的客户“买的放心、用得贴心”实现与客户共赢!恒温恒湿产品事业部 公司恒温恒湿部,是2010年开始研发,于2011年年底开始生产销售的一款可自动控制柜体内部温湿度的一款设备。柜子内置四套工作系统,分别是加热、制冷、加湿、抽湿系统。智能芯片会根据柜体内部实际温湿度值和已设定温湿度值来调节系统的工作,使柜体温湿度值保持恒定。 恒温恒湿储存柜的独特性能,广泛受到各界的青睐。可储存市面上大部分会因外界环境温湿度影响的产品。尤其是在航空保养、菲林胶片、光学仪器、光电仪器、高质木料、制药厂、医院、摄影器材、汽车密封、IC芯片、文物存储等,都有这我司恒温恒湿存储柜的采购需求,并取得这些领域内的大部分公司的认可,都有达成长期合作的意向。恒温恒湿储存柜,是一种可自控柜体内部温湿度的设备产品
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  • 我们是谁? 成都中科测控成立于2006年,位于中国科学院成都分院内,专注于振动测试领域产品的研发、生产及销售。公司测振核心技术传承自上世纪八十年代中国科学院成都科学仪器研制中心的:BC-2型波形存储器。三十年来在技术革新方面我们从未停歇、不断有更高技术含量的产品问世。 TC4850系列爆破测振仪经四川省科技厅组织专家进行科技成果鉴定为“处于国内领先水平” 我们还能做什么? 中科测控www.zkck.com主要产品有:爆破测振类TC 3850/TC 4850型爆破测振仪;机械测振类TCT-1运输测振仪;远程测振类TC4850N网络测振仪…… 提供工程爆破环境安全评估及类似领域的各种振动监测! 我们的目标? 现在,公司专注地服务于全国各大专院校、科研院所及各工程施工单位。在国内已拥有上千家用户。公司竭诚为新老顾客提供一流的售后服务。公司矢志不渝的目标是为国内外用户打造国际精品测振仪器!
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铁电存储器相关的仪器

  • 24万只@0.5ml冻存管,双压缩机制冷备份。箱体厚150mm,能保障-80度到-60度温升超过48h。220v供电,1.4kw平均功率。可配备程序降温模块。也可选配-40度低温气体传输模块
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  • 140万只@0.5ml冻存管,双压缩机制冷备份。箱体厚度150mm,能保障-80度到-60度温升超过48h。380v供电,8kw平均功率。可配备程序降温模块,一键调库/一键移库功能。也可选配-40度低温气体传输模块
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  • 47万只@0.5ml冻存管,双压缩机制冷备份。箱体厚度150mm,能保障-80度到-60度温升超过48h。220v供电,2.8kw平均功率。可配备程序降温模块,一键调库/一键移库功能。也可选配-40度低温气体传输模块
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铁电存储器相关的资讯

  • 基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展
    二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度,受到静电场屏蔽效应减弱,利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动,有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外,相比于平面构型,二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面,使其能够进行任意垂直组装,可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式,从而在单位面积内沿z轴获得更高密度集成。因此,基于垂直架构的二维纳米电子学器件,已成为当前延续摩尔定律的重要研究方向之一。迄今为止,针对铁电二维材料忆阻晶体管的研究仍然匮乏,尤其缺失具有垂直构型的门电压可调的忆阻器件的研究,主要原因在于传统基于隧穿架构的二维忆阻器难以在垂直方向兼具更高性能和有效栅极调控特性。   近日,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作,设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式,将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装,首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。11月17日,相关研究成果以A gate programmable van der Waals metal-ferroelectric-semiconductor vertical heterojunction memory为题,在线发表在《先进材料》(Advanced Materials)上。   科研团队使用二维层状材料CuInP2S6作为铁电绝缘体层,利用二维层状半导体材料MoS2和多层石墨烯分别作为铁电忆阻器的上、下电极层,形成金属/铁电体/半导体(M-FE-S)架构的忆阻器;在顶部半导体层上方通过堆叠多层h-BN作为栅极介电层引入了MOSFET架构。底部M-FE-S忆阻器件开关比超过105,具有长期数据存储能力,且阻变行为与CuInP2S6层的铁电性存在较强耦合(图1)。此外,研究通过制备3×4的阵列结构展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列【crossbar array,实现随机存取存储器(RAM)的关键结构】的可行性(图2)。进一步,研究在上方MOSFET施加栅极电压,有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度(或费米能级),从而对下方M-FE-S忆阻器的存储性能进行操控(图3)。基于上述成果,科研人员展示了该型器件的门电压可调多阻态的存储特性(图4)。   本研究展示的门电压可编程的铁电忆阻器有望在未来人工突触等神经形态计算系统中发挥重要作用,并或推动基于二维铁电材料制备多功能器件的开发。此外,该工作提出的MOSFET与忆阻器垂直集成的架构可进一步扩展到其他二维材料体系,从而获得性能更加优异的新型存储器。   研究工作得到国家重点研发计划“青年科学家项目”、国家自然科学基金青年科学基金项目/面上项目/联合基金项目、沈阳材料科学国家研究中心等的支持。图1.器件结构设计及两端铁电忆阻器的存储性能。a、器件结构示意图;b、器件的阻变行为;c、少层CuInP2S6的压电力显微镜相位和幅值图;d、器件在不同温度下的输运行为;e、存储器的数据保持能力测试;f、存储器开关比统计图。图2.铁电忆阻器存储阵列演示。a、二维铁电RAM结构示意图;b、CuInP2S6/MoS2界面的HAADF-STEM照片;c、3×4阵列的SEM图像;d、局部放大图;e、3×4阵列的光学照片;f-g、通过读取3×4阵列中每个交叉点的高阻态和低阻态编码的“I”“M”“R”的简化字母。图3.器件的可编程存储特性。a、器件结构示意图;b、MoS2层的转移特性曲线;c-d、异质结的能带结构图;e-f、通过施加门电压实现了对存储窗口从有到无的调控。图4.门电压可编程存储器的多阻态存储特性。a-d、器件在不同门电压下的存储窗口;e、器件的多阻态存储性能演示;f、栅极调控的耐疲劳特性。
  • 科学仪器助力氧化铪基铁电存储材料研究取得进展
    互联网、人工智能等信息技术的快速发展,对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势,被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相(orthorhombic phase,简称“o相”)HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式,使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场,导致器件工作电压与先进技术节点不兼容、擦写次数受限等问题。这一问题是基于o相HfO2基铁电材料的本征特性,难以通过传统的优化工艺加以解决。因此,探寻结构稳定且具有低翻转势垒的HfO2基铁电材料是亟待解决的难题。 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与物理研究所研究员杜世萱团队合作,发现了稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构。这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。研究通过基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算发现,当Hf(Zr)1+xO2材料中,Hf(Zr)与氧的比例大于1.079:2时,三方相的形成能低于铁电o相和单斜相(m相)的形成能。扫描透射电子显微镜(STEM)实验清晰显现了过量Hf(Zr)原子嵌入在铁电三方相晶格的晶体结构,证实了理论计算的结果。嵌入的Hf(Zr)原子扩展了晶格,增加了其面内和面外应力,起到了稳定Hf(Zr)1+xO2材料结构和降低其铁电翻转势垒的作用。基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的铁电器件展示了超低矫顽场(~0.65MV/cm)、高剩余极化(Pr)值(22μC/cm2的)、小的饱和极化电场(1.25MV/cm)、和大的击穿电场(4.16MV/cm),并在饱和极化下实现了1012次循环的耐久性。这一研究结果为低功耗、低成本、长寿命的存储器芯片提供了一种有效的解决方案。   研究工作得到科学技术部、国家自然科学基金、北京市自然科学基金、中国科学院的支持。近期,相关研究成果发表在《科学家》(Science)上。中国科学院大学的科研人员参与研究。图1. 平面铁电电容器的基本特性及Hf(Zr)1+xO2薄膜的结构表征图2. 富含Hf(Zr)原子的菱面体Hf(Zr)1+xO2薄膜的原子尺度STEM分析图3. 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算图4. 基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的铁电电容器的性能
  • 西电周益春教授团队:在5d电子铪基铁电信息存储取得重要进展!
    存储器作为所有电子信息系统的核心与基石,其在现代信息技术中的重要作用不仅是大国竞争的焦点,更是制约国家安全的关键和核心技术。但是,我国存储器市场基本被美日韩企业所垄断,虽然市场规模约占全球的35%,但自给率不足5%。特别是随着人工智能、物联网和大数据等新信息技术的快速发展与普及,全球数据量呈现爆发式的增长,而市场主流存储器产品因存在物理极限、存储鸿沟和功耗高的问题,无法满足未来海量数据处理的要求。因此,发展新型非易失性存储器正成为世界强国竞争的制高点。铁电存储器是一种采用铁电材料的双稳态极化来存储信息的新型非易失性存储器,因具有极优异的抗辐照性能和长久的数据保存能力,近30年来备受国内外高度关注。然而,锆钛酸铅等传统铁电材料作为存储介质的最小薄膜厚度约为70 nm,不能突破物理极限,翻转速度约为100 ns,不能解决存储鸿沟,且面临组成元素污染集成电路工艺线的巨大难题。2011年意外发现具有铁电性的氧化铪,有望引领存储器同时突破物理极限、存储鸿沟和集成电路工艺兼容性问题。唤醒效应、疲劳失效、性能不均一是阻碍氧化铪基铁电存储器走向应用的瓶颈问题,根本原因在于对氧化铪的5d电子结构、畴结构、铁电相等反常铁电性科学本质认识不足。针对以上需求及挑战,西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院周益春教授团队开展5d电子材料铁电性物理本质与存储器设计新理论研究,以构建电子、声子以及跨尺度畴变模型,揭示5d电子材料铁电性的物理本质及其介观响应规律,建立畴与场效应协同的复杂系统器件设计新理论,从而实现铁电相、薄膜、存储器的全链条研制。(1) 提出了场效应与畴结构耦合的器件设计理论,建立了源漏电流(存储窗口)与栅电压、极化、应变、应变梯度之间的关联,实现了铁电存储器的电路设计与仿真,首次研制出64 kbit 氧化铪基铁电存储器。图1. 64 kbit铁电存储器及其功能演示照片(2) 基于与主流集成电路工艺线兼容的原子层沉积工艺,提出硅衬底上制备氧化铪基铁电薄膜的化-力-电多场调控原理和晶态high-k层降低铁电相形成能的策略,实现了杂相(化)、界面(力)、畴(电、力)的协同调控,在国际上首次实现了氧化铪基铁电存储器的后栅极制备工艺和后端集成工艺,并通过了标准工艺线的验证。图2 (a)8英寸氧化铪基铁电薄膜照片 (b) 后栅极工艺制备的铁电存储单元照片(3) 基于贝利相位和能带理论,揭示出氧化铪的铁电相是极不稳定的亚稳相,并阐明掺杂离子-氧空位复合缺陷、应变和电场的协同作用能有效稳定亚稳相;构建了氧化铪基铁电薄膜带电畴壁-内建电场相场模型,从理论上预测了氧化铪尾对尾90°电畴结构的存在及其对氧化铪基铁电薄膜“唤醒”效应与疲劳失效的影响规律,并通过像差校正扫描透射电子显微镜(Cs-STEM)证实90°电畴结构是导致氧化铪基铁电薄膜出现“唤醒”效应的重要原因。图3 氧化铪薄膜在(a)唤醒前和(b)唤醒后的晶相、电畴结构

铁电存储器相关的方案

铁电存储器相关的资料

铁电存储器相关的论坛

  • 相变存储器有哪些功能?存储器选片技术了解吗?

    一、相变存储器的特性和功能   相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存,也有RAM或EEpROM特定的属性。   1.1位变量   与RAM或EEPROM一样,PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0,也可以从0更改为1,而无需单独的删除步骤。   2.非挥发性   NOR闪存和NAND闪存一样是非易失性内存。RAM需要稳定的电源供应来维持电池支援等信号。DRAM有一个缺点,也称为软错误。粒子或外部辐射引起的随机位损伤。早期英特尔的兆比特 PCM存储阵列能够存储大量数据,实验结果表明PCM具有良好的非易失性。   3.读取速度   与RAM和NOR闪存一样,PCM技术具有随机存储速度快的特点。因此,您可以直接在阵列上运行代码,PFC(功率因数校正)而无需中途复制到RAM。PCM读取响应时间类似于最小单位1位的NOR闪存,带宽类似于DRAM。另一方面,NAND闪存的随机存储时间达数十微秒,因此无法直接完成代码的执行。   4.写入/清除速度   PCM可以获得与NAND相同的写入速度,但PCM的响应时间缩短,不需要单独的删除步骤。NOR闪存的写入速度稳定,但删除时间较长。与RAM一样,PCM不需要单独的擦除步骤,但写入速度(带宽和响应时间)低于RAM。随着PCM技术的不断发展,存储设备将缩小,PCM将不断改进。   5.缩放   变焦比率是PCM的第五个不同点。由于NOR和NAND存储的结构,存储很难缩小体形。这是因为门电路的厚度是恒定的,能量计量需要10V以上的电源,CMOS逻辑语句需要1V以下。这种缩小通常是摩尔的规律,存储每缩小一次,密度就会增加一倍。随着存储设备的缩小,GST材质的体积也在缩小,PCM也在缩放。   二、内存选择和总线概念   发送到每个设备的存储器的8条线来自哪里?   那在计算机上,一般来说,这8条线不仅连接一条内存,还连接其他部件,所以这8条线在记忆和计算机之间不是专用的,所以如果总是把一个设备连接到这8条线上,那就不好了。例如,如果这个内存单位的数字是0FFH,另一个存储单位的数字是00H,那么这条线到底是00H。岂不是非要打架看谁受伤了吗?所以我们要把它们分开。方法当然很简单。如果外部线路连接到集成电路的针脚上,则无需直接连接到每个设备,只需在中间添加一组开关即可。通常只需关闭开关,将数据写入此内存,或从内存中读取数据,打开开关即可。 这套开关由三条引线选择:读控制端、写控制端和切片选择。要将数据写入片,请先选择片,然后发送写入信号,开关将关闭,传输的数据(电荷)将写入片。要读取,首先选择片,然后发送读取信号,交换机关闭后发送数据。读写信号同时连接到不同的内存,但由于切片选择不同,有读写信号,但没有切片选择信号,所以不同的内存不会“误解”,而是打开门,造成碰撞。那么,如果在不同的时候选择两个芯片呢?如果是设计良好的系统,就不会这样。因为它不是我们的人,而是由计算控制的。如果实际上同时出现了两种拔掉的情况,那就是电路坏了。这不包括在我们的讨论中。(约翰f肯尼迪)。   那么,在高温存储中的工作原理也像通过电荷使用一样。在这里,高温环境的稳定性突破是最重要的。因为温度越高,电子越活跃,在高温下保持电荷记录并存储刻录是关键。 [b]创芯为电子[/b]主要从事各类[url=https://www.szcxwdz.com][b]电?元器件[/b][/url]的销售。提供[url=https://www.szcxwdz.com][b]BOM配单[/b][/url]服务,减少采购物料的时间成本,在售商品超60万种,原?或代理货源直供,绝对保证原装正品,并满?客??站式采购要求,当天订单,当天发货,免费供样!

铁电存储器相关的耗材

  • GL-SPE 带浓缩管、共栓存储器的SPITZ管
    产品信息:固相萃取附件【GL-SPE 带浓缩管、共栓存储器的SPITZ管】在GL-SPE浓缩管上,刻有校准为1.0mL或0.5mL的计量刻度,可以方便地对样品进行定容操作※。GL-SPE吸引分流装置使用SPITZ管(2种)以及GL-SPE浓缩管7mL;SPS24可使用SPITZ管12mmφ与GL-SPE浓缩管7mL;empore分流器可使用GL-SPE浓缩管10mL。注)※2.0mL以上的刻度,以及SPITZ管的刻度是用来标示基准量的。GL-SPE 浓缩管内装1mL、2mL量瓶的20mL浓缩管订货信息:GL-SPE 带浓缩管、共栓存储器的SPITZ管品 名包装单位 (根)刻度(容量) (mL)栓Cat.No.带共栓、刻度的SPITZ管12mmφ206(6.5)共通配研5010-51001带共栓、刻度的SPITZ管16mmφ2014(7)5010-51002GL-SPE 浓缩管1.0mL母/7mL106(7)5010-51010GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL105010-51011GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL※105010-51012GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL10透明圆锥5010-51013GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL※105010-51014GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/10mL1010(10.5)共通配研5010-51015GL-SPE 浓缩管1.0mL&2.0mL&5.0mL母/6mL106(6)5010-51017GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/10mL※1010(10.5)5010-51016GL-SPE 浓缩管1.0mL&2.0mL母/20mL620(20.5)5010-51020GL-SPE 试验管5.0mL母/16mL透明圆锥105(16)透明圆锥5010-51040GL-SPE 试验管(25mL)65010-51041GL-SPE 用废液铰链 不锈钢制1个5010-50122
  • 安捷伦 Capillary Flow Technology (CFT) Supplies G2855-20590 色谱柱存储器接头 其他色谱配件
    Capillary Flow Technology (CFT) Supplies部件号 :G2855-20590色谱柱存储器接头接头、密封垫圈和备件如果希望微板流路控制附件,如Deans Switch 和QuickSwap MS 接口,与色谱柱的连接无泄漏、低死体积、高惰性,采用SilTite 密封垫和专用螺帽。对于微板流路控制装置,要使用脱活的熔融石英管。不要使用涂渍了固定相的毛细管。接头、密封垫圈和备件说明单位部件号内螺帽G2855-20530Swaging 螺帽,适用于带可塑金属密封垫圈的MS 接口G2855-20555三通,惰性G3184-60065色谱柱存储接头G2855-20590UltiMetal Plus 可塑金属密封垫圈,内径0.4 mm 10 个/包G3188-27501UltiMetal Plus 可塑金属密封垫圈,内径0.5 mm 10 个/包G3188-27502UltiMetal Plus 可塑金属密封垫圈,内径0.8 mm 10 个/包G3188-27503密封圈预成形工具G2855-60200柱/保留间隙安装备件 说明部件号250 μm 保留间隙管,5 m 长的一段160-2255-5320 μm 保留间隙管,5 m 长的一段160-2325-5530 μm 保留间隙管,5 m 长160-2535-5熔融石英,脱活,0.15 mm x 1 m 160-2625-1熔融石英,脱活,0.15 mm x 5 m 160-2625-5熔融石英,脱活,0.15 mm x 10 m 160-2625-10
  • 色谱柱存储器接头
    专为微板流路设备而设计安捷伦提供了一系列基于我们的专利 微板流路控制技术的气相色谱附件。这些附件提高了系统的工作效率和性能。若要得到与惰性色谱柱无渗漏连接、死体积低的微板流路附件(例如 Deans Switch 或 QuickSwap MS 接口),只能采用 SilTite 密封垫圈和专用螺母。对于微板流路设备,请使用脱活处理的熔融石英管。不要使用涂渍了固定相的毛细管。 Deans Switch 中心切割装置简化了复杂样品的分析 带吹扫的流出物分流器用于无泄漏惰性色谱柱流出物的分流
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