【求助】关于薄膜断面透镜分析

你样品的厚度？制样方法？
还有各个图片与第一幅图的对应关系？

样品厚度具体我也不是很清楚，估计应该在微米量级，制样方法应该是机械减薄之后再离子减薄。第二幅图是第一副图的较低倍数的图片，第三幅图是第一副图的"C"区的放大部分，第三幅图是“C”区的高分辨。

最外层A有可能是粘样品的胶吧？
C看样子像超晶格；

对你的材料不是很了解，所以也不能给出结论
建议以后再拍电镜照片的时候想好目的，比如得到第一幅图以后，对A、B、C、D的成分及结构有些疑惑，可以分别再对他们做高分辨或者能谱分析，这样以后分析起来也容易并且能确定些

至少要给出标尺，另外标明各图之间的相对关系。还有就是得到各图的实验条件。

试样太厚, damage也很大. 应该试着用离子减薄仪在打一打(低电压和电流).

标尺在图中给出了，在图的左下角，可能在这个图片上不是很清楚，前两个图的标尺为500nm，第三个为200nm，第四个图的标尺为50nm。

从衬度上看，A的最下层稍微深色区为薄膜，BCD均为衬底。样品做的还可以

关键是样制得不是很清楚，用离子束垂直打一下看能不能增加一点反差。

以我的经验：

A 对粘胶(TEM样品制备时涂抹)
B p-GaN
C 有源区(也即活性区，由宽的“多量子阱”和窄的“超晶格”插层组成)
D n-GaN

衬底应该没在图中出现

另外 这个样品区域不薄啊，高分辨估计够呛。