【求助】ICP-OES在多晶硅中的应用

楼主是工业硅，还是多晶硅，这2个分析完全不一样。多晶硅的话需要ICP-MS分析的。工业硅的话ICP可以的

我是做多晶硅原料检测的，三氯氢硅中杂质的检测。现在在用 ICP-MS检测三氯氢硅中金属盒B杂质的含量，不过不是我负责那块。现在厂里决定买一台PE的ICP-OES来做，最近我一直都在查有关ICP-OES的资料，如果和楼猪的课题一样，希望有机会一起讨论，我 QQ506313762。
ICP-MS的检出限低，灵敏度高，用来检测杂质含量大致在5PPB---1000PPB三氯氢硅，是不是太暴殄天物了！经常出现检不出的情况，这个是什么原因造成的？用的是标准曲线法，点数是 用0.1PPM或者0.01PPM的混标配的点，分别是0， 1， 2， 5， 10 ，20 。线性相关系数能达到0.98以上。而且实验室那几个还经常用 ICP-MS做别的含量检测。

多晶硅的确不能用ICP光谱法分析的，必须要用ICP-MS，或用GD-MS

ICP-OES检出限难以达到个位数的PPB的，尤其是B和P，用ICP-MS是非常合适的啊

大家想想，如果ICP-MS可以测试BP，那么低温红外是否可以被替代？
hi.baidu.com/sitest

就这个问题，我建议你选低温红外，用ICP-MS基本上是检测酸或水中的杂质，低温红外检测性能很好，但前提是必须把多晶转变为单晶！

顶楼的那位。我这里有ICP-OES在测定工业硅中金属杂质时的样品前处理、对工业硅中杂质含量的所有国际标准
你是在哪做的？？？

你现在所在单位是哪？

三楼那位，你用OES去做三氯氢硅？怎么做？？做的出来吗？
这个不用想。。。。。。是根本做不了 的，不信你买来做做看！