【求助】PHI-650型俄歇电子谱仪在3Kev能量下一分钟能刻蚀多深？

没人知道吗？

还请问下 在俄歇测量的数据中，这两个参数分别代表什么意思

EBeamEnergy：3.0 keV


SputterEnergy：4000.000 keV

请具体说说

Ar+离子做刻蚀速率不是一定的，就算是一定的束流密度和电压，被刻蚀的材料不同速率也不同，连续刻蚀和间断刻蚀速率也会有差别。所以要想确定可是速率考虑的因素和需要做的工作还是很多的。

我想问下 你在哪呢？ 你那里可以做俄歇吗？

具体速率是得校准后定的，这个参数无法定，即使所有的参数都定了，也是通过校准实验来确定速率的

但是，不同的材料每次都要做校准？然后用SEM或者台阶仪测定？

溅射速率都是用SiO2的速率来定的（据我所知），我们一般所说的速率是指相对于SiO2的速率，不是测试样品的真正溅射速率。
速率是这样校准的：拿标准样品（表面有已知厚度SiO2层的Si片），设定溅射条件，然后开始溅射，看多长时间可以把siO2溅射完，然后用厚度除以时间=溅射速率。