cuihuakun
第5楼2011/11/15
首先非常感谢yushushi老师的回答,我仔细阅读后基本理解你的意思。但仍有几个问题:
首先,在调出缝的位置时,一般是在空气环境下进行样品激发,并根据描迹差值进行调试。但抽真空后谱线会因空气折射率的变化而发生偏移,请问这一偏移应如何在调试中校正?
其次,对于P、S、B等短波元素,无法在空气环境下看谱线,对于这些元素的出缝应如何调整?
最后,请问定光栅和入射狭缝是用何种方式?定光栅、定入缝和定出缝 三者之间有先后顺序吗?
不胜感激!
yushushi
第10楼2011/11/21
把三者的理论位置划线,然后放置好。先定光栅的放置角度和俯仰,需要做个镭射灯工装准确卡在光栅理论法线的位置上,要求镭射灯光线通过光栅反射后能和原来发光点重合(调整光栅俯仰和入射角用),然后放置入射狭缝,出射狭缝(不紧固,只是按照理论位置放置)。激发铁样,关灯观察谱带是否为水平(调节光栅刻线与底面垂直用),然后固定好光栅,再次检查前两实验结果(紧固时有时会跑偏)。然后用照相的方法找到焦距来调节入缝和出缝罗兰块的位置(注意,照相时,入射狭缝要调整到入缝移动机构运动轨迹与罗兰元的切点位置上,这很重要!。注意要同时照顾到长波和短波部分,不能让罗兰块只对齐一边焦距!再最后,激发Si块照相(Si的谱线少,特征线明显,可作为基准),照相后找出照相实际Si线位置与理论位置之差值,把这个差值当成谱带平移均值,引入到所有出射狭缝理论位置当中做校正。然后初定出缝位置,,,然后狭缝扫描,,,然后工具显微镜下面调节,,,然后再扫描,,,,,直到调好为止。