ECCI-台式SEM的0.8纳米6HSiC台阶图像

安捷伦的那个台式SEM吧
图像不错，我觉得大型钨灯丝SEM在这个条件下恐怕也没这么好。

另外对您的标题看的不很明白，能够解释一下？

又看了一下这个Agilent 8500 FE-SEM资料，正好宣传册上也有这个样品。
这个0.8nm厚度的台阶，钨灯丝扫描电镜观察肯定也没问题。

本来这个装备开发的初衷要用在太空上的，不知道用在地球上，性价比如何？

ECCI就是electron channel contrast imaging，这个样品的台阶只有0.8nm，所以一般都是用AFM来观察，但是AFM观察对样品的尺寸限制比较麻烦，如果我们只想知道台阶的存在而不关心高度的话就可以用SEM来观察了，不过由于台阶梯度太小，所以很难得到衬度，所以目前为止，我还没看到过用钨灯丝电镜得到的结果，场发射从文献和会议报告来看，已经找到有CamScan, Zeiss两家的结果，CamScan的结果是大角度倾斜拍的，Zeiss是Ultra 的ESD顶探头拍到的，相关的文献：
Y.N. Picard et al, applied physics letters 90, 234101(2007)
B.A. Simkin et al, Ultramicroscopy 77 (1999) 65-75
Lawrence Muray et al, Microelectronic Engineering 86(2009)1004-1008
这两张图是在低加速电压下，用Topography模式才能得到，其机理和样品表面台阶形成时台阶边缘原子在点阵中的离域以及布洛赫波相位有关系。有兴趣的人可以查阅相关的文献。4HSiC,W，GaN，Si样品上都有类似的结果，有设备的人可以找样品试一试。

台阶之间的距离差不多160nm左右，钨灯丝电镜的分辨率使之无法达到这个清晰度，虽然是台式电镜，但还是场发射，分辨率会好很多也正常。

能解释一下topography模式什么意思吗？我怎么看着这几张图跟二次电子像没什么区别呢？

呃，就是分割的背散射探头，A-B的模式

这种探头收集的信号跟通道电子没有关系呀。

是的，1KV的指标确实比当前大型钨灯丝的高。而且就用在1kv左右，很方便。

通道衬度和入射角度有关系，主要是通过A-B来得到大角度入射。



文献： Pohland et al., JVST, A 11, 1837 (1993)