在diffractogram里粗略测测

lz是不是算错了，希望lz验算一下，（111）应该是面间距最大的面，也就是衍射斑点离透射斑最近的点

通过d换算成a, 我指的是a. 这只是个粗略的测量，评估一下而已。





其他区域的也和GaAs做了比较，假定仪器采像过程里是稳定的。

就可以评定MBE样品在整体上是和GaAs-Substrate相适的。

SNR，vector length 对测量有影响。 这里central pixel的位置就用Image J 的search maxima 量了量。

误差评估考虑了周围的8个pixel.

SNR好理解，vector length 的影响还不明白。

样品本身是strain free的么？
Anisotropic strain可能会造成不同点量到的值不同。
misfit heteroepitaxy的MBE膜我觉得多多少少都有psudomorphic strain。

看了篇文献，SNR 对unstrained 样品没影响，但vector length 较长的结果更精确,

还没弄明白。

我得更精确地测下各central pixel 的座标。或许Image J 的search maxima 粗糙了点，也有影响。

唉，其实很简单，相同的放大倍数下，g-vector 长的，晶面数就多，误差就小。

所以(220)优于(002)和(111).

这都想不明白? 一直以来，我都很笨的。

倒空间的确是这个样子。

perpetualcat68(perpetualcat68) 发表:唉，其实很简单，相同的放大倍数下，g-vector 长的，晶面数就多，误差就小。

所以(220)优于(002)和(111).

这都想不明白? 一直以来，我都很笨的。

俺大师兄更进一步, 他把像平均分割到4x4或8x8的地步, 在每个分割的FFT里测,

各局部的再加起来求平均值. 这样FFT上亮点的中心不要另用办法就测得很准了,

所测更精确. 就是量大了点.

从局部到全局平均, 这个方法都在圈子里以他的名字命名了.



随便弄个相对小的就很准了.

他为何不告诉我, 还是老师讲的. 大师兄看你太笨, 怕你费神.

看似简单, 不也很多人想不到吗. 大师兄本科时的东西就是博士论文里的不小部分了.

他就是为TEM/STEM而存在的. Bloch4也是他自己编写的. 和老师有一拼的.

他倆该去搞编程的, 把原本的主业当兴趣了. 有名的电镜大师都会自己编程.....

我要花时间好好学编程了, 否则再好的想法也难以进行.

就你? 很想哭几声啊...