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Si片的清洗和处理方法--去除氧化层

其他仪器综合讨论

  • Si上外延生长薄膜通常上面的一层SiO2的去除非常关键，而完全的消除其影响是不可能的，我们只能减小其影响。方法如下：
    1。基片清洗：除常规的酒精丙酮去离子水超声外，还要用到双氧水+盐酸和双氧水+氨水的两种酸碱溶液，此外稀释的氢氟酸中浸泡几秒钟可以有效的去除SiO2层。
    2。真空热处理：Si片高真空下2小时500度左右退火，有效减少SiO2.
    文献中有报道，参考之。
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    +关注 私聊

  • 豫州*阿秋

    第1楼2006/10/24

    楼主，请教个问题２的目的是什么呢？

0
    +关注 私聊

  • silva

    第2楼2006/10/25

    好方法，能提供一些处理基片的参考文献吗？
    基片处理好了，对长膜很重要。

0
    +关注 私聊

  • coolca

    第3楼2006/12/23

    同求
    我的是用化学方法沉积的膜，然后在高温下焙烧，结果膜翘起的非常厉害，郁闷中！！！

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