【讨论】请教AFM基底片清洗问题

也可以参考分子束外延MBE版的帖子：http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20061024/600723/

Si上外延生长薄膜通常上面的一层SiO2的去除非常关键，而完全的消除其影响是不可能的，我们只能减小其影响。方法如下：
1。基片清洗：除常规的酒精丙酮去离子水超声外，还要用到双氧水+盐酸和双氧水+氨水的两种酸碱溶液，此外稀释的氢氟酸中浸泡几秒钟可以有效的去除SiO2层。
2。真空热处理：Si片高真空下2小时500度左右退火，有效减少SiO2.
文献中有报道，参考之。