MS中双电荷与氧化物相关问题咨询

您好。
双电荷离子产生的质谱干扰，指的是单电荷离子M／Z的一半。
如果第一电离能低的元素，就会越容易被电离，电离效率高。
等离子体中氩气的第一电离能15.76 eV，第二电离能低于Ar的第一电离能的都容易产生双电荷，Ba和Ce的第二电离能分别为10.00eV和10.88eV。所以控制Ba和Ce指标。
双电荷干扰离子的增加, 离子动能扩散, 采样锥口二次电离离子的产生，采样锥口二次电离离子的产生, 锥的寿命减少等。
因为检测器是基于m/ z ( 质荷比) 进行检测，因此双电荷离子也能被检测到, 检测结果只是同位素原来的质量数的一半。例如, 88 Sr 易成为双电荷离子, 所测出的质量数为44, 与44 Ca 相同, 造成双电荷干扰。
一般采用降低 RF功率、加大采样深度等优化双电荷。
以上是我看资料学习的，如果有不正确的地方请各位版友指出。

氧化物、氩化物、氢化物、氢氧化物等形式出现的干扰离子都应该类于多原子离子，等离子体中主要成分之间的离子反应的产物；
以氧化物离子峰的大小对元素本身离子峰大小的比值ＭＯ ／Ｍ 表示。
在氩等离子体中, 氩离子和许多离子结合, 形成质谱重叠干扰。比如, 丰度最大的40Ar 与氧结合形成40 Ar16 O 干扰56 Fe 的测定； 38 ArH 干扰39K 的测定，ArCl干扰75As；来自空气中的氮、氧、氢也会自行结合形成多原子离子干扰。
因为CeO 是所有氧化物中最难解离的。由于ＣeO —Ｃe 解离平衡为吸热反应，等离子体温度越高，则ＣeO 浓度越低，而其他氧化物的解离程度远高于ＣeO ；由于ＣeO 是产生干扰最大的氧化物，其他分子离子干扰水平相应地也可以降低，因此ＣeO 分子离子的浓度还可以成为所有其他分子干扰的表征指标
如果锥的表面出现凹痕或不光滑，更易于产生氧化物粒子。所以接口锥必须定期清洗。

应助达人

最简单的理解是这两项指标高，你的待测元素质谱干扰风险就大。尤其是质量数比较大的元素。

谢谢你，能麻烦告知一下书名吗？??

解决该问题可以给ICPMS配一个膜去溶进样系统，从而使进入仪器的样品气几乎不存在溶剂，大大提高了分析的灵敏度、减少溶剂所带来的氧化物、氢化物干扰和溶剂对ICPMS的影响（其中CeO :Ce <0.05%）.

只有 MC-ICP-MS 才会配膜去溶。我就没见过哪个四极杆 ICP-MS用户会花 15w买膜去溶。另外膜去溶不耐盐，四极杆1‰盐度的上机溶液 对膜去溶的半透膜都是极大挑战。

应助工程师

以及较长管路所带来强记忆效应元素如B、Hg的残留，这个潜在的危险也是需要考虑的。

请问一下为什么是CeO而不是CeO2???