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GaN HEMT半导体器件的特点及其应用

  • 高秋荣
    2018/07/03
    国联质检团队
  • 私聊

其他仪器综合讨论

  • GaN HEMT半导体器件的特点及其应用

    西安国联质量检测技术股份有限公司

    品控 张敏莉

    摘 要随着电力电子技术的发展,高频、高功率密度成为未来的发展趋势,GaN器件由于其高频、低损耗等特点而受到广泛关注。本文通过将GaN HEMT器件和Si器件进行对比,对GaN HEMT半导体器件的自身特性以及未来的应用趋势进行综述。
    关键词电力电子器件;GaN器件 与传统的Si器件相比,GaN宽禁带半导体材料有很多出色的性能,随着其商业化,其应用也越来越广泛,本文针对增强型GaN器件的特性进行分析,
    1 GaN功率器件的特点
    1.1 与Si功率器件的特性对比
    表 1 宽禁GaN器件与传统Si器件对比
    Tab.1 The comparison of Wide Band Gap GaN device and Traditional Si devices

    器件特性

    IPW65R110CFDA

    Cool MOSFET

    GS66508B

    GaN HEMT

    漏源电压VDS/V

    650

    650

    通态电流ID/A(25℃)

    31.2

    30

    通态电流ID/A(100℃)

    19.7

    25

    通态电阻RDS(on)/mΩ(25℃)

    110

    50

    驱动电压Vgs/V

    -20/20

    -10/7

    驱动阈值电压VGS(th)/V

    4

    1.3

    输入电容Ciss/pF

    3240

    260

    反向恢复电荷Qrr/nC

    800

    0

    封装

    14.81x9.70mm2

    7.0x8.4mm2


    表1是选取了GaN System公司的GaN器件GS66508B以及Infineon公司的Si器件Cool MOSFET进行主要的参数对比。100℃和25℃下通态电流的对比可以发现GaN HEMT的高温稳定性能更好,在高温下仍能承受很高的电流;通态电阻对比可以发现GaN HEMT的通态电阻更小,其通态功率损耗小,提升变换器的效率;通过对比驱动电压可以发现GaN HEMT驱动电压更小,驱动电源设计更加简化;通过驱动阈值电压以及输入电容可以发现,GaN HEMT的驱动阈值电压以及输入电容远远小于Si器件,说明再开通过程中米勒效应影响较小、驱动损耗小、开通时间更短、开通损耗更小、开关频率更高;通过对比反向恢复电荷可以发现GaN HEMT的反向恢复特性好,反向恢复损耗小;通过对比封装可以发现,相同的电压等级下,GaN的封装面积更小。

    1.2 GaN半导体器件其他特性
    GaN HEMT除了以上的从datasheet中可以得到的特性外,还可以发现GaN HEMT还存在以下特性:
    1) 虽然GaN HEMT的开关频率比Si Cool MOSEFET高很多,但实际测试以及实验中发现,其共模干扰与Si MOSFET相差不大。
    2) GaN HEMT。

    1.3 GaN器件应用上存在的问题
    2 功GaN器件的应用趋势
    2.1 发展现状

    表1是选取了功率等级相同的GaN器件以及Si器件进行其材料性能的对比。


    图 1 现有光伏逆变器功率密度分析
    2.2 宽禁带器件的应用前景
    表 2 目前已经商用的SiC功率器件
    材料
    特性
    UDS
    /V
    RON
    /m
    IDmax
    /A
    UGS(DC)
    /V
    C3M0065090J9006535-4/15
    C3M0120100J100012022-4/15
    C2M0025120D12002590-5/20
    C2M0045170D17004572-5/20

    表 3 目前已经商用的GaN功率开关器件
    材料
    特性
    UDS
    /V
    RON
    /m
    IDmax
    /A
    UGS(DC)
    /V
    UGS(DC)
    /V
    EPC21003089.5-4/60.8/2.5
    EPC203315731-4/60.8/2.5
    EPC20253001206.3-4/60.8/2.5
    EPC665026502207-10/70.8/2.5

    (a) GaN HEMT开通波形


    (b) GaN HEMT关断波形


    (a) Si MOSFET开通波形


    (b) Si MOSFET关断波形



    图 2 GaN HEMT和Si MOSFET开通关断波形对比

    2.3 宽禁带器件的目前应用实例
    表 4 SiC 器件在光伏逆变器中的应用情况
    年份单位功率
    /kW
    效率
    %
    功率密度
    (KW/L)
    2014三菱和欧姆龙5.5----
    2014富士电机20990.25
    2014富士电机198.80.2
    2015三菱4.4980.26
    2015美国科锐5099.10.23

    3 总结
    本文通过对比Si半导体器件以及宽禁带器件的材料性能以及开关性能,发现使用宽禁带半导体器件的使用使功率变换器的成本降低、体积减小、功率密度提高,在新能源领域具有很好的应用前景。
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