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关于DLTS深能级瞬态谱仪量测的样品前处理方法

ICP-MS

  • 背景：半导体行业，样品为单晶抛光硅片，量测分析硅片体内的Fe、Cr、Ni、Cu元素的浓度，即单位为atoms/cm3

    目前已知需要使用深能级瞬态谱仪进行量测，但是样品需制备成肖特基模型才可以进行量测

    问题：基于单晶抛光硅片，如何制作肖特基模型，目前知道的一个方法是在晶圆表面溅射Ti金属层，进而形成PN结，但是找不到相应的机台。除此之外，还有什么别的方法吗？最好有推荐的机型，感谢
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    +关注 私聊

  • 好想带你去蹦极啊

    第1楼2022/11/18

    建议找供应商或者专门的半导体材料公司咨询下

0
    +关注 私聊

  • 光哥

    第2楼2022/11/18

    应助工程师

    体金属也用表金属的单位？感觉有点怪怪

0
    +关注 私聊

  • DK666

    第3楼2022/11/27

    光哥，是atoms/cm3，找到资源了，需要镀膜仪进行Ti金属镀膜后量测

    光哥(xsh1234567) 发表:体金属也用表金属的单位？感觉有点怪怪

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