通道电子倍增器（channel electron multiplier，CEM）又称连续打拿极电子倍增器。电子倍增管使用多个独立的打拿极将光子转换成电子，而通道电子倍增器釆用开放式玻璃锥管结构(表面镀有一层半导体膜)，将撞击在其表面的离子转换成电子。检测带正电离子时，在其前端施加一负偏压，靠近收集器的末端接地。离子通过四极杆质量分析器后，被锥体负高压吸引，撞击检测器表面，释放出一个或更多二次电子。由于锥体内不同位置具有不同电势，二次电子在此电位梯度作用下向末端收集器运动。当电子再次碰撞新的膜层表面时，释放出更多二次电子。多次重复后，得到单个脉冲信号，包含撞击所产生的大量电子。
不连续打拿极电子倍增器( discrete dynode electron multiplier)通常称为活性膜放大器，与通道电子倍增器工作原理相似，但采用离散的打拿极(图4.31)。通常采用离轴安装方式，以减小杂散辐射及离子源所产生的中性粒子离子离开四极杆后，以曲线运动方式撞击到第一个打拿极上，释放出二次电子。打拿极的电子光学设计使得二次电子加速运动至下一个打拿极，产生更多二次电子。如此反复，最终产生电子脉冲信号被放大检测器接收。由于采用不同于通道倍增器的表面材料，且电子产生方式不同，通常比通道电子倍增器灵敏度提高了50%~100%
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