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RIC7S113A4功率MOSFET和IGBT驱动器

  • Ins_53b266b9
    2024/05/28
  • 私聊

其他仪器综合讨论

  • RIC7S113:抗辐射高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,适用于太空等环境。
    VOFFSET (max) = 400 V

    VCC = 10 V to 20 V

    VDD = 5 V to 20 V

    IOUTA/B source/sink (typ) = 2 A / -2 A

    ton (typ) = 120 ns

    Toff (typ) = 100 ns

    MT (typ) = 5 ns

    TJ = -55°C to 125°C

    功能特点:

    1. 独立高低侧栅极驱动器,±5V偏置电压。

    2. 节省空间和重量,无需栅极驱动变压器。

    3. 欠压锁定、CMOS施密特触发输入。

    4. 匹配传播延迟、边沿触发、集成电平转换。

    5. 密封包装、抗辐射、单粒子效应硬度。

    6. 安全工作区定义、瞬态抗扰度。

    7. 应用:卫星、功率调节、配电、DC-DC转换、电机驱动。更多相关产品信息请访问立维创展ldteq.com

    Orderable part
    number
    Package typeDevice classTotal ionizing
    dose leve
    Temperature
    range (℃)
    RIC7S113A4SCSFlatpackLevel S1100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113A4SCBFlatpackLevel B1100krad(Si-55 to 125
    RIC7S113A4FlatpackCOTS100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113C4CDKDieClass K1100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113C4CDHDieClass H2100krad(Si-55 to 125
    RIC7S113C4CDVDieVisual Inspection Only100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113E4SCSLCC CICLevel S'100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113E4SCBLCC CICLevel Bl100krad(Si-55 to 125
    RIC7S113E4LCC CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113L4SCSMO-036AB CICLevel S100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113L4SCBMO-036AB CICLevel B1100krad(Si-55 to 125
    RIC7S113L4MO-036AB CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
    RIC7S113EVAL1Evaluation Board
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