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【分享】基片清洗方法

silva

2007/09/01

其他仪器综合讨论

沉积薄膜基片的清洗方法主要根据薄膜生长方法和薄膜使用目的来选定。这
是因为基片的表面状态或污物严重影响形成薄膜的结构和性质。因此必须采用各种清洗方法．以除去表面的污物。目前，基片清洗方法有：用化学溶剂溶解污物的方法、超声波清洗法、离子轰击清洗法、等离子体清洗法和烘烤清洗法等。
(1)使用洗涤剂的清洗方法去除基片表面油脂成分的清洗方法是首先在煮
沸的洗涤剂中将基片浸泡1min左右，随后用流动水充分冲洗，再在乙醇中浸泡
后用干燥机快速烘干。
〔2)使用化学溶剂的清洗方法用丙酮清洗可采用上述顺序，半导体表面多用强碱清洗，另外还可用溶剂蒸气进行脱脂清洗。
〔3)超声波清洗方法超声波清洗方法是利用超声波在液体介质中传播时产生的空穴现象对基片表面进行清洗的。针对不同的清洗目的，可采用不同的溶剂、洗涤液或蒸馏水等作液体介质。
(4)离子轰击清洗方法离子轰击清洗法是在形成薄膜之前用加速的正离子
撞击基片表面，把表面上的污染物和吸附物质打出来。这种方法不用液体，也不需要干燥，因此被认为是一种极好的方法，但要注意高能离子会使基片表面受到溅射损伤的问题。
(5)等离子体处理利用低压气体放电产生的等离子体，对基片进行轰击，
赋予各种表面特性和提高膜层的结合力。这是由于等离子体存在许多高能高活性的粒子(如电子、离子、激发原子和分子、光子)与基片表面作用，不仅可除去污物，有时还会接上某些基闭，因而等离子体处理的特点是：能获得活性表面；能除去非常微小的污物；能清洁其他方法难以清洁的部位。
(6)烘烤清洗方法如果基片具有热稳定性，则在尽量高的真空中把基片加
热至300℃左右就会有效除去基片表面上的水分子等吸附物质。

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