| 型号： | ELS-F125 |
| 产地： | 日本 |
| 品牌： | |
| 评分： |
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品牌：Elionix
型号：ELS-F125/F100/HS50
关键词标签：电子束曝光，电子束直写
简短描述：（<40字）：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。
一、简介
ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)
ELS-F125具有以下优点：
l 超高书写精度
- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV
- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kV
l 高通量、均匀性好
- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽
- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nA
l 界面用户友好
基于Windows系统的CAD和SEM界面:
-简单易用的图案设计功能
-易于控制的电子束条件
二、主要功能
l 主要应用
纳米器件的微结构
集成光学器件，如光栅，光子晶体等
NEMS结构，复杂精细结构
光刻掩模板，压印模板
l 技术能力
型号 | ELS-F125 | ELS-F100 | ELS-HS50 |
电子枪 | ZrO/W 热场发射枪 | ZrO/W 热场发射枪 | ZrO/W 热场发射枪 |
加速电压 | 125 kV, 75 kV, 25 kV | 100 kV, 50 kV, 25 kV | 50 kV, 20 kV |
最小束流直径 | Φ 1.7 nm (@ 125 kV) | Φ 1.8 nm (@ 100 kV) | Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA) |
最小线宽 | 5 nm or less (@125 kV) | 6 nm or less (@100 kV) | 20 nm (@ 50 kV, 2 nA) |
电子束束流 | 5 pA to 100 nA | 20 pA to 100 nA | 1 nA to 1 μA |
视场范围 | Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μm | Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μm | Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μm |
Min. 100 μm ｘ 100 μm | Min. 100 μm ｘ 100 μm | Min. 100 μm ｘ 100 μm | |
束流定位 | Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC) | Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC) | Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC) |
束流定位分辨率 | Min. 0.1 nm | Min. 0.1 nm | Min. 0.1 nm |
大样品尺寸 | 8" wafer or 7" square mask | 8" wafer or 7" square mask | 8" wafer or 7" square mask |
三、应用
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