| 型号： | CNT-GNIB |
| 产地： | 福建 |
| 品牌： | CHIPNOVA |
| 评分： |
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产品简介
通过MEMS芯片在原位样品台内构建力、电复合多场自动控制及反馈测量系统，结合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多种不同模式，实现从纳米层面实时、动态监测样品在真空环境下随电场、施加力变化产生的微观结构、相变、元素价态、微观应力以及表/界面处的结构和成分演化等关键信息。
我们的优势
力学性能
1．高精度压电陶瓷驱动，纳米级别精度数字化精确定位。
2．可进行压缩、拉伸、弯曲等微观力学性能测试。
3．nN级力学测量噪音。
4．具备连续的载荷-位移-时间数据实时自动收集功能。
5．具备恒定载荷、恒定位移、循环加载控制功能，适用于材料的蠕变特性、应力松弛、疲劳性能研究。
优异的电学性能
1．芯片表面的保护性涂层保证电学测量的低噪音和精确性，电流测量精度可达皮安级。
2．MEMS微加工特殊设计，电场和力学加载同时进行，相互独立控制。
智能化软件
1．人机分离，软件远程控制纳米探针运动。
2．自动测量载荷-位移数据。
技术参数
| 类别 | 项目 | 参数 |
| 基本参数 | 杆体材质 | 高强度钛合金 |
| 控制方式 | 高精度压电陶瓷 | |
| 倾转角 | α≥±20°，倾转分辨率＜0.1°（实际范围取决于透射电镜和极靴型号） | |
| 适用电镜 | Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi | |
| 适用极靴 | ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP | |
| (HR)TEM/STEM | 支持 | |
| (HR)EDS/EELS/SAED | 支持 |
应用案例
钨纳米柱原位力学压缩过程
钨纳米柱受力发生弹性形变过程中，弹性形变和塑性形变过程强度和塑性是结构材料应用的关键特征，位错在调控材料强度和塑性的过程中扮演了重要角色，一般来说，位错滑移越难，材料的强度就越大，而第二相常用来阻碍位错运动以提高材料强度。例如，陶瓷相可以用于金属强化，因为基体与第二相之间弹性模量的巨大差异和严重的界面失配能够起到金属材料强化的作用，遗憾的是硬的第二相一般是在牺牲延展性的条件下实现了强化作用。此外，界面处严重的位错塞积可能会导致局部的应力集中，导致材料在服役过程中突然失效。从本质上讲，既需要第二相阻止位错的运动，还要一定程度上兼容位错滑移的可塑性。通过原位力学测试，可以更方便研究材料界面应变场变化以达到优化复合材料的强度和塑性的目的。
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