型号: | SPTS深硅刻蚀设备 |
产地: | 英国 |
品牌: | |
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SPTS深硅刻蚀设备
SPTS作为的深硅刻蚀和牺牲层刻蚀设备的供应商,SPTS能够提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发,SPTS能为客户提供一系列的先进的工艺,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的高端封装(3D封装和芯片级封装)。
深硅刻蚀工艺的主要过程包括:
1) 钝化处理过程(C4F8等离子体)
一阶段:由C4F8产生CFn聚合物沉淀在所有的表面
2) 刻蚀过程(SF6等离子体)
第二阶段:由于离子体的定向运动,基面上的聚合物被去除的速度要比在侧壁的去除速度快。
第三阶段:暴露的硅表面就会被F系物刻蚀掉,SF6源源不断提供等离子体,来实现深宽比的刻蚀。
深硅刻蚀的主要应用包括: MEMS,先进封装(TSV),功率器件等等。
的深槽刻蚀设备,可以提供快的刻蚀速度,但同时保证侧面特征良好控制和一致性。通过 软件以及硅技术实现了性能的工艺控制。
parameter ramping技术:
实时调节工艺过程参数,以达到佳侧面轮廓。
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