型号: | 电子束光刻系统 |
产地: | 日本 |
品牌: | |
评分: |
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产品特点
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs
产品参数
1.最小线宽:小于10nm(8nm available)
2.加速电压:1-50kV
3.电子束直径:小于2nm
4.套刻精度:20nm(mean+2σ)
5.拼接精度:20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)
7.描电镜分辨率:小于2nm
产品介绍
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技
术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端
的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。
系列zui小线宽可达8nm,zui小束斑直径2nm,套刻
精度 20nm(mean+2σ),拼接精度 20nm(mean+2σ)。
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