型号: | 电子束曝光EBL |
产地: | 日本 |
品牌: | |
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纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。
超高分辨率的电子束光刻
技术参数:
加速电压:最高130keV
单段加速能力达到130keV,尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm
最小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力
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