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TCL华星“光刻机及电路基板的制备方法”专利公布

导读:国知局消息显示,TCL华星光电技术有限公司“光刻机及电路基板的制备方法”专利公布,申请公布日为6月15日,申请公布号为CN116243564A。

国知局消息显示,TCL华星光电技术有限公司“光刻机及电路基板的制备方法”专利公布,申请公布日为6月15日,申请公布号为CN116243564A。

TCL华星“光刻机及电路基板的制备方法”专利公布

图片来源:国知局

专利摘要显示,本申请实施例公开了一种光刻机,本申请实施例的光刻机采用在掩模板设置位(第二设置位)的出光侧设置投影透镜组,投影透镜组包括第一透镜单元和第二透镜单元,所述第一透镜单元对入射光线的收敛角度大于所述第二透镜单元对所述入射光线的收敛角度。采用投影透镜组对掩模板上的图案进行光线收敛,进而在基板上形成比掩模板上的图案更小的图案,进而达到采用常规掩模板实现精密制程的效果。另外,本实施例采用第一透镜单元用于形成集成电路,第二透镜单元用于形成非集成电路,提高了制程的工作效率以及制程的适应性。

据悉,本申请实施例提供一种光刻机,可以减低掩模板的制作难度,同时可以实现更精密的集成电路制作。

来源于:集微网

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国知局消息显示,TCL华星光电技术有限公司“光刻机及电路基板的制备方法”专利公布,申请公布日为6月15日,申请公布号为CN116243564A。

TCL华星“光刻机及电路基板的制备方法”专利公布

图片来源:国知局

专利摘要显示,本申请实施例公开了一种光刻机,本申请实施例的光刻机采用在掩模板设置位(第二设置位)的出光侧设置投影透镜组,投影透镜组包括第一透镜单元和第二透镜单元,所述第一透镜单元对入射光线的收敛角度大于所述第二透镜单元对所述入射光线的收敛角度。采用投影透镜组对掩模板上的图案进行光线收敛,进而在基板上形成比掩模板上的图案更小的图案,进而达到采用常规掩模板实现精密制程的效果。另外,本实施例采用第一透镜单元用于形成集成电路,第二透镜单元用于形成非集成电路,提高了制程的工作效率以及制程的适应性。

据悉,本申请实施例提供一种光刻机,可以减低掩模板的制作难度,同时可以实现更精密的集成电路制作。