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仪器简介：
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技
术制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端
的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及
CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻
精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数：
电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
详细信息请联系我们
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技
术制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端
的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及
CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻
精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数：
电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统
1.最小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：1-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
详细信息请联系我们
电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统信息由仕嘉科技(北京)有限公司为您提供，如您想了解更多关于电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
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