国产
LabNano PE TM Plasma/Thermal ALD:
可实现单面沉积工艺的独有专利技术。
最先进的流场优化设计, 提高沉积速度, 减少前驱体的使用量。
喷淋式等离子体和前驱体进气口;铝制穹顶等离子体扩散腔,保证均匀扩散。
等离子体产生腔采用高纯(>99.8%.)氧化铝,可兼容氟化物和含卤素的气体。
LabNano- PE TM技 术 参 数 | |
样品尺寸 | 最大直径:200mm 高度:60mm |
反应腔 | 喷淋式等离子体和前驱体进气口;铝制穹顶等离子体扩散腔 |
基片温度 | RT-600℃可控,可选配更高温度选件 |
沉积模式 | 热沉积模式、等离子增强模式、 连续模式TM (Flow TM )、 压力调谐模式TM (PreTune TM) |
前驱体输运系统 | 可以选配到6路 |
等离子体系统 | 可以选配到5路 |
等离子体发生系统 | 自动匹配远程ICP等离子体源系统; 最大功率0-500W可调、13.56M Hz RF发生器; 等离子体产生腔采用高纯(>99%)氧化铝 |
最小脉冲时间 | 10msec, 1msec脉冲间隔精确可控 |
真空系统 | 分子泵与机械泵系统,包括压力调节系统 |
可选件 | 各类原位监测系统,手动/自动进样室等 |
沉积均匀性 | 热沉积 / 等离子体沉积<+/-1% |
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