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PE-ALD 等离子体增强--原子层沉积
ALD逐层沉积，在三维形貌沉积中保持高的均匀性，通过工艺过程中分步添加前置物，可以准确的控制膜厚和薄膜特性折射率和消光系数。PE-ALD是一种先进的方法，通过将自由基（radical）的气体样品，而不是水（沉积过程中作为氧化物oxidizer）。
ALD逐层沉积，在三维形貌沉积中保持高的均匀性，通过工艺过程中分步添加前置物，可以准确的控制膜厚和薄膜特性折射率和消光系数。PE-ALD是一种先进的方法，通过将自由基（radical）的气体样品，而不是水（沉积过程中作为氧化物oxidizer）。
第一台PE-ALD，目前已经安装在TU Braunschweig。用于沉积Al2O3 和ZnO。新的ALD系统，包括热和等离子体辅助工艺，并使用SENTECH的椭偏仪监控沉积。SENTECH提供前沿的超快在线的激光椭偏仪或光谱椭偏仪，监控薄膜的生长.
对于沉积Al2O3, TMA (C3H9Al) 和等离子体产生氧原子，衬底温度80?°C - 200?°C。PEALD薄膜具有高的膜厚均匀性和小的折射率变化。
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