PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备

ALD当今zui  复杂的薄膜镀膜技术。

原子层沉积（ALD）是一种先进的薄膜涂覆方法，可用于制造超薄，高度均匀和共形的材料层，以用于多种应用。 ALD使用顺序，自限和表面受控的气相化学反应来控制纳米/亚纳米厚度范围内的薄膜生长。由于成膜机理–气体直到与表面接触才发生反应，这意味着膜的生长是通过连续的原子层从表面“向上”进行的– ALD膜致密，裂纹，缺陷和针孔。原子的自由度及其厚度，结构和化学特性可以精确控制。 ALD过程是数字可重复的，并且可以在相对较低的温度下执行。这不仅可以构造单一材料层，还可以构造掺杂，混合或渐变的层和纳米层压板，而较低的工艺温度还可以涂覆敏感的材料，例如塑料和聚合物。 ALD材料的范围很广，例如从氧化物，氮化物，氟化物，碳化物和硫化物，形成三元化合物，金属（包括贵金属），杂化材料和聚合物。

ALD使我们的现代，移动和互联生活成为可能。

在过去的几年中，ALD的应用数量呈指数增长。如今，结合摩尔定律和不断减小的IC（集成电路）器件尺寸，ALD是wei一一种可以制造功能材料层足够薄但仍具有zui  高质量，均匀性，一致性和结构完整性的方法。在当今的存储器，逻辑和硬盘组件中常见的纳米级特征和高长宽比结构。简而言之，ALD使我们的现代移动通信设备以及越来越紧凑和高效的计算机成为可能。

ALD正在遍及全球工业ling域。

除了IC组件制造之外，ALD的其他大规模工业应用还可以在传感器，LED和其他III-V器件以及MEMS（微机电系统）制造中找到。 ALD膜还用于光学和光电，防锈蚀和腐蚀保护以及可再生能源应用，例如太阳能，该方法为能量存储和生产（例如高级薄膜电池和燃料电池），生物相容性和医疗设备和植入物，生态包装材料，防潮和气密密封剂层，装饰性涂层以及疏水/亲水性涂层的生物活性表面功能化。

PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备

Picosun简介

Picosun是一家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。

Picosun适应性强其客户包括zui  大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。

Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引ling行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。

Picosun独特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法，并在工业上获得了专利。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有无与伦比的ALD经验，并且为ALD的许多专利做出了贡献。

ALD主要应用：

1.在集成电路上的应用：Fin-FET和HKMG工艺在Si衬底上长高K绝缘层HfO2，La2O3，Ta2O5，Al2O3等；电容器金属电极；晶体管栅电极；TSV电镀铜前长阻挡层和种子层；

2.在显示中的应用：在Micro-LED中通过在沟槽中长钝化层来改善光散射性能；在OLED中低温长防水层。

3.在激光器和功率器件的应用：VCSEL侧面长AlN、Al2O3保护层；GaN高频器件T Gate刻蚀后去氧化层并镀上保护层。

4.验证光刻胶性能：第三方实验室或者工厂FA部门，涂胶后通过低温ALD镀一层很薄的膜来保持住光刻胶的整体形貌，然后通过FIB+TEM等方法来验证光刻胶性能，如果不镀膜直接上FIB或TEM会破坏光刻胶原有的形貌，无法获得准确的结果。

5.其他应用：MEMS/SAW等做高均匀性镀膜，锂电池、医疗等行业等粉末镀膜。

PICOSUN®R-200标准

PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场ling导者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。

敏捷的设计实现了zui  高质量的ALD薄膜沉积以及系统的zui  终灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在zui  具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究ling域是什么，或以后可能成为什么样的研究ling域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。

PICOSUN®R-200高级

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。

群集工具，Picoflow™扩散增强剂，卷对卷室，RGA，UHV兼容性，N2发生器，气体洗涤器，定制设计，用于惰性装载的手套箱集成PICOSUN®R-200高级ALD系统是高级ALD研究工具的全球市场ling导者，已有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。

敏捷的设计实现了zui  高质量的ALD薄膜沉积以及zui  终的系统灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在zui  具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学品前体源。高效且获得专利的远程等离子选件可实现金属沉积，而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱，UHV系统，手动和自动装载机，集群工具，粉末仓，卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在一起，无论您现在或将来的研究ling域如何，都可以高效，灵活地进行研究，并获得良好的结果稍后。

（*）等离子发生器技术特点：

远程血浆源安装到装载室并与反应室连

出色性能的适用于不同化学性质的蓝宝石涂药器

商用微波等离子体发生器，具有300 – 3000 W可调功率，2.45 GHz频率

保护气体在中间空间中流动（无等离子体物质的反向扩散）

在相同的沉积过程中，等离子体和热ALD循环的可能性，而无需对系统进行硬件更改

PICOSUN®P-300B

PICOSUN®P-300B ALD系统是专为生产MEMS设备（例如打印头，传感器和麦克风）以及各种3D物品（例如机械零件，玻璃或金属薄板，硬币，手表零件和珠宝，镜片，光学器件以及医疗设备和植入物。

PICOSUN®P-300 ALD系统已成为大批量ALD制造中的新标准。通过将我们的专利热墙设计与完全分开的入口集成在一起，我们可以生产出具有优异产量，低颗粒水平以及卓越的电学和光学性能的zui  高质量的ALD膜。灵活的设计以及易于快速的维护，确保了系统停机时间zui  少，市场拥有成本zui  低。我们专有的Picoflow™扩散增强剂技术可通过经过生产验证的工艺，在超高深宽比的基材上实现高度保形的涂层。

PICOSUN®P-300B ALD系统是专门为MEMS和3维零件生产中的批处理而设计的，例如机械零件，硬币，钟表零件和珠宝，镜片，光学元件和医疗设备，外科植入物和植入物的涂层设备（PicoMEDICAL™解决方案）。该系统速度快，可靠性高且易于维护。

PICOSUN®P-300BV

PICOSUN®P-300BV ALD系统是专门为生产LED，分立器件和MEMS设备（例如打印头，传感器和麦克风）而设计的。

PICOSUN®P-300 ALD系统已成为大批量ALD制造中的新标准。通过将我们的专利热墙设计与完全分开的入口集成在一起，我们可以生产出具有优异产量，低颗粒水平以及卓越的电学和光学性能的zui  高质量的ALD膜。灵活的设计以及易于快速的维护，确保了系统停机时间zui  少，市场拥有成本zui  低。我们专有的Picoflow™扩散增强剂技术可通过经过生产验证的工艺，在超高深宽比的基材上实现高度保形的涂层。

PICOSUN®P-300BV ALD系统代表了工业ALD的jian端。该系统设计用于半自动处理晶圆批次。该工具针对快速批量生产进行了优化，可以通过SECS / GEM选件集成到工厂自动化中。带有加热选件的真空加载系统能够对敏感基材进行清洁处理，并沉积诸如金属氮化物之类的材料。

PICOSUN®P-300S

PICOSUN®P-300S ALD系统是专门为生产IC组件（例如微处理器，存储器和硬盘驱动器）而设计的，并且还适用于MEMS设备（例如打印头，传感器和麦克风）。

PICOSUN®P-300 ALD系统已成为大批量ALD制造中的新标准。通过将我们的专利热墙设计与完全分开的入口集成在一起，我们可以生产出具有优异产量，低颗粒水平以及卓越的电学和光学性能的zui  高质量的ALD膜。灵活的设计以及易于快速的维护，确保了系统停机时间zui  少，市场拥有成本zui  低。我们专有的Picoflow™扩散增强剂技术可通过经过生产验证的工艺，在超高深宽比的基材上实现高度保形的涂层。

PICOSUN®P-300S ALD系统代表了工业ALD的jian端。该系统旨在与行业标准真空集群平台结合使用，对单个晶圆进行全自动处理。可以通过SECS / GEM选件将SEMI S2 / S8认证的P-300S ALD系统集成到工厂自动化中，它们可以满足半导体行业zui  严格的清洁度要求。

PICOSUN®P-300S是IC创新驱动行业的shou选ALD系统。

PICOSUN®P-1000

PICOSUN®P-1000 ALD系统设计用于批量喷涂各种3D物品，例如机械零件，玻璃或金属薄板，硬币，手表零件和珠宝，镜片，光学器件以及医疗设备和植入物。

PICOSUN®P-1000 ALD系统设计用于批量处理各种3维物品，例如机械零件，硬币，钟表零件和珠宝，镜片，光学器件和医疗设备，外科植入物和可植入设备（PicoMEDICAL™解决方案）在生产环境中。主要应用包括各种钝化层和阻挡层，以显着提高涂层产品的性能和使用寿命。 PICOSUN®P-1000 ALD系统提供创新且灵活的设计，可通过经过生产验证的工艺，以优异的均匀性，zui  高的产量，zui  小的系统停机时间和较低的拥有成本，实现zui  高质量的ALD沉积。

PICOSUN®P-1000 ALD系统可靠，快速且易于维护，代表了工业ALD的前沿。

PICOSUN®Morpher

PICOSUN®Morpher ALD产品平台旨在颠覆Beyond和超越摩尔技术中的200毫米晶圆产业。它以ling先的过程质量，可靠性和操作敏捷性，实现了MEMS，传感器，LED，激光器，功率电子器件，光学器件和5G组件的快速，全自动，高通量生产。从公司研发到生产和铸造制造的所有业务ling域，Morpher都能适应您行业不断变化的需求和客户的需求。基质材料，基质和批量大小方面的ling先多功能性以及广泛的工艺范围，使Morpher真正成为可转变的，包罗万象的制造设施，使您始终引ling行业。

PICOSUN®Morpher设计用于结合行业标准的单晶圆真空集群平台来全自动处理晶圆批次。  性的获得专利的晶圆批量翻转机制使该系统能够与半导体生产线集成，在该生产线中，大多数处理都是在水平几何结构中进行的，并且SEMI S2 / S8认证可确保该系统与业界zui  严格的标准兼容。

PICOSUN®Morpher ALD系统可通过SECS / GEM协议集成到工厂自动化中，而zui  先进的软件可通过直观，精简的图形用户界面为系统提供简单，安全和无故障的操作。凭借我们获得专利的双室，热壁反应器设计以及完全分离的前驱体导管和入口，我们可以创造出zui  高质量的ALD膜，具有优异的产率，低颗粒水平以及出色的电学和光学性能。紧凑的，符合人体工程学的设计以及便捷的维护，确保了系统停机时间zui  少，市场拥有成本zui  低。

PICOSUN®R-200标准

PICOSUN®R-200标准

PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。

技术特点

典型的基材尺寸和类型

50-200 mm单晶片

156毫米x 156毫米太阳能硅晶片

3D物件

粉末和颗粒

小批量

多孔，贯通孔和高长宽比（高达1：2500）

加工温度

50 – 500°C

典型流程

Al2O3，TiO2，SiO2，Ta2O5，HfO2，ZnO，ZrO2，TiN，AlN，金属如Pt或Ir

基板加载

用气动升降机手动装载

磁力锁机械臂

前体

液体，固体，气体，臭氧

多达6个信号源，带4个独立的进样口

选件

Picoflow™扩散增强剂，RGA，N2发生器，气体洗涤器，定制设计，与手套箱兼容，可惰性装载

PICOSUN®R-200标准ALD系统是热ALD研究工具的市场ling导者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。

敏捷的设计实现了zui  高质量的ALD薄膜沉积以及系统的zui  终灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在zui  具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究ling域是什么，或以后可能成为什么样的研究ling域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。

PICOSUN®R-200高级

PICOSUN®R-200高级

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。

技术特点

典型的基材尺寸和类型

50-200 mm单晶片

156毫米x 156毫米太阳能硅晶片

3D物件

粉末和颗粒

小批量

多孔，贯通孔和高长宽比（高达1：2500）

加工温度

50 – 500°C，等离子450°C（650°C，可根据要求提供加热卡盘）

典型流程

Al2O3，TiO2，SiO2，Ta2O5，HfO2，ZnO，ZrO2，AlN，TiN，金属如Pt或Ir

基板加载

用气动升降机手动装载

磁力锁机械臂

搬运机器人半自动装载

使用集群工具在盒式磁带间加载

前体

液体，固体，气体，臭氧，等离子（*）

多达12个带有6个独立进样口的离子源（如果选择等离子选项，则为7个）

选件

群集工具，Picoflow™扩散增强剂，卷对卷室，RGA，UHV兼容性，N2发生器，气体洗涤器，定制设计，用于惰性装载的手套箱集成

PICOSUN®R-200高级ALD系统是高级ALD研究工具的全球市场ling导者，已有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。

敏捷的设计实现了zui  高质量的ALD薄膜沉积以及zui  终的系统灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在zui  具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学品前体源。高效且获得专利的远程等离子选件可实现金属沉积，而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱，UHV系统，手动和自动装载机，集群工具，粉末仓，卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在一起，无论您现在或将来的研究ling域如何，都可以高效，灵活地进行研究，并获得良好的结果稍后。

（*）等离子发生器技术特点：

远程血浆源安装到装载室并与反应室连接

出色性能的适用于不同化学性质的蓝宝石涂药器

商用微波等离子体发生器，具有300 – 3000 W可调功率，2.45 GHz频率

保护气体在中间空间中流动（无等离子体物质的反向扩散）

在相同的沉积过程中，等离子体和热ALD循环的可能性，而无需对系统进行硬件更改

以下相关标准用于评估电源的符合性：DIN EN ISO 12100：

电源的开发和制造满足SEMI S2-0310的要求