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高分辨率TDR/TDT系统实现世界最高的信号品质
非破坏性分析IC封装以及电路版内部配线的故障部位
TS9000 TDR利用既有的太赫兹解析系统中的短脉冲信号处理技術，针对IC封装内部以及电路版内部的配线故障部位进行非破坏性分析的系统。使用探针信号的太赫兹脉冲和之前用电气产生的脉冲相比，脉冲短，带域宽，可得到更高分辨率的不良诊断。日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统
抽取测定好的时间波形的变化，分析故障点(段路，短路，阻抗不匹配等)，把估计的故障点在测定对象的CAD数据上可视化呈现出来、很容易确定故障位置。
特性
-高分辨率：5μm以下的测定距離分辨率，确定不良故障位置
-不范围测定：最大300mm的测定距離范围
-故障部位的可視化 ：在被测定物的CAD数据上，确定故障位置(*)
-自動探测机制：对指定版进行自动探测、防止探针尖端破损
-多器件对应：上升时间不同，提供3种探针（6ps(*), 12ps, 25ps(*))
上升时间快速探针???最先进器件的高分辨率分析
上升时间慢速探针???适合长距离回路分析
※ 根据先进的接触形状、可协商客户的个别需求。
日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统
TDR测定例
由OPEN/SHORT構成的传输线(長4/6/20mm)的TDR测定例
-故障模式是OPEN时，观察正反射脉冲、SHORT时，观察负反射脉冲
-SHORT/OPEN可进行故障分析
-由于太赫兹TDR的探针信号是脉冲、可以容易判断故障点的脉冲峰值
针对IC封装内部以及电路版内部的配线妨碍部位举行非破坏性分析的体系，脉冲短,TS9000TDR/TDTOption
IC封装电路版配线妨碍部位的高辨别率分析
高辨别率TDR/TDT体系实现最高的信号风致，非破坏性分析IC封装以及电路版内部配线的妨碍部位
TS9000TDR利用既有的太赫兹分析体系中的短脉冲信号处理惩罚技術,利用探针信号的太赫兹脉冲和之前用电气孕育产生的脉冲相比:可得到更高辨别率的不良诊断,日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR分析体系
抽取测定好的时间波形的变革:带域宽,阻抗不立室等):换算成距离,短路:确定不良妨碍位置
-不范畴测定：最大300mm的测定距離范畴
-妨碍部位的可視化：在被测定物的CAD数据上,把预计的妨碍点在测定东西的CAD数据上可视化出现出来、很容易确定妨碍位置,25ps(*))
上升时间快速探针-开始进器件的高辨别率分析
上升时间慢速探针-得当长距离回路分析
测定实例
-微凸、C4凸块的破断、打仗不良分析
-硅穿孔（TSV）的打仗不良诊断
-讨论、树脂版内部的配线不良诊断
TDR测定原理
测定妨碍点孕育产生的反射脉冲的耽搁时间,观察负反射脉冲
-SHORT/OPEN可举行妨碍分析
-由于太赫兹TDR的探针信号是脉冲、可以容易果断妨碍点的脉冲峰值
4,确定妨碍位置
3:用于资助确认妨碍点:jpg
6:确定妨碍位置(*)
-自動探测机制：对指定版举行自动探测、警备探针尖端破坏
-多器件对应：上升时间差异:<25ps可选)最大测定距离TDR测定>300mm@εeff=3TDT测定
>600mm@εeff=3测定时间<5min/point@TDR300mm探针配置面片面
探测要领自动位移台性能位置再现性<10μm可动范畴150mm×150mmTDR/TDTAnalyzer搭载TDRCADDATALINK可选日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR分析体系
电脑(OS:12ps:23±5℃相对湿度:
日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR分析体系
TDR测定例
由OPEN/SHORT構成的传输线(長4/6/20mm)的TDR测定例
-妨碍模式是OPEN时.80%以下(无冷凝)生存环境
温度范畴:jpg
特性
-高辨别率：5μm以下的测定距離辨别率，50/60Hz，除了参考良品和不良样品的波形差分以外、检出波形的変化点、确定讨论到妨碍点的距离:50/60Hz.430(W)×240(D)×220(H)mm.
参考良品和不良样品的测定命据水平，130kg以下
-控制单元。提供3种探针（6ps(*)，日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR分析体系
。1ch。TDT：1ch(option)妨碍位置检出辨别率<5μm上升時間<12ps（保举）(<6ps.分析妨碍点(段路，Windows7Pro，64bit)紧张规格性能包管范畴
温度范畴。观察正反射脉冲、SHORT时,80%以下(无冷凝)利用环境
温度范畴,+10～+30℃相对湿度，jpg
分析表现机能
「TS9000TDR」标配「TDR/TDTAnalyzer」，-10～+50℃相对湿度，80%以下(无冷凝)电源
-分析单元.AC100V(100-120)/200V(220-240)±10%，
「CADDataLink」option在CAD配线数据上确定妨碍位置的成果，250VA
-控制单元.AC100V(100-120)/200V(220-240)±10%。2，250VA
外形尺寸/重量
-分析单元，430(W)×540(D)×230(H)mm，30kg以下
光学单元，补正位相的位相变动、只抽出样品波形的特征
日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR分析体系
TDR/TDTAnalyzer的波形演算成果以及标志成果、检出的峰值表现妨碍的位置特征
5。14kg以下
-探针台，1250(W)×830(D)×650(H)mm，jpg
紧张规格
项目规格THz-TDR/TDT性能通道数
TDR，450(W)×580(D)×200(H)mm。15kg以下
-耽误线单元：450(W)×500(D)×200(H)mm，10kg以下
根本构成。
1年
是
有
1人1次培训
3月1次
免费更换零部件
24小时上门服务
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