仪器对比
关注
普通真空快速退火炉
国产
2-12英寸
300℃-1400℃
≦150℃/sec(裸片)；
30-200°C/s
±1
≦±1%
设备规格：
1.全自动操作模式，Robot自动上片取片、RFID识别；
2.双腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆，支持(300mmx300mm) 样品；
3.退火温度范围 300℃-1400℃；
4.升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；
5.温度均匀性 ≦±1%；
6.真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；
7.冷却方式包括水冷和氮气吹扫；
8.MFC控制，3-5路制程气体；
工艺应用:
快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
离子注入/接触退火；
高温退火；
高温扩散；
金属合金；
热氧化处理。
应用领域：
化合物半导体（砷化镓、氮化物、碳化硅等）；
多晶硅；
太阳能电池片；
MEMS；
功率器件；
IC晶圆；
LED晶圆。
1年
是
有
技术人员现场培训
2月1次
软件免费重装，硬件维修
24小时到达
相关产品
