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光学图形化缺陷检测设备
Candela8520第二代集成式光致发光和表面检测系统,设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测,可显著降低由外延缺陷导致的良率损失,最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差,并增加MOCVD反应器的正常运行时间。
Candela 8520检测系统采用专有的光学技术,可同时测量两个入射角的散射强度。 它可以捕捉到形貌变化、表面反射率、相位变化和光致发光,从而对各种关键缺陷进行自动检测与分类。Candela 8520为氮化镓晶圆提供表面和光致发光的缺陷检测,对氮化镓位错、凹坑和孔洞进行检测和分类,用于氮化镓反应器的缺陷控制。其功率应用包括基于碳化硅的透明晶圆检查和晶体缺陷分类,如基面位错、微管、堆叠层错缺陷、条形堆叠层错缺陷、晶界和位错,以及对三角形、胡萝卜形、滴落物和划痕等形貌缺陷进行检测。
检测宽带隙材料上的缺陷,包括直径达200毫米的碳化硅和氮化镓(衬底和外延)
支持各种晶圆厚度
对微粒、划痕、裂纹、沾污、凹坑、凸起、KOH蚀刻、胡萝卜形与表面三角形缺陷、基平面位错、堆叠层错、晶界、位错和其他宏观外延干扰进行检测
衬底质量控制
衬底供应商对比
入厂晶圆质量控制(IQC)
出厂晶圆质量控制(OQC)
CMP(化学机械抛光工艺)/抛光工艺控制
晶圆清洗工艺控制
外延工艺控制
衬底与外延缺陷关联
外延反应器供应商的对比
工艺机台监控
工艺设备监控
其他高端化合物半导体器件
SECS-GEM
信号灯塔
金刚石划线
校准标准
离线软件
光学字符识别(OCR)
光致发光
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