Electron Beam Lithography System(EBL)

电子束光刻系统

应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

技术参数：

加速电压：最高 130keV

单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电

电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm

双热控制，实现超稳定直写能力

光束直径：<1.6nm①

最小线宽：7 nm（在130kV时）

加速电压：130 kV，110 kV或90 kV

载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）

超高分辨率的电子束光刻信息由北京亚科晨旭科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于超高分辨率的电子束光刻报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。除供应超高分辨率的电子束光刻外，北京亚科晨旭科技有限公司还可为您提供其他等产品，公司有专业的客户服务团队，是您值得信赖的合作伙伴。