SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D

参考价:¥300万 - 400万
型号: SENTECH ICP -SI 500D
产地: 德国
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核心参数
北京亚科晨旭科技有限公司
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SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D

 

SENTECH仪器(德国)有限公司是国际主流的半导体设备商,研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器(反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪)和等离子工艺设备(等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统)。

SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备,利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力连续调节。

 


 

SI 500 D主要特点

适用于8寸以及以下晶片

低温沉积高质量电介质膜80°C~350°C

高速率沉积

低损伤

薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调

平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

SENTECH高级等离子设备操作软件

穿墙式安装方式


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