光刻设备

仪器信息网光刻设备专题为您整合光刻设备相关的最新文章，在光刻设备专题，您不仅可以免费浏览光刻设备的资讯， 同时您还可以浏览光刻设备的相关资料、解决方案，参与社区光刻设备话题讨论。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

光刻设备相关的资讯

  • 某国产光刻设备商公开和授权一批光刻技术专利
    近日， 合肥芯碁微电子装备股份有限公司公开和授权一批光刻技术专利。 据了解，合肥芯碁微电子装备股份有限公司(简称：芯碁微装)，成立于2015年6月，注册资本12080万元，坐落于合肥市高新区集成电路产业基地，公司专业从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发和生产。主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备。以下为专利详情：发明名称专利类型法律状态申请号申请日公开(公告)号公开 (公告)日期一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法发明授权授权CN201910534115.12019-06-20CN110275399B2021-05-07一种激光直写光刻机长辊式压板机构发明公布公开CN202011626210.32020-12-30CN112764322A2021-05-07镜头畸变补偿方法、存储介质以及直写式光刻机发明公布公开CN202011635539.62020-12-31CN112748644A2021-05-04吸盘组件和具有其的光刻机实用新型授权CN202022035008.52020-09-15CN213069472U2021-04-27成像装置和光刻机实用新型授权CN202021586260.92020-08-03CN213069471U2021-04-27一种用于直写光刻机的电机串并联系统实用新型授权CN202022234271.72020-10-09CN213069473U2021-04-27《一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法》公开了一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法，包括建立激光直接成像设备基础台面的直角坐标系；在基础台面上放置尺寸标定板，该尺寸标定板布置有至少三个MARK点，其中有三个MARK点构成的直角三角形；利用左对准相机和右对准相机测量构成直角三角形的MARK点的中心坐标；以左对准相机或右对准相机为基准相机，利用所测MARK点的中心坐标计算两对准相机的位置关系误差。本发明解决了两相机距离较远无法标定位置关系的问题。《成像装置和光刻机》公开了一种成像装置和光刻机，成像装置包括：镜筒、光学组件和运动转换件，镜筒内形成有安装腔，镜筒形成有轴向延伸的限位槽，限位槽径向贯穿镜筒的壁，光学组件设置于安装腔内，光学组件外侧设置有移动件，移动件穿设限位槽，以实现光学组件轴向移动，运动转换件可转动地套设在镜筒的外侧且与移动件相配合，以在运动转换件相对镜筒转动时驱动移动件在限位槽内轴向移动。使用该运动转换件可以将光学组件的旋转和上下两个方向的运动分开，通过运动转换件的旋转推动移动件，从而可以带动光学组件实现上下移动，这样避免了传统的直接使用螺纹旋转上下调节给成像装置的成像质量带来的各种不良影响。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。基于此，仪器信息网拟于2021年5月14日举办“半导体光刻技术与应用主题网络研讨会”，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及厂商技术人员参与本次网络研讨会，就半导体光刻技术等话题共同探讨，为广大从事半导体光刻设备和技术研发的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。（点击图片免费报名参会）
    时间： 2021-05-10
    作者： KPC
  • 各大学5亿元光刻设备采购意向汇总
    近日，科学仪器行业迎来了前所未有的利好消息。2022年9月13日，国务院常务会议决定对部分领域设备更新改造贷款阶段性财政贴息和加大社会服务业信贷支持，政策面向高校、职业院校、医院、中小微企业等九大领域的设备购置和更新改造。贷款总体规模预估为1.7万亿元。 2022年9月28日，财政部、发改委、人民银行、审计署、银保监会五部门联合下发《关于加快部分领域设备更新改造贷款财政贴息工作的通知》（财金〔2022〕99号），对2022年12月31日前新增的10个领域设备更新改造贷款贴息2.5个百分点，期限2年，额度2000亿元以上。因此今年第四季度内更新改造设备的贷款主体实际贷款成本不高于0.7%（加上此前中央财政贴息2.5个百分点）。这两大重磅政策提供极低利息的贷款给消费端提前进行设备购置和更新改造，推动我国仪器市场迎来新一波仪器采购大潮。仪器信息网注意到，10月份以来，各大高校发布了众多半导体设备采购意向。仪器信息网特汇总统计了光刻设备相关的采购意向，含激光直写设备和电子束曝光机，总预算超5亿元。光刻设备相关的采购意向汇总序号项目名称预算金额(万元)采购单位发布时间预计采购时间查看1电子束光刻机3000清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文2飞秒激光三维直写系统400清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文3激光直写设备600清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文4接触式光刻机700清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文5步进式光刻机3000清华大学2022/10/8 8:29Nov-22意向原文6自旋科技研究院购置电子束曝光系统项目498华南理工大学2022/10/8 16:35Nov-22意向原文7聚焦离子束-电子束曝光系统(FIB-EBL)820哈尔滨工程大学2022/10/9 17:08Nov-22意向原文8集成电路学院激光直写光刻机采购452.9中山大学2022/10/10 15:57Nov-22意向原文9集成电路学院接触式光刻机（微米级）采购357.7中山大学2022/10/10 15:57Nov-22意向原文10电子束光刻系统1200华南理工大学2022/10/10 17:23Nov-22意向原文11化学化工学院双光子三维激光直写系统设备采购项目400兰州大学2022/10/10 21:24Nov-22意向原文12电子束光刻系统1200华南理工大学2022/10/12 8:40Nov-22意向原文13电子与信息工程学院步进式光刻机采购项目4300中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文14电子与信息工程学院接触式曝光机采购项目330中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文15电子与信息工程学院无掩模板紫外光刻机采购项目216中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文16电子与信息工程学院无掩膜激光直写曝光机采购项目500中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文17中国药科大学微纳米光刻机（精密对位曝光系统）项目230中国药科大学2022/10/13 14:28Nov-22意向原文18光刻机3465北京化工大学2022/10/13 15:52Nov-22意向原文19微立体光刻精密加工系统260吉林大学2022/10/13 17:47Nov-22意向原文20材料学院紫外光刻机采购项目180中山大学2022/10/13 22:58Nov-22意向原文21扫描电子显微镜FEI Quanta450-电子束曝光升级模块147.6中山大学2022/10/13 22:58Nov-22意向原文22超高分辨率的电子束光刻（EBL）采购项目1600中山大学2022/10/14 9:01Nov-22意向原文23激光直写式光刻机160吉林大学2022/10/14 11:51Nov-22意向原文24激光无掩膜光刻系统200中山大学2022/10/14 16:27Dec-22意向原文25物理科学与技术学院紫外光刻机45兰州大学2022/10/14 16:51Nov-22意向原文26物理学院/部门+光刻机采购项目23兰州大学2022/10/14 16:51Nov-22意向原文27紫外掩膜曝光光刻机采购200中山大学2022/10/14 19:14Nov-22意向原文28分析测试中心无掩模激光直写系统采购项目460北京理工大学2022/10/17 13:59Dec-22意向原文29电子束光刻系统1200华南理工大学2022/10/18 8:25Nov-22意向原文30光刻机380华中科技大学2022/10/18 17:33Nov-22意向原文31无掩膜光刻200华中科技大学2022/10/18 17:33Nov-22意向原文32掩膜对准光刻机380华中科技大学2022/10/18 17:33Nov-22意向原文33电子束光刻机500山东大学2022/10/18 22:01Nov-22意向原文34分子束外延（MBE）系统真空电子束曝光（EBL）系统采购1800华南理工大学2022/10/19 8:23Nov-22意向原文35聚焦电子束光刻系统640东北师范大学2022/10/20 11:15Nov-22意向原文368寸光刻机600东南大学2022/10/20 16:00Nov-22意向原文37激光直写曝光系统450浙江大学2022/10/25 14:17Nov-22意向原文38DUV塔尔博特光刻680同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文39电子束光刻机3500同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文40激光直写设备750同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文41双面对准光刻机450同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文42光刻机420华中科技大学2022/10/28 14:30Dec-22意向原文43掩膜对准光刻机420华中科技大学2022/10/28 14:30Dec-22意向原文44电子束曝光系统297北京大学2022/10/28 15:04Dec-22意向原文45高分辨掩膜光刻机采购390西南大学2022/11/1 20:27Dec-22意向原文46中国科学院大学集成电路学院计算光刻软件采购项目140中国科学院大学2022/11/2 16:21Nov-22意向原文47超高精密微立体光刻加工系统279厦门大学2022/11/2 17:01Dec-22意向原文48双光子灰度对准光刻机690天津大学2022/11/3 13:24Dec-22意向原文49无掩膜光刻机320天津大学2022/11/3 13:24Dec-22意向原文50电子束曝光机维保160中国科学院微电子研究所2022/11/3 19:55Nov-22意向原文51光刻机360吉林大学2022/11/4 8:26Dec-22意向原文52物理学院原位光谱激光直写加工系统600北京航空航天大学2022/11/5 12:57Dec-22意向原文53高精度电子束曝光机870北京师范大学2022/11/7 18:55Dec-22意向原文54集成电路学院电子束曝光机采购1400中山大学2022/11/9 15:51Dec-22意向原文55TX-电子束曝光（EBL）1800华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文56TX-对准光刻与晶圆键合机490华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文57TX-高精度无掩膜光刻机500华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文58TX-晶圆划片道直写填充装备420华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文59TX-深紫外光刻机(DUV)4200华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文60激光直写光刻机400浙江大学2022/11/10 14:56Dec-22意向原文61面向国家“卡脖子”技术需求的工业芯片设计与制造全流程技术平台--X-射线衍射仪、紫外光刻机、步热分析仪500东北大学2022/11/10 18:35Dec-22意向原文62台式微纳结构高速直写系统180华东师范大学2022/11/11 8:46Nov-22意向原文
    时间： 2022-11-11
    作者： KPC
  • 传俄罗斯2028年量产7nm光刻设备
    据外媒Tomshardware报导，一家俄罗斯研究单位正在研究开发自己的半导体微影光刻设备，预计该设备可以被用于7纳米制程芯片的生产上。整个计划预计在2028年完成，而且一旦完成之后，其设备可能会比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML开发Twinscan NXT:2000i的时间超过了10年。报导表示，俄罗斯政府推出了一项国家计划，到2030年开发出自己的28纳米制程技术，并尽可能利用外国芯片进行逆向工程取得技术，同时也要培养本土人才从事国产芯片的生产工作。根据俄罗斯所发表的计划，俄罗斯科学院下属的俄罗斯应用物理研究所（Russian Institute of Applied Physics，IAP）预期，到2028年研发且量产出具有7纳米制造能力的微影光刻设备。报导指出，俄罗斯即将开发量产的设备，将与ASML或NIKON等公司生产的微影光光设备有所不同。例如，IAP计划使用大于600W的光源，曝光波长为11.3nm（EUV波长为13.5纳米），这将需要比现在更复杂的光学元件。由于该设备的光源功率相对较低，这将使该工具体积更紧凑，因此更容易制造。然而，这也意味着其微影光刻设备的芯片产量将大大低于现代深紫外（DUV）微影光刻设备。但IAP表示，这将不会是问题。就现阶段来说，32纳米以下的制程技术，制造商目前主流采用的是所谓的沉浸式微影光刻设备。ASML于2003年底推出了其第一款沉浸式微影光刻设备-Twinscan XT:1250i，并在2004年第三季交货一台设备，用以生产65纳米逻辑芯片和70纳米等级的DRAM。之后，该公司花了大约5年时间，于2008年底宣布推出之支援32纳米的Twinscan NXT:1950i，沉浸式微影光刻设备，并于2009年开始向客户交货。以上说明，代表当前的技术领先者ASML大约花了9年的时间，才在2018年交货其支援7纳米和5纳米制程的Twinscan NXT:2000i DUV微影光刻设备。再从ASML的产品发展历程来看，从65纳米制程发展到7纳米制程，总计用了14年的时间。现在，在芯片生产方面没有任何经验或与芯片制造商没有任何联系的俄罗斯IAP，打算在大约6年的时间里从头开始制造一套支援7纳米制程的微影光刻设备，并进一步进行量产，虽然这个计划听起来实在不太可行，但看起来IAP却是充满了热情。根据发展时程，IAP计划在2024年之前建造一个功能齐全的首代微影光刻设备。这个微影光刻设备不必提供高生产率，或最大解析度，但必须能运作，使其对潜在投资者有吸引力。之后，IAP打算在2026年之前制造出具有更高生产力和解析度的微影光刻设备的测试版。这时这套机器应该要可以量产晶圆，但预计其生产力不会达到最大。至于，俄罗斯规划的微影光刻设备终极版本将在2028年问世，其不但要能获得高性能光源，并且具有更好的计算量测和整体能力。不过，目前尚没有公布IAP与其生产合作伙伴将要生产多少套此类设备。
    时间： 2022-10-24
    作者： KPC
查看更多资讯

光刻设备相关的方案

查看更多方案

光刻设备相关的论坛

  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求：a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件，再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头，在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵，国内一般科研单位需通过外协解决，延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求，近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模，用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后，用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作为光刻用的掩模，基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来，使用湿法刻蚀微细加工的报道较多，适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用，使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层，即可在基片上得到所需构型的微通道；(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔，作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后，在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时，只有含氢氟酸的蚀刻剂可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺，刻蚀气体分子在高频电场作用下，产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼，利用它和被刻蚀材料之间的化学反应，达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶)，低温烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后显影，在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来，也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • 光刻机工作原理和组成

    光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有30多层。http://www.whchip.com/upload/201608/1471850877761920.png 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面，简单介绍一下图中各设备的作用。测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

查看更多帖子

光刻设备相关的资料

查看更多资料

光刻设备相关的仪器

  • EVG 单面/双面光刻机 610 科研设备 400-860-5168转4552
    EVG610单面/双面光刻机 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG610是一款非常灵活的、适用于研发和小批量试产的对准系统，可处理200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺，例如：真空、软、硬接触和接近曝光；也支持其他特殊的应用，如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。EVG610系统中的工具更换非常简便快捷，每次更换都可在几分钟之内完成，而不需要专门的工程人员和培训，非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统（MEMS）、硅片凸点、化合物半导体等领域，涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 支持背面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u 最小化的占地面积u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制） 四、技术参数设备咨询电话：欢迎您的来电咨询！
    留言咨询
    厂商： 北京亚科晨旭科技有限公司
    品牌： EVG/EV Group (EVG)
    型号： EVG610
    价格： 面议
  • 魔技纳米桌面级无掩膜直写光刻设备 400-860-5168转4830
    魔技纳米UV-Smart桌面级无掩膜直写光刻设备专为实验室科研需求和小批量生产设计。其小巧紧凑的设计使其适用于实验室环境，并具有高直写速度、高分辨率和高对准精度等特点。采用集成化设计和全自动控制，操作简便，适合快速加工、建模或小批量生产。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等领域。如需了解更多产品信息，欢迎查询我司官网 魔技纳米科技或来电咨询。 [企业介绍]魔技纳米科技创立于2017年，是一家高精度微纳三维装备制造与服务提供商、国家高新技术企业、省专精特新企业。主要业务为高端激光微纳三维直写光刻设备的研发、生产、销售及技术服务等。研发团队拥有十余年微纳三维制造技术经验，在光学、电气、机械、软件、材料等方面，拥有完整的自主开发能力，可以为多行业应用场景提供专业的一体化解决方案。企业推出了高精度纳米级3D打印设备、超快激光加工中心、无掩膜直写光刻设备三大系列及多款光刻胶产品，其中自主研发的商用纳米级三维激光直写系统，可实现70纳米精度的三维结构加工。凭借高精度、高速度、大幅面和长时稳定性等技术优势，实现了科研探索到商业化应用的跨越，有力推动了微纳三维制造在生物医疗、光电通信、新材料、微纳器件、航空航天等领域的规模化工业生产。
    留言咨询
    厂商： 烟台魔技纳米科技有限公司
    品牌： 魔技纳米/MOJI-NANO
    型号： UV-Smart
    价格： 面议
  • 魔技纳米高性能无掩膜直写光刻设备 400-860-5168转4830
    魔技纳米UV-Ultra高性能无掩膜直写光刻设备UV-Ultra是一款专为高端和工业级应用而设计的高性能无掩膜直写光刻设备。它采用先进的超高速加工方式，采用自研算法和高性能硬件，实现更高的对准、拼接和套刻精度。具备高直写速度和高分辨率，适用于快速、精准的加工需求。MN-UV-Ultra采用集成化设计和全自动控制，操作简便，适用于高达12英寸的基材。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等领域。如需了解更多产品信息，欢迎查询我司官网 魔技纳米科技或来电咨询。 企业介绍 魔技纳米科技创立于2017年，是一家高精度微纳三维装备制造与服务提供商、国家高新技术企业、省专精特新企业。主要业务为高端激光微纳三维直写光刻设备的研发、生产、销售及技术服务等。研发团队拥有十余年微纳三维制造技术经验，在光学、电气、机械、软件、材料等方面，拥有完整的自主开发能力，可以为多行业应用场景提供专业的一体化解决方案。企业推出了高精度纳米级3D打印设备、超快激光加工中心、无掩膜直写光刻设备三大系列及多款光刻胶产品，其中自主研发的商用纳米级三维激光直写系统，可实现70纳米精度的三维结构加工。凭借高精度、高速度、大幅面和长时稳定性等技术优势，实现了科研探索到商业化应用的跨越，有力推动了微纳三维制造在生物医疗、光电通信、新材料、微纳器件、航空航天等领域的规模化工业生产。
    留言咨询
    厂商： 烟台魔技纳米科技有限公司
    品牌： 魔技纳米/MOJI-NANO
    型号： UV-Ultra
    价格： 面议
查看更多仪器

光刻设备相关的耗材

  • 无掩膜光刻机配件
    无掩模光刻机配件具有无掩模技术的便利，大大提高影印和新产品研发的效率，节省时间，是全球领先的无掩模光刻系统。无掩模光刻机配件特色尺寸：925x925x1600mm直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上内置计算机控制接口激光光源：375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置无掩模光刻机配件参数线性写取速度：500mm/s重复精度： 100nm晶圆写取面积：1—6英寸衬底厚度：250微米-10毫米激光点大小：1-100微米准直精度：500nm
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 微流控芯片光刻机系统配件
    微流控芯片光刻机系统配件专业为微流控芯片制作而设计，用于刻画制作微结构表面。微流控芯片光刻机采用多功能一体化设计理念，一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能，而且不需要无尘环境，用户安装使用不再需要单独建设超净间，从而大大提高用户的使用经济性和方便性。 微流控芯片光刻机全自动化和可编程操作，适合几乎所有常用材料，可以根据用户的芯片衬底基片尺寸，形状和厚度进行调节。微流控芯片光刻机是一种无掩模光刻系统，具有两个易操作的软件，用户可以创建个人微结构图案，从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。微流控芯片光刻机具有技术突破性设计和灵活性优势，非常适合加工微纳结构用于MEMS，BioMEMS，微流控系统，传感器，光学元件，MicroPatterning微图案化，实验室单芯片，CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。这款无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构，从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管（波长405纳米- 50毫瓦），光学扫描器和F-θ透镜（405纳米）。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用，较好的再现性和较高的质量，焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用，修改或其他用户使用。 编号 名称 MSUP 基于无掩模光刻系统和湿法刻蚀技术的微结构化表面的单位生产。
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 非晶硅激光刻膜机配件
    超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
查看更多耗材

光刻设备相关的试剂

查看更多试剂

看了这个的用户还看了

Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ，All Rights Reserved版权所有，未经书面授权，页面内容不得以任何形式进行复制