光刻技术

近日， 合肥芯碁微电子装备股份有限公司公开和授权一批光刻技术专利。 据了解，合肥芯碁微电子装备股份有限公司(简称：芯碁微装)，成立于2015年6月，注册资本12080万元，坐落于合肥市高新区集成电路产业基地，公司专业从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发和生产。主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备。以下为专利详情：发明名称专利类型法律状态申请号申请日公开(公告)号公开 (公告)日期一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法发明授权授权CN201910534115.12019-06-20CN110275399B2021-05-07一种激光直写光刻机长辊式压板机构发明公布公开CN202011626210.32020-12-30CN112764322A2021-05-07镜头畸变补偿方法、存储介质以及直写式光刻机发明公布公开CN202011635539.62020-12-31CN112748644A2021-05-04吸盘组件和具有其的光刻机实用新型授权CN202022035008.52020-09-15CN213069472U2021-04-27成像装置和光刻机实用新型授权CN202021586260.92020-08-03CN213069471U2021-04-27一种用于直写光刻机的电机串并联系统实用新型授权CN202022234271.72020-10-09CN213069473U2021-04-27《一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法》公开了一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法，包括建立激光直接成像设备基础台面的直角坐标系；在基础台面上放置尺寸标定板，该尺寸标定板布置有至少三个MARK点，其中有三个MARK点构成的直角三角形；利用左对准相机和右对准相机测量构成直角三角形的MARK点的中心坐标；以左对准相机或右对准相机为基准相机，利用所测MARK点的中心坐标计算两对准相机的位置关系误差。本发明解决了两相机距离较远无法标定位置关系的问题。《成像装置和光刻机》公开了一种成像装置和光刻机，成像装置包括：镜筒、光学组件和运动转换件，镜筒内形成有安装腔，镜筒形成有轴向延伸的限位槽，限位槽径向贯穿镜筒的壁，光学组件设置于安装腔内，光学组件外侧设置有移动件，移动件穿设限位槽，以实现光学组件轴向移动，运动转换件可转动地套设在镜筒的外侧且与移动件相配合，以在运动转换件相对镜筒转动时驱动移动件在限位槽内轴向移动。使用该运动转换件可以将光学组件的旋转和上下两个方向的运动分开，通过运动转换件的旋转推动移动件，从而可以带动光学组件实现上下移动，这样避免了传统的直接使用螺纹旋转上下调节给成像装置的成像质量带来的各种不良影响。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。基于此，仪器信息网拟于2021年5月14日举办“半导体光刻技术与应用主题网络研讨会”，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及厂商技术人员参与本次网络研讨会，就半导体光刻技术等话题共同探讨，为广大从事半导体光刻设备和技术研发的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。（点击图片免费报名参会）

1、 会议流程：会议时间：2023年8月28-31日会议地址：青岛鑫江温德姆酒店会议承办单位：青岛天仁微纳科技有限责任公司日期时间地点内容备注8月28日星期一全天一楼大厅报到，签到会务组酒店签到11:30-13:00指引已报到的参会嘉宾自助午餐会务接待组14:00-17:00二楼华润厅青少年科普课堂：《微电子微光刻科学技术知识的宣贯、播种、科学普及教育从娃娃抓起的亲子活动》及《以魔方为例谈谈学习方法的重要性的科普活动》和《魔方与现代科学及魔方与标准化的研究》。“魔方爷爷”17:30-18:00技术交流 海德堡仪器公司技术专家董越先生《创新先进技术-双光子聚合(TPP)实现3D微光刻及微型打印》。光映科技公司18:30-21:00欢迎晚宴8月29日星期二6：30-8:00一楼餐厅自助早餐至10：00结束大床房 双早双床间 双早8:30-12:00一楼鑫江厅全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会（TC203/SC4）年会暨第十三届微光刻技术交流会开幕式：1）主办单位领导致欢迎辞。2）青岛市领导致辞。3）承办单位领导致欢迎辞。4）微光刻分委会秘书长 有关委员会《三十年历程及十年磨一剑》简介。5）集体照微光刻技术交流报告6) 湖南大学段辉高教授：《力学辅助光刻及其应用》。7）苏州大学陈林森教授：《微纳光制造（数字光刻/智能纳米压印）》8）中国科学院上海高等研究院X射线光学技术实验室副主任吴衍青研究员《上海光源 EUV光刻胶检测技术新进展》9）北京大学物理学院副研究员朱振东老师：《氮化硅微腔光频梳器件关键技术》10）神光光学集团有限公司首席科学家，神光研究院曹海平院长：《神光光学用于微光刻的玻璃材料和元件》。11）中国科学院光电技术研究所研究员王建老师：《面向特种芯片的光刻技术与装备》主持人：微光刻分技术委员会主任委员冯稷主任主持人：湖南大学段辉高教授主持人：清华大学李群庆教授12:00-13:00二楼华润厅自助午餐GenIsys公司13:30-18:00一楼鑫江厅半导体设备和材料及先进光刻技术交流会1） 青岛天仁微纳科技有限责任公司事业发展经理 Massimo Tormen：Manufacturing advanced photonic devices needs reliable nanoimprinting lithography solutions。2)海德堡仪器公司Nano AG/杨菲博士：《纳米扫描热探针直写技术（NanoFrazor）》一种可应用于纳米尺度科学研究的纳米制造技术。3)锐时科技（北京）有限公司副总经理朱军先生：《Raith Nanofabracation Application Updates 2023》。4) Genlsys公司亚太总监陈利奇先生：《GenlSys Update 2023》。5）清华大学刘泽文教授：《光刻技术回顾与展望》。6) 中国科学院微电子研究所研究员夏洋老师：《集成电路工艺装备及科教融合》。7) 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员张志宇老师：《大幅面微纳结构光学表面制造技术》。8) 江苏长进微电子材料有限公司总经理王凯先生：《新型高分辨率电子束光刻胶和用于三层结构新型显影工艺》。9) 长飞石英技术 (武汉) 有限公司销售副总监肖畅先生：《微光刻用合成石英材料开发进展与应用》。10) 矽万 (上海）半导体科技有限公司陈硕先生：《基于3D光刻的曲面衬底非球面微透镜阵列》。11) 苏州锐材半导体有限公司销售经理江茜女士：《SOI晶圆和其它晶圆键合新材料》。12) 深圳清力技术有限公司实验平台负责人潘旭捷先生：《深圳超滑技术实验平台微纳米工艺介绍》。13) 纳糯三维科技 (上海) 有限公司总经理崔万银博士：《双光子灰度光刻技术在微光学器件中的应用》。14) 中国科学院微电子研究所杨尚老师《数字化掩模灰度光刻的建模与仿真》。15) 福建省水电科学研究院刘辉文老师：《电位限制式电子束投影光刻技术的新进展》主持人：清华大学刘泽文教授主持人：上海交通大学程秀兰教授18:00-20:00二楼华润厅晚宴Raith 锐时科技公司20:00-21:00一楼鑫江厅Genlsys公司用户会8月30日星期三6：30-8:00一楼餐厅自助早餐至10：00结束大床房 双早双床间 双早8:30-12:00一楼鑫江厅微光刻标准化分技术委员会年会1）纳米压印国家标准制定工作组筹建情况介绍。包括工作组成员及主要起草单位和主要起草人介绍。2）关于“纳米压印国家标准”申请立项书草案。3）“纳米压印国家标准”初稿草案。4）其它有关纳米压印技术建议。2023-2024年两届承办方交接牌仪式2023年第十三届承办单位青岛天仁微纳科技有限责任公司董事长冀然先生交会牌，致感谢词；2024年第十四届承办单位中国科学院上海高等研究院X射线光学技术实验室副主任吴衍青研究员接会牌，致欢迎词。微光刻分技术委员会主任委员冯稷主任12:00-13:00二楼华润厅自助午餐神光光学集团13:00-17:00待定重要的调研参观考察待定18:00-20:00二楼华润厅欢送晚宴青岛天仁微纳科技有限责任公司8月31日星期四6:00-10:00一楼餐厅自助早餐至10：00结束大床房 双早双床房 双早9:00-12:00退房参会嘉宾返程会务组2、 交通信息参考会议地点：青岛鑫江温德姆酒店（青岛市城阳区黑龙江中路220号）路线建议：1、飞机：青岛胶东国际机场——青岛鑫江温德姆酒店网约车：40.3公里，【时长：37分钟，总费用：80元左右】；地铁-公交：地铁8号线（胶东机场地铁站--青岛北站）--地铁1号线（青岛北站--仙家寨）--A2出口步行6分钟至汽车北站，乘坐即青1号线（汽车北站--仙山东路黑龙江路）-青岛鑫江温德姆酒店，【时长：1小时42分钟，总费用：8元】；地铁-打车：地铁8号线（胶东机场地铁站--青岛北站）--地铁1号线（青岛北站--仙家寨）--A3出口打车至青岛鑫江温德姆酒店，【时长：1小时23分钟，总费用：17元】；2、 高铁：（1）青岛北站——青岛鑫江温德姆酒店网约车：12公里，【时长：20分钟，总费用：30元左右】；地铁-公交：地铁1号线（青岛北站--仙家寨）--A2出口步行6分钟至汽车北站乘坐即青1号线（汽车北站--仙山东路黑龙江路）-青岛鑫江温德姆酒店，【时长：50分钟，总费用：4元】；地铁-打车：地铁1号线（青岛北站--仙家寨）--A3出口打车至青岛鑫江温德姆酒店，【时长：33分钟，总费用：13元】；（2）青岛站——青岛鑫江温德姆酒店网约车：29公里，【时长：35分钟，总费用：53元左右】；地铁-公交：地铁1号线（青岛站--仙家寨）--A2出口步行6分钟至汽车北站乘坐即青1号线（汽车北站--仙山东路黑龙江路）-青岛鑫江温德姆酒店，【时长：1小时15分钟，总费用：6元】；地铁-打车：地铁1号线（青岛站--仙家寨）--A3出口打车至青岛鑫江温德姆酒店，【时长：58分钟，总费用：16元】。青岛鑫江温德姆酒店--喆啡酒店打车：6分钟，费用约9元步行：1.5公里，约20分钟附件：青岛部分热门景点市南沿海一线（五四广场、奥帆中心、情人坝、小麦岛公园、燕儿岛山公园游玩线路比较集中，建议已一条线路游玩）★酒店—五四广场酒店步行500米到达西小水公交站台乘坐公交车502路（市政府南通路方向）10站到市政府南通路公交站台下车，步行15分钟即到五四广场。★五四广场—奥帆海洋文化旅游区—情人坝—燕儿岛山公园—小麦岛公园以五四广场为沿海一线游玩起点，五四广场导航指引步行10分钟即到奥帆海洋文化旅游区，步行20分钟即到情人坝，步行30分钟即到燕儿岛山公园，步行50分钟即到小麦岛公园；★栈桥景区酒店步行500米到达仙山东路黑龙江路公交站台乘坐公交车即青1号线（汽车北站方向）2站到汽车北站公交站台下车，步行230米至仙家寨（汽车北站）地铁站（王家港方向）乘坐地铁1号线乘19站青岛站G口方向即到★中山公园—八大关风景区酒店步行260米到达黑龙江中路仙山东路公交站台乘坐公交车103路（李村站方向）19站到李村站公交站台下车，步行220米至李村地铁站（青岛站方向）14站中山公园地铁站A口出步行500米即到中山公园。中山公园步行10分钟即到八大关风景区。★崂山风景区酒店步行500米到达西小水公交站台乘坐公交车502路（市政府南通路方向）3站到黑龙江中路枣山路站公交站台下车，步行200米至枣山路地铁站乘坐地铁2号线（泰山路方向）乘5站站内换乘地铁11号线（钱谷山方向）9站北九水地铁站B1口出站即到。石老人海水浴场★即墨古城酒店步行500米到达仙山东路黑龙江站台乘坐公交车即青1号线（汽车城公交枢纽站方向）7站到得利电器公交站台下车，同站换成即墨2006路（永昌公交总站方向）14站到即墨古城（西门）公交站★金沙滩风景区酒店步行260米到达黑龙江中路仙山东路公交站台乘坐公交车941路（临时站方向）11站到重庆中路瑞金路公交站台下车，步行250米至瑞金路地铁站（王家港方向）21站山里地铁站C口出到达山里地铁站公交站乘坐公交车黄岛4路（灵山卫公交枢纽站方向）5站到电影学院公交站台下车即到。参会方式：返回回执即可（邮箱请查看回执）第二轮回执表.doc

光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂（或称光刻胶）的硅片上，通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。随着技术的发展，光刻技术不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些光刻技术。掩模光刻掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。相较于接触式光刻和接近式光刻技术，投影式光刻技术更加先进，通过投影的原理能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下获得更小比例的图像，从而实现更精细的成像。目前，投影式光刻在最小线宽、对位精度、产能等核心指标方面能够满足各种不同制程泛半导体产品大规模制造的需要，成为当前 IC 前道制造、IC 后道封装以及 FPD 制造等泛半导体领域的主流光刻技术。根据光源不同，掩模光刻机还可以分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。为了提供波长更短的光源，极紫外光源（EUV）为业界采用。目前主要采用的办法是将二氧化碳激光照射在锡等靶材上，激发出13.5 nm的光子，作为光刻机光源。目前仅有由荷兰飞利浦公司发展而来的ASML（阿斯麦）一家可提供可供量产用的EUV光刻机。这是目前最先进的光刻技术。X射线光刻X射线因为波长很短，所以几乎没有衍射效应，所以很早就进入了光刻技术研发的视野内，并且在八十年代就有了X射线光刻。九十年代，IBM在美国佛蒙特州建了一条采用同步辐射光源的X射线光刻机为主力的高频IC生产线，美国军方为主要客户。而当年X射线光刻技术，是当时的下一代光刻技术的强有力竞争者。后来随着准分子激光和GaF透镜技术的成熟，深紫外光刻技术延续了下去，在分辨率和经济性上都打败了X射线光刻。X射线光刻就退出了主流光刻技术的竞争。现在用X射线光刻的，主要是LIGA技术，用来制造高深宽比结构的一种技术，可以制造出100:1的深宽比，应用于MEMS技术当中。由于X射线准直性非常好，传统的X射线光刻，是1:1复制的。掩模版使用的是硅梁支撑的低应力氮化硅薄膜，上面有一层图形化的金，作为掩蔽层。曝光方式采用扫描的方式，效率不高。X射线光源最大的优势在于他可以做出高深宽比的图形，但是最大的问题也是由于他的穿透性太强导致了无法用透镜进行放大和缩小，因此图形尺寸和掩模版的尺寸相同，所以X射线光刻过分依赖电子束光刻掩模版的精度，故目前没有大量普及。离子束光刻离子束投影曝光系统的结构和工作原理与光学投影曝光的结构与原理类似，所不同的是曝光粒子是离子、光学系统采用离子光学系统，而掩模版则由可通过和吸收离子的材料制备。离子束曝光掩模版通常采用Si材料制成投射/散射式的二相掩模版技术。离子束投射光学系统一般也采用4：1缩小的投射方式，透镜实际上是一个可对离子进行聚焦作用的多电极静电系统。常见的离子束光刻技术包括聚焦离子束光刻（FIB）和离子投影光刻（IPL）。FIB系统采用液态金属离子源，加热同时伴随着一定的拔出电压获得金属离子束，通过质量选择器来选择离子，通过电子透镜精细聚焦的金属离子，在偏转线圈的作用下，形成扫描光栅。离子束可通过溅射对样品进行表面成像。聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸(与电子束直写光刻技术类似。不需要掩膜板，应用高能粒子朿直写。离子投影曝光( lPL)是将平行的离子束穿过掩膜，将缩小的招膜图形投射到基底上，使用PMMA光刻胶。当具有一定能量的离子撞击靶材表面时两者之间会发生一系列的交互作用,其中包括膨胀、刻蚀、沉积、铣削、注入、背散射和形核反应等。主要用于制作修复掩膜版和对晶直接光刻。但离子束光刻存在离子源制备，掩膜板畸变，衬底工艺损伤，效率低等问题，很难在生产中作为曝光工具应用，目前主要用作VISI中的掩模修补工具和特殊器件的修整。电子束曝光电子束曝光（EBL）始于上世纪60年代，是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用，使胶由长（短）链变成断（长）链，实现曝光，相比于光刻机具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。电子束曝光主要有可变矩形电子束曝光系统、电子束投影光刻技术、大规模平行电子束成像三种技术。电子束曝光是电子光学、机械、电子技术、计算机及半导体工艺集成，包含了检测与定位、环境控制、超高真空、计算机控制、系统控制软件、多功能图形发生器、激光定位工件台和电子光学柱8个子系统，其中电子光柱体、图形发生器和激光工件台是关键部件。纳米压印技术纳米压印技术是一种新型的微纳加工技术。该技术通过机械转移的手段，达到了超高的分辨率，有望在未来取代传统光刻技术，成为微电子、材料领域的重要加工手段。纳米压印技术，是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。报道的加工精度已经达到2纳米，超过了传统光刻技术达到的分辨率。这项技术最初由美国普林斯顿大学的Stephen. Y. Chou（周郁）教授在20世纪90年代中期发明。由于纳米压印技术的加工过程不使用可见光或紫外光加工图案，而是使用机械手段进行图案转移，这种方法能达到很高的分辨率。报道的最高分辨率可达2纳米。此外，模板可以反复使用，无疑大大降低了加工成本，也有效缩短了加工时间。因此，纳米压印技术具有超高分辨率、易量产、低成本、一致性高的技术优点，被认为是一种有望代替现有光刻技术的加工手段。热探针扫描技术热扫描探针光刻（t-SPL）是近年来新开发出的一种光刻技术，其与当今的电子束光刻（EBL）相比具有更多的优势：首先，热光刻显改善了二维晶体管的质量，抵消了肖特基势垒，阻碍了金属与二维衬底交界处的电子流动；与电子束光刻（EBL）不同，热光刻技术使芯片设计人员能够轻松地对二维半导体进行成像，之后在需要的地方对电极进行图案化； 此外，热扫描探针光刻（t-SPL）制造系统有望在初期节省成本；最后，通过使用平行热探针，能够轻松地将该热制造方法推广到批量的工业生产当中。成本更低，有望成为当今电子束光刻的替代品。激光直写技术激光直写技术是一种近年来应用广泛的超精密加工技术。激光直写是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光，显影后在抗蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓。激光直写系统的基本工作原理是由计算机控制高精度激光束扫描，在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形，从而把设计图形直接转移到掩模上。激光直写技术主要用于制作平面计算全图、掩模、微透镜、微透镜阵列、Fresnel微透镜、Fresnel波带板、连续位相浮雕的闪耀光学元件等，制作工艺己经逐渐成熟。激光直写技术的发展趋势是从直角坐标写入系统到极坐标写入系统，直至多功能写入系统；从基片小尺寸到大尺寸，从平面写入到球面、柱面以及曲面；从利用光刻胶材料到聚合物以及其他特殊工艺材料；写入元件的特征尺寸从几百微米到亚微米；元件制作时间从几天到几小时甚至几分钟；从制作二值图样到写入连续浮雕轮廓 从光学元件到微电子、集成电路、集成光学器件等；从发达的国家到发展中国家，并己经应用到空间光学、光通讯、光学显示等领域，为DOE和微电子、微光学、微机械器件的制作提供了一种新的制作设备。多光子聚合光刻技术双光子聚合是物质在发生双光子吸收后所引发的光聚合过程。双光子吸收是指物质的一个分子同时吸收两个光子的过程，只能在强激光作用下发生，是一种强激光下光与物质相互作用的现象，属于三阶非线性效应的一种。双光子吸收的发生主要在脉冲激光所产生的超强激光的焦点处，光路上其他地方的激光强度不足以产生双光子吸收，而由于所用光波长较长，能量较低，相应的单光子过程不能发生，因此，双光子过程具有良好的空间选择性。一般利用双光子聚合制造3D打印机，可以实现突破传统光学衍射极限的增材制造。不过，华中科技大学的甘棕松教授发明的超分辨纳米光刻技术利用光刻胶双光子吸收特性，采用双束光进行光刻，一束为飞秒脉冲激光，经过扩束整形进入到物镜，聚焦成一个很小的光斑，光刻胶通过双光子过程吸收该飞秒光的能量，发生光物理化学反应引发光刻胶发生固化；另外一束为连续激光，同样经过扩束整形后，进入到同一个物镜里，聚焦形成一个中心为零的空心状光斑，与飞秒激光光斑的中心空间重合，光刻胶吸收该连续光的能量，发生光物理化学反应，阻止光刻胶发生固化。两束光同时作用，最终只有连续光空心光斑中心部位的地方被固化。甘棕松教授目前已经把空心光斑中心部位最小做到9nm，至此突破光学衍射极限的超分辨光刻技术在常规光刻胶上得以完美实现。光刻机国产化现状虽然各种光刻技术不断涌现，但相比于传统的紫外掩模光刻技术而言，大都在工业量产中都无法完全克服生产效率低、对准精度低、分辨率低等缺点。目前，应用较多的光刻技术主要为EUV、DUV等掩模光刻技术，用于工业量产，也是最受关注的光刻技术。公开资料显示，中国最强的光刻机生产商是上海微电子装备公司（SMEE），主要研发DUV光刻机，目前其最先进的SSA600/20光刻机分辨率可达90nm。上海微电子是国内唯一从事研发、生产以及销售高端光刻机的公司，也是全球第四家生产IC前道光刻机的公司。在2020年，金融局走访调研上海微电子时，上海微电子预计将于2022年交付首台28nm工艺国产沉浸式光刻机，国产光刻机将从此前的90nm制程一举突破到28nm制程。上海微电子在中端先进封装光刻机和LED光刻机领域技术领先，先进封装光刻机国内市场占有率高达80%、全球市场占有率达40%，LED光刻机市场占有率第一。实际上，02专项要求实现半导体设备28nm制程的国产化，目前国望光学的物镜、科益虹源的光源、华卓精科的双工件台、启尔机电的浸液系统等零部件都已实现突破，只差上海微电子光刻机集成。位于北京亦庄的国产验证28nm产线也预计明年投产，届时上海微电子的28nm光刻机有望导入产线，实现28nm光刻设备的国产化替代。此外，国产EUV量产型光刻机目前仍在开发中，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在2016年验收了原理技术样机，合工大已开发出DPP-EUV光源，但功率较低。电子束光刻目前国内主要由电工所在开发，但相比于国际厂商还存在差距。而纳米压印技术国内的主要厂商为青岛天仁微纳，现已成为纳米压印领域市场占有额超过95%的头部企业，建立了自主知识产权的核心技术与专利壁垒，设备销售遍布国内知名大学科研院所和企业。激光直写光刻设备主要国产厂商包括江苏速影、合肥芯碁等，与国际巨头Heidelberg、矽万等相比，技术差距正逐渐缩小。光刻设备的国产化不仅推动了半导体产业的进步，同时也推动了国产仪器市场的发展。笔者从其他渠道了解到，上海微电子也采购了某国产双频激光干涉仪。由于最早国产的先进前道光刻机由国企上海微电子（SMEE）开启研制，2007年上海微电子大量采用外国关键零部件集成了90 nm干式投影光刻机。后因《瓦森纳协定》的限制，关键部件被国外“卡脖子”而失败。随着国内仪器设备的技术进步，上海微电子通过采购国产零部件集成先进的光刻机，促进了国产仪器市场发展。目前，主流光刻设备厂商包括，ASML、Nikon、Canon、上海微电子、合肥芯碁、Heidelberg、江苏速影、矽万、SUSS、苏大维格、Veeco、光机所、EVG、ABM、苏州源卓、合肥芯硕、长春长光中天、中国电科、大族激光、中山新诺等。更多仪器请查看以下专场【光刻机】【电子束刻蚀】。