材料与器件

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  • 直播预告!第三届半导体材料器件研究与应用网络会议之光电材料与器件
    仪器信息网讯 光电材料是目前半导体行业的研究热点之一,其包含了较多的研究方向,主要有有机光电材料和无机光电材料两方面。有机光电材料中目前热门的是有机太阳能电池,而无机光电材料中则是钙钛矿太阳能电池。前者由于设计性高,质量轻,可大面积制造等优点一直受到科研人员的广泛青睐,近年来发展也非常迅速。后者因其优异的光电转换效率可媲美硅基太阳能电池,所以一直是《Nature》、《Science》等世界顶级期刊中的常客。仪器信息网将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议,会议分设光电材料与器件研究与应用、第三代半导体研究与检测技术、传感器与半导体产业配套材料研究与检测技术三个专场。邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表,以线上分享报告、在线与网友交流互动形式,为同行搭建公益学习互动平台,增进学术交流。为回馈线上参会网的支持,增进会议线上交流互动,会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节,欢迎大家报名参会。同时,只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》(独家首发)一本,报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期,还有部分赞助厂商将抽取幸运观众,邮寄企业周边产品。(兑奖方式见文末)本次会议免费参会,报名链接:https://insevent.instrument.com.cn/t/5ia或扫描二维码报名光电材料与器件研究与应用专场会议日程:时间报告题目演讲嘉宾专场1:光电材料与器件研究与应用(12月20日)9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond苏思伟(Waters -TA部门 TA仪器热分析高级技术专家)10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技(上海)有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖:神秘奖品+红包13:30半导体材料发展与机遇慕容素娟(大话芯片 总编)14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星(江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理)14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技(中国)有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静(北京理工大学 特别副研究员)15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇(吉林大学 副教授)直播抽奖:神秘奖品+红包嘉宾介绍:北京大学教授 肖立新肖立新,日本东京大学博士毕业,现为北京大学物理学院教授,博士生导师。英国皇家化学学会会士,中国材料学会太阳能分会秘书长、 国际信息显示学会(SID) 中国北区执委会学术副主席。研究方向:有机光电子学,长期从事光电功能材料及器件方面的研究,如有机发光材料及其器件,光伏材料及其器件物理等。研究成果:主持过多次国家自然科学基金,承担973项目子课题。已发表论文150余篇及申请专利共30余件,SCI他引4500余次,入选2020全球前2%顶尖科学家“年度影响力”榜单。编著《钙钛矿太阳能电池》(第一、二版),译著《有机电致发光-从材料到器件》,参与编著《锂离子电池》。2015年度教育部自然科学一等奖(第一完成人,高效有机蓝光材料及其介观结构发光器件研究)。【摘要】铅基钙钛矿的毒性阻碍了其在光电子学中的广泛应用。由于载流子寿命长和稳定性好,无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6被认为是一种很有前途的候选者[1-2]。然而,相对较大的1.98 eV带隙限制了其在可见光区的吸收。鉴于此,我们掺铁将Cs2AgBiBr6的吸收扩展到具有中波段的近红外区域 (≈1350 nm)的研究成果[5]。Fe2+被选为掺杂剂以合金化成Cs2AgBiBr6单晶,并导致吸收范围扩大至≈1350 nm,这是无铅钙钛矿中记录的最长近红外(NIR)响应。大约1%的Fe离子合金化到Cs2AgBiBr6晶格中,导致晶格收缩。正如三次谐波生成结果所证实的那样,Fe掺杂不会缩小其本征带隙,而是会在Cs2AgBiBr6的原始带隙内引入一个新的中间带,以强烈吸收近红外光。此外,在近红外照射下,在Fe掺杂的Cs2AgBiBr6晶体中产生了大量的光生载流子。这项工作为扩展用于近红外电探测器和中间带光伏器件的无铅钙钛矿的光学响应提供了一种新方法。TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟北京航空航天大学材料科学与工程学院硕士,现任美国TA仪器热分析高级应用专家。负责中国南方区的热分析应用技术支持,教授热分析技术培训课程几十场,长期从事各类材料的热分析、力学性能表征及失效分析等工作。以第一作者身份发表在《Matter》的仿生材料研究被《每日科学》等多家国际媒体报道。牛津仪器科技(上海)有限公司应用科学家 王汉霄2021年获英国曼彻斯特大学博士学位,随后加入牛津仪器纳米分析部,负责EDS、EBSD、OmniProbe和WDS技术推广及应用支持。博士期间主要通过HRDIC-EBSD-ECCI联用技术研究金属材料在亚微米尺度的塑性变形行为。【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数,决定了材料的稳定性和最终使用性能,报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。南京工业大学先进材料研究院教授 王琳南京工业大学先进材料研究院教授、博士生导师、国家海外高层次青年人才引进计划入选者。2009年在武汉大学获得学士学位, 2013年在香港科技大学获得博士学位,2014年起在瑞士日内瓦大学从事博士后工作,2017年被南京工业大学聘请为教授和博士生导师。主要研究新型低维纳米材料的生长制备、量子输运、光电特性和存储器件,探讨和发现不同种类材料中的微观电子行为及器件性能。目前已发表学术论文近50篇,以第一作者/通讯作者身份在Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Today等发表论文20余篇。曾荣获国际先进材料学会IAAM奖章(International Association of Advanced Materials)、欧洲材料学会青年科学家奖 (Young Scientist Award)、国家青年千人、江苏特聘教授、江苏省“六大人才高峰”高层次人才A类、首届国家级江北新区“十大杰出青年”、中国青少年科技创新奖等荣誉,担任国际先进材料协会会员、欧洲先进材料大会科学顾问委员、柔性电子材料与器件工信部重点实验室学术委员会委员、中国激光杂志社青年编委、江苏省青年联合会委员、江苏省青年科技工作者协会会员等社会兼职。【摘要】 二维材料由于极限超薄厚度、超强量子效应、匹配硅基工艺等,近年来受到学术界的广泛关注。我们聚焦二维材料在异质界面工程的独特优势,利用多维界面生长新型二维材料,利用界面组合产生新奇发光特性,利用界面器件设计优越光电性能,具体包括:(1)界面生长新材料:利用一步滴涂法制备二维碘化铅纳米薄片,并利用碘化铅和有机分子形成的固气界面,实现了多种杂化钙钛矿的灵活制备和异质组装;利用杂化钙钛矿同时具有晶向明确的无机骨架和易于自组装的有机配体,实现了三维和二维钙钛矿之间的室温定向自组装,展现了独特的界面应变效应和发光特性。(2)界面衍生新物性:通过将手性和非手性钙钛矿纳米片组合成范德华异质结,实现了非手性钙钛矿圆偏振光特性的产生、调控和提升;通过研究单层WSe2与其他二维材料组成异质结构的变温荧光光谱,发现了巨大层间剪切热形变的新奇热力学特性和作用机制.(3)界面设计新器件:基于二维半导体和杂化钙钛矿的异质界面工程,制备了基于二维材料的中红外发光二极管、具有优异光电探测性能的微纳光电器件和基于极简结构的超低功耗存储器和整流存储一体化器件.大话芯片总编 慕容素娟大话芯片总编。先后出版书籍《芯人物》一册和二册、《中国智慧家庭产业创新启示录》。曾就职于华为公司;后跨界进入媒体领域,先后在《中国电子报》、《集微网》等行业媒体,专注半导体全产业链10余年。【摘要】 半导体材料的发展历程,全球半导体材料的产业格局,中国半导体材料的发展机遇江西兆驰半导体有限公司芯片研发经理 张星星毕业于北京科技大学,材料物理化学系硕士。目前担任江西兆驰半导体有限公司研发中心经理,一直从事和负责氮化镓材料及相关发光器件的光电特征研究和高亮度高效率蓝光以及白光半导体发光二极管的产品技术研发工作,在正装、倒装、垂直、Mini/Micro RGB等芯片领域有着丰富的研发经验【摘要】 GaN材料可应用于分立器件,包含光电器件、功率器件等,在光电器件领域有着广泛的应用,主要是LED发光二极管,应用于家用和商用照明、植物照明、车灯、紫外消毒、背光显示等领域,Mini和Micro显示作为LED的未来发展之路,拥有独立的三原色芯片,发光像素单元为自发光微米量级的LED,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD、OLED相比,在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势 。安捷伦科技(中国)有限公司原子光谱应用工程师 应钰毕业于东华大学应用化学专业,有超过4年国际顶级高纯电子材料行业从业经验,主要从事电子化学品的分析工作,掌握不同类型电子化学品的分析难点,以及复杂问题的解决;加入安捷伦后,作为原子光谱应用工程师,重点专注于半导体高纯材料的无机元素分析,材料类型涵盖半导体产业链的各个环节,包括高纯度的湿化学品,硅材料以及其他种类的高纯金属材料,擅长分析过程中污染控制,干扰去除,以及降低仪器背景等环节,对于低浓度的超痕量分析测试积累了丰富的实战经验。北京理工大学特别副研究员 魏静北京理工大学,预聘副研究员,2012年于电子科技大学集成电路设计与集成系统专业获得学士学位,2017年于北京大学微电子与固体电子专业获得博士学位。2019年7月加入北京理工大学材料学院材料物理与化学系。主要从事新能源材料与器件、钙钛矿光电材料与器件等研究。以第一作者身份在Nat.Commun., Adv. Mater., Adv. Energy Mater. Nano Energy等杂志发表论文15篇,其中ESI高被引论文2篇,ESI热点论文3篇,总被引次数超过600。研究领域:新型能源材料与器件;钙钛矿光电材料与器件;微纳加工。【摘要】 钙钛矿太阳能电池(PSCs)的光电转换效率已经超过25%,但寿命依然低于工业所需的20年,严重限制了其商业应用。目前报道的多数钙钛矿电池在水分、光照、热或其他因素的干扰下都会严重失效。聚合物在钙钛矿器件中可起到界面修饰、水氧隔离等作用。本工作系统研究了钙钛矿薄膜的退化机理,采用聚合物矩阵策略,设计并优化了钙钛矿光伏器件的电子传输层,通过开发新型紫外惰性电子传输材料及低温介孔结构,来提高PSCs在潮湿环境或光照下的工作稳定性。制备了ITO/UV惰性ETL/ Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45/Sprio-MeOTAD/Au结构的太阳能电池,其光电转换效率达到22%,光稳定性得到明显改善。优化后的器件在AM1.5G(氙灯)持续光照,最大功率点电压下工作120小时后,依然保持95%以上的初始性能。在进一步的工作中,需要深入研究PSCs的复杂降解机理,在此基础上开发更具针对性的薄膜改性方法和新型器件结构。吉林大学副教授 张晓宇聚焦低维发光材料与器件,发表SCI论文80余篇,其中14篇入选ESI高被引论文,SCI他引6300余次,单篇最高他引600余次,H因子36。【摘要】 Perovskite light-emitting materials have become a very hot topic in research in recent years, mainly due to their high color purity and high electroluminescence efficiency. To address the shortcomings of low efficiency and poor stability of perovskite nanocrystal light-emitting diodes (LEDs), we have focused on the nucleation, growth, and defect formation mechanisms of perovskite nanocrystals, and the carrier transport mechanisms of corresponding LEDs. We have obtained high performance perovskite nanocrystal luminescent materials by solvent engineering, surface passivation, construction of quasi-core-shell structure and doping, and improved the performance and stability of LEDs by combining structural design, interface engineering, ligand optimization, crystallization control and other solutions.兑奖方式:1) 直播间抽奖中奖后,凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖;2) 分享朋友圈兑奖,凭借朋友圈点赞截图,联系直播助手领取《2021年度科学仪器行业发展报告》扫码加直播助手微信
  • 宁波材料所在中低温区热电材料与器件领域获进展
    热电技术可实现热能与电能直接相互转换,具有纯固态、无噪音、无运动部件等优点,在诸如深空探测等领域已实现重要应用。当前热电技术规模化应用瓶颈在于转换效率偏低,中国科学院宁波材料技术与工程研究所光电热功能材料与器件团队聚焦热电性能优化、器件设计制备以及系统集成应用研究,并取得了一系列进展。针对当前唯一实现商用化的Bi2Te3热电材料,该团队利用大数据优选具备纳米活性的笼状物材料进行第二相掺杂,实现了电声差异散射,进一步设计缺陷工程掺杂提升功率因子,解决了该类体系中电-热强烈耦合的共性问题,制备了工业级(40mm)高性能样品(热电器件效率较商业产品提升约75%)。相关成果以High-Performance Industrial-Grade p-Type (Bi,Sb)2Te3 Thermoelectric Enabled by a Stepwise Optimization Strategy为题,发表在《先进材料》(Advanced Materials 2023, e2300338)上。针对中温区典型材料SnTe和GeTe,该研究提出了中熵工程的优化方案,设计了适当的固溶元素和固溶浓度精确调控体系的结构熵,提升了材料功率因子并降低晶格热导率,实现了电-热输运的部分解耦。得益于电声输运性能协同优化,SnTe峰值ZT达到1.5@800K,平均ZT达到0.8(300-800K),为该体系当前报道最高值;GeTe峰值ZT达2.12@650K,均值ZT高达1.43(300-773K)。相关成果分别以High-Performance Thermoelectric Material and Module Driven by Medium-Entropy Engineering in SnTe和Enhanced Thermoelectric Performance in GeTe by Synergy of Midgap state and Band Convergence为题,发表在《先进功能材料》(Advanced Functional Materials 2022, 32, 2205458/2023, 33, 2212421)上。针对中高温区类金刚石银基/铜基材料,该团队对于令人困惑的热导率异常问题进行了理论澄清。研究通过探讨原子轨道、晶体场、局域四面体畸变等因素对电子结构的影响发现,在银基材料(AgBX2)中存在阴离子与两种阳离子成键强度的错配,由此引起强烈的非简谐性晶格振动,导致银基材料晶格热导率较铜基材料(CuBX2)低50%-80%。相关成果以Mismatched atomic bonds and ultralow thermal conductivity in Ag-based ternary chalcopyrites为题,发表在《物理评论B》(Physical Review B 2023, 107, 115202)上。研究工作得到国家自然科学基金、中国科学院青年创新促进会、浙江省高水平人才专项支持计划、浙江省自然科学基金和浙江省重点研发计划的支持。图1.(a)ZT值对比及工业级样品实物图;(b)器件示意图及最大转换效率对比图2.(a)同时实现高载流子迁移率和低晶格热导率;(b)共振能级和能带收敛示意图图3.(a)CuInTe2/AgInTe2电子态密度以及各元素轨道分波电子态密度;(b)两种材料的晶格热导率计算与实验对比
  • 宁波材料所近红外热活化延迟荧光材料与器件研究获进展
    近红外有机发光二极管(NIR-OLEDs)在生物成像、防伪、传感器、远程医疗、显微摄影、夜视显示等方面颇具实际应用价值,已成为有机电致发光器件的重要发展方向之一,而热活化延迟荧光(TADF)材料可以实现100%激子利用率,其量子效率可媲美基于贵重金属的磷光材料,具有应用潜力。受能隙定律的影响,近红外发光材料的基态(S0)和第一单态激发态(S1)势能面接近,近红外发光材料普遍存在严重的非辐射失活现象,在聚集态中表现得尤为严重。非掺杂器件在面板显示和一般照明应用中具有良好的重复性、高稳定性和低成本等优点以及商业化潜力。鉴于TADF材料具有强的分子内电荷转移(ICT)特征,在非掺杂条件下可较易获得深红色甚至近红外发射,因此亟需开发出光亮的NIR-TADF非掺杂材料。  近日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员葛子义和副研究员李伟等开发了一种在非掺杂条件下即可实现高效率的NIR-TADF,基于该材料的NIR-OLED最大外量子效率为9.44%,发光峰位于711nm,是目前已报道的基于TADF材料的NIR-OLED最高效率之一。科研团队探究了TADF材料的材料结构、发光特性与聚集态之间的关系。一般认为,非晶态薄膜的无序程度高于有序排列的单晶,薄膜中光团的光致发光量子产率(PLQYs)普遍高于晶体态。已知TADF分子的非辐射淬灭主要受Dexter能量传递(DET)机制主导下的分子间电子交换作用。DET过程的短程特性,在高浓度下会发生激子湮灭,故分子填充模式的微小变化可能对光电子性能产生影响,甚至决定光团的光物理性能。因此,研究团队设计了T-β-IQD单晶来深入探究材料在结晶态和未掺杂态下的高发光量子产率的机理。x射线晶体学分析表明,T-β-IQD具有面对面的堆积结构,且相邻有较大的层间滑动,TIQD晶体呈“头尾”排列。根据Kasha激子模型,T-β-IQD的二聚体跃迁偶极子与对应偶极子对齐方向的夹角(θ)分别为24.92°,为J型聚集体形式,可以提高辐射衰减率。在T-β-IQD晶体中,同时存在分子内和分子间CNH-C和C-Hπ协同作用(图1)。这种适度的分子内C-Hπ相互作用可以锁住β-TPA供体上的分子内叔丁基苯单元和萘,高度限制它们在结晶态下的旋转。同时,在晶体和共轭骨架中没有观察到明显的π-π堆积接触,这降低了浓度淬灭效应(ACQ)。根据DET机制,T-β-IQD晶体的邻腈核之间的远距离(8.50)有望抑制延迟荧光(DF)和三态激射灭(图2)。此外,在TIQD晶体中,相邻的IQD段之间形成了距离为3.35的强分子间π-π相互作用,表明相对于T-β-IQD晶体,分子间的堆积更为紧密,且具有严重的非辐射衰变。分子动力学(MD)模拟表明,T-β-IQD的受体面与二聚体对齐方向的夹角(θ)为27.5°,T-β-IQD在非晶态下倾向于以J-聚集体形式堆积。T-β-IQD的吡咯核间距为4.1。T-β-IQD的平面受体之间距离较大,避免了浓度猝灭效应。T-β-IQD分子的平面受体片段呈现角度错位排列,未观察到明显的共面堆叠,这将有助于抑制非掺杂薄膜中的ACQ效应。  在稀释THF溶液中,T-β-IQD几乎不发射,而当水分数(fw)增加到60%时,PL强度迅速增加,表现出明显的聚集诱导发光(AIE)特征(图2)。T-β-IQD在固体状态下表现出几乎与浓度无关的特性。这种独特的优点可以归结于它的RIR原理的AIE效应、具有C-Hπ和CNH-C分子间相互作用的J聚集性质以及晶体态的大中心到中心距离,这提高了非掺杂薄膜和基于材料的发射效率。  相关研究成果以Highly Efficient Near-Infrared Thermally Activated Delayed Fluorescent Emitters in Non-Doped Electroluminescent Devices为题,作为热点文章发表在《德国应用化学》上。研究工作得到国家杰出青年科学基金、国家重点研发计划、国家自然科学基金、宁波市科技创新2025重大专项等的支持。

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  • 20余位行业大咖,与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    20余位行业大咖,与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候,中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时,中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时,或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时,中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时,或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够,甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中,中国半导体材料人就更不能不在意了!  半导体材料作为半导体行业的最下游,从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料,中国和国际先进水平差距巨大。但是,中国也有了较为全面的产业基础,以及庞大的半导体材料研究队伍,尤其在先进半导体材料研究方面,近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面,中国市场强劲牵引下,也呈现快速发展的态势。  国务院密集出台各项政策,支持中国半导体产业发展,鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期,国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展,中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”,聚焦半导体材料与器件的产业热点方向,促进和推动半导体行业的发展。[align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align]  会议日程:[table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术(上)[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font] [font=宋体]钟新林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center]PerkinElmer[font=宋体]在半导体制程中的检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司技术专家[/font] [font=宋体]华瑞[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]布鲁克(北京)科技有限公司应用经理[/font] [font=宋体]黄鹤[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多公司半导体行业检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多产品专员[/font] [font=宋体]李玉琪[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:30--12:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]InP[font=宋体]基光子集成材料与器件及标准代工平台[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]赵玲娟[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]12:00--13:30[/align][/td][td=2,1,361][align=center][font=宋体]午休[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]Si[font=宋体]基[/font]GaN[font=宋体]材料的[/font]MOCVD[font=宋体]外延生长及杂质缺陷研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]北京大学高级工程师[/font] [font=宋体]杨学林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]荷兰[/font]Delmic[font=宋体]公司应用专家[/font]Sangeetha Hari[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]电子级水在半导体行业中的应用及解决方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]默克化工技术(上海)有限公司高级应用专家[/font] [font=宋体]李子超[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]日立电子显微镜在半导体分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]日立高新技术(上海)国际贸易有限公司经理[/font] [font=宋体]周鸥[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]暨南大学教授[/font] [font=宋体]谢伟广[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授[/font] 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  • 20余位行业大咖,与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候,中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时,中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时,或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时,中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时,或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够,甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中,中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]  半导体材料作为半导体行业的最下游,从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料,中国和国际先进水平差距巨大。但是,中国也有了较为全面的产业基础,以及庞大的半导体材料研究队伍,尤其在先进半导体材料研究方面,近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面,中国市场强劲牵引下,也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]  国务院密集出台各项政策,支持中国半导体产业发展,鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期,国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展,中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”,聚焦半导体材料与器件的产业热点方向,促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]  会议日程:[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术(上)[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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  • 20余位行业大咖,与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&] 当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候,中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时,中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时,或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时,中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时,或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够,甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中,中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]  半导体材料作为半导体行业的最下游,从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料,中国和国际先进水平差距巨大。但是,中国也有了较为全面的产业基础,以及庞大的半导体材料研究队伍,尤其在先进半导体材料研究方面,近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面,中国市场强劲牵引下,也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]  国务院密集出台各项政策,支持中国半导体产业发展,鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期,国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展,中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 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[font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font][font=宋体]钟新林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center]PerkinElmer[font=宋体]在半导体制程中的检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司技术专家[/font] [font=宋体]华瑞[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]布鲁克(北京)科技有限公司应用经理[/font] [font=宋体]黄鹤[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多公司半导体行业检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多产品专员[/font] [font=宋体]李玉琪[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:30--12:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]InP[font=宋体]基光子集成材料与器件及标准代工平台[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]赵玲娟[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]12:00--13:30[/align][/td][td=2,1,361][align=center][font=宋体]午休[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]Si[font=宋体]基[/font]GaN[font=宋体]材料的[/font]MOCVD[font=宋体]外延生长及杂质缺陷研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]北京大学高级工程师[/font] [font=宋体]杨学林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]荷兰[/font]Delmic[font=宋体]公司应用专家[/font]Sangeetha Hari[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]电子级水在半导体行业中的应用及解决方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]默克化工技术(上海)有限公司高级应用专家[/font] [font=宋体]李子超[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]日立电子显微镜在半导体分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]日立高新技术(上海)国际贸易有限公司经理[/font] [font=宋体]周鸥[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]暨南大学教授[/font] [font=宋体]谢伟广[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授[/font] [font=宋体]李露颖[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术(下)[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]氧化镓基半导体器件研究进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]复旦大学青年研究员[/font] [font=宋体]刘文军[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]高纯半导体材料的无机元素分析[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]安捷伦科技(中国)有限公司原子光谱应用工程师[/font] [font=宋体]应钰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center]HORIBA[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体光电子外延材料国产化[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]江苏华兴激光科技有限公司总经理[/font] [font=宋体]罗帅[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体器件研发、应用及分析检测技术[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]双模微腔激光器及其应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]黄永箴[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅光通信与互连:一种变革性的技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]杨林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王晓东[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院电工研究所副所长[/font][font=宋体]韩立[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体][color=#333333]半导体产业现状及相关检测技术进展[/color][/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体][/font][color=#333333]国家半导体器件质量监督检验中心副主任 席善斌[/color][font=宋体][/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅基[/font]III-V[font=宋体]族光电器件及其缺陷的表征[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员[/font][font=宋体]樊士钊[/font][/align][/td][/tr][/table][font=&]  [/font][b]报名链接(点击下方链接皆即可报名)[/b][font=&]:[/font][font=&]  [/font][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs[/url]

材料与器件相关的资料

材料与器件相关的仪器

  • 柔性材料与器件测试系统--线材扭转一、产品简介 柔性电子的出现为经典电子学的发展提供了新的方向,触发了新形态电子设备的产生。然而,电子材料与器件由刚向柔转变过程中,传统的刚性测试方法变得无法完全适应,而相匹配的柔性测试体系对推进柔性电子行业的发展变得必不可少。 在柔性电子材料与器件的测试过程中,尤其是在柔性电子材料与器件开发验证的初期阶段,发展一种高自由度的模块化柔性材料与器件测试系统,对于提升开发验证效率和降低测试成本具有重要意义。 二、产品特性 大角度扭转 (5400°)线径适应性广高可靠性(百万次)自适应性(过程中受拉力相同) 三、适用范围 电缆、 电线、 电导纤维、 带子、 导管线性 材料的扭转测试。 四、运行方式 五、产品参数 项目参数样品线径(mm)1-10样品长度(mm)0-150弯曲角度(°)0-5400扭转力(N)5.0弯曲速度(。/s)0-1080重复次数(次)10000000重量(Kg)15 六、产品尺寸
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  • 柔性材料与器件测试系统--薄膜扭转一、产品简介 柔性电子的出现为经典电子学的发展提供了新的方向,触发了新形态电子设备的产生。然而,电子材料与器件由刚向柔转变过程中,传统的刚性测试方法变得无法完全适应,而相匹配的柔性测试体系对推进柔性电子行业的发展变得必不可少。 在柔性电子材料与器件的测试过程中,尤其是在柔性电子材料与器件开发验证的初期阶段,发展一种高自由度的模块化柔性材料与器件测试系统,对于提升开发验证效率和降低测试成本具有重要意义。 二、产品特性 高可靠性(百万次)样品自适应性 (过程中受拉力相同,无弯折)可扩展性(光学、电学性能测试辅助系统) 三、适用范围 薄膜、涂层、柔性显示屏、有机发光器件、平面可穿戴产品、柔性印刷电路、扁平电缆等柔性材料与器件的扭转测试。 四、运行方式 五、产品参数项目参数样品厚度(mm)0-1样品大小(mm2)Max(210* 300)弯曲角度(° )0-90°弯曲力(N)5.0弯曲速度( ° /s)0-1080重复次数(次)10000000重量(Kg)16 六、产品尺寸
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  • 柔性材料与器件测试系统--大曲率卷绕一、产品简介 柔性电子的出现为经典电子学的发展提供了新的方向,触发了新形态电子设备的产生。然而,电子材料与器件由刚向柔转变过程中,传统的刚性测试方法变得无法完全适应,而相匹配的柔性测试体系对推进柔性电子行业的发展变得必不可少。 在柔性电子材料与器件的测试过程中,尤其是在柔性电子材料与器件开发验证的初期阶段,发展一种高自由度的模块化柔性材料与器件测试系统,对于提升开发验证效率和降低测试成本具有重要意义。二、产品特性测试零应力无表面摩擦大曲率、大面积样品(样品尺寸和曲率可调)高稳定性 三、适用范围 薄膜、涂层、柔性显示屏、有机发光器件、RFID、可穿戴电子、FPC、柔性印刷电路等柔性材料与器件的弯曲测试。四、运行方式 五、产品参数 项目参数样品厚度(mm)0-3样品宽度(mm)200样品长度(mm)270扭转速度(mm/s)0-60扭转力(N.m)5.0卷曲半径 (mm)2.5-50重复次数(次)10000000重量(Kg)20 六、产品尺寸
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材料与器件相关的耗材

  • 微型电子器件插件、X-断面观测插件
    微型电子器件插件采用特制夹具将微型电子器件、太阳能电池以及其他晶片状材料固定在样品杯中,使其免遭到破坏。测试后,样品可以完好无损的取下,重新回到制备环节中去,或者参与其他损耗检测。微型电子器件插件与金像样品杯结合使用,可以直接将样品固定于插件上。不需要在背面粘附样品或者样品表面接触,通过倾斜的夹钳将样品牢固的固定在插件上,16 个夹钳均匀施力,不会造成样品的损坏。X-断面观测插件适合于涂层以及多层半导体器件等断口、断面的观测。与传统的耗时又费钱的树脂镶嵌相比,这种办法简单而快速,且不需要螺丝等其它工具来固定样品。X-断面观测插件与金像样品杯结合使用。借助X-断面观测插件,样品固定在特制夹具中,无需其他辅助工具,可以迅速而简便的对样品的位置进行调整。X-断面观测插件保留样品断面的原始状态,无需抛光,使得观测完毕后样品可重新使用或进行其它检测。
  • 五铃光学元器件定制加工
    1)玻璃非球面透镜 非球面透镜可以解决目前球面镜片所带了的畸变和像差,也可以减少成像系统的体积,提高系统的整体成像质量。已被广泛应用于医疗设备、精密仪器、航空航天、国防科技等重要领域,代表了镜片发展的趋势。 可加工材料包括:融石英、微晶玻璃、碳化硅(陶瓷)、高分子聚合物 晶体材料(锗、硒化锌、氟化镁等) 可加工口径:1,000mm 加工面型精度可达:(P-V)1/20λ 加工表面粗糙度可达RMS:0.3nm 2)金属反射镜 大口径金属反射镜可实现各种光束收集、光束准直和光束聚焦,被广泛应用于天体观测光学装置、光谱检测、天文望远系统、瞄准仪、扩束镜、红外系统、聚光太阳能系统,投影系统以及发射/探测设备等领域。 目前的金属反射镜加工主要集中在6英寸(150mm)以内,我司加工口径达到20英寸(500mm),处于国内领先水平。 可加工材料包括:航空铝、铜、钢(镀镍)、合金 加工口径可达:500mm 加工面型精度可达:(P-V)1/4λ 加工表面粗糙度可达: 2nm 3)奇异光学 传统的光学加工仅能针对平面、球面、部分非球面进行相应面型加工,而奇异光学的发展突破了光学加工的瓶颈,可以针对不同光学表面面型进行高精度、高效率、大尺寸的加工,是目前光学零件的发展方向。 目前,我司生产的奇异光学元器件已被广泛应用于科学仪器、集成电路、天文望远等领域。产品具有大尺寸、高精度、面型复杂等特点。
  • MPI封装器件测试夹具
    产品概要:定制各种封装类型如TO220,SOT23,DFN等器件测试夹具,支持开尔文测试。基本信息: TO封装测试夹具1. 定制化封装夹具,支持Kelvin与非开尔文连接;2. 最大支持3000V 500A(脉冲,占空比小于1%);3. 适配keithley,keysight功率器件封装夹具以及其他功率测试机;4. 工作温度范围:0-25℃;5. 高温选件(0- 200℃);6. 接头可选香蕉头与螺丝接头 金手指封装夹具1. 定制化封装夹具,支持Kelvin与非开尔文连接,封装类型包括:SOD,SMA,SMB,SOP,TSSOP,QFN等;2. 支持该封装器件最大电压电流工作范围:3kV,500A(脉冲,占空比小于1%)具体根据封装类型定义;3. 适配keithley,keysight功率器件标准封装夹具;4. 工作温度范围:0-25℃;5. 高温选件(0- 200℃)技术优势:1、温度范围:-55℃ to ﹢200摄氏度2、适配主流B1505,B1506以及IWATSU测试机应用方向:应用于开尔文测试。

材料与器件相关的试剂

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