湿法刻蚀显影机

近日，芯源微披露投资者关系活动记录表指出，公司前道涂胶显影机与国际光刻机联机的技术问题已经攻克并通过验证，可以与包括ASML、佳能等国际品牌以及国内的上海微电子（SMEE）的光刻机联机应用。芯源微表示，涂胶显影机在Iline、KrF、向ArF等技术升级的过程中，主要技术难点在于涂胶显影机结构复杂，运行部件多。研发升级在技术上有很大的跨度，主要体现在颗粒污染物的控制方面，例如烘烤精 度、多腔体的一致性及均匀性、不同光刻胶的涂胶显影工艺精 细化控制，以及设备整体颗粒污染物控制等。据悉，当前，全球半导体设备市场的主要份额基本被国外厂商占据，如美国应用材料、荷兰阿斯麦、美国泛林集团、日本东京电子、美国科天等，为了突破这一卡脖子技术，近年来，国产半导体企业亦在奋力追赶，希望尽早实现国产替代。资料显示，芯源微成立于2002年，是由中科院沈阳自动化研究所发起创建的国家高新技术企业，专业从事半导体生产设备的研发、生产、销售与服务。图片来源：芯源微公告芯源微产品广泛应用于半导体生产、高端封装、MEMS、LED、OLED、3D-IC TSV、PV等领域，产品包括光刻工序涂胶显影设备和单片式湿法设备，可用于8/12英寸单晶圆处理及6英寸及以下单晶圆处理。目前，芯源微的主要客户包括中芯国际、华力微电子、长江存储、台积电、华为、上海积塔、株洲中车、青岛芯恩、长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技、华灿光电、乾照光电、澳洋顺昌等半导体知名厂商。作为芯源微的标杆产品，光刻工序涂胶显影设备成功打破国外厂商垄断并填补国内空白，其中，在集成电路前道晶圆加工环节，作为国产化设备已逐步得到验证，实现小批量替代；在集成电路制造后道先进封装、化合物、MEMS、LED 芯片制造等环节，作为国内厂商主流机型已广泛应用在国内知名大厂，成功实现进口替代。新华社此前报道，芯源微产品在匀胶显影技术领域居国内第一，达到国际先进水平。芯源微在记录表指出，公司现有的厂区已经是满负荷运转，同时新厂房也在建设当中，按照计划将于2021年4季度投入使用，届时对公司产能提升会起到非常大的作用。

2022年6月10日，沈阳芯源12寸KrF涂胶显影设备顺利入驻厦门士兰集科。作为士兰集科引入的首台国产高产能KrF涂胶显影机台，沈阳芯源产品获得了客户的高度重视和充分认可，士兰集科总经理黄军华、副总经理李文深、相关技术和商务代表，沈阳芯源公司董事长兼总裁宗润福、前道设计总监程虎、市场总监王星园以及现场服务代表出席了搬入仪式。此次沈阳芯源公司12寸高产能KrF涂胶显影量产机台的顺利交付，将会为士兰集科提供更加高端的光刻工艺解决方案及服务，为士兰集科后续高端产品稳定量产、产线升级扩产提供更为安全的供应链保障。同时，士兰集科作为中国大陆12寸晶圆特种工艺产线的领导者，也为集成电路高端设备国产化替代提供了优秀的平台和机遇。搬入仪式完成后，双方进行了深入友好的商务交流，沈阳芯源与士兰集科签署了战略合作协议。本次战略合作的达成，既是对过往双方成功合作的肯定，也是对未来深入合作的无限期许，双方也将继续携手前行，协同发展，同“芯”聚力，共创辉煌！

盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称盛美上海)（科创板股票代码：688082），一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商，今推出了支持化合物半导体制造的综合设备系列。公司的150-200 毫米兼容系统将前道集成电路湿法系列产品、后道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支持化合物半导体领域的应用，包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工艺。化合物半导体湿法工艺产品线包括涂胶设备、显影设备、光阻去胶设备、湿法蚀刻设备、清洗设备和金属电镀设备，并自动兼容平边或缺口晶圆。“随着不同市场的需求增长，化合物半导体行业正在迅猛发展。” 盛美上海董事长王晖博士表示，“通过对这个行业的调研，我们意识到，应利用现有的前道集成电路湿法和后道先进晶圆级封装湿法系列产品中重要的专业知识和技术，来提供满足化合物半导体技术要求的高性价比、高性能产品。我们认为，化合物半导体设备市场为 盛美上海提供了重要的增长机会，因为 GaAs、GaN 和 SiC 器件正成为未来电动汽车、5G 通信系统和人工智能解决方案日益不可或缺的一部分。”盛美上海的化合物半导体设备系列Ultra C 碳化硅清洗设备：盛美上海的Ultra C碳化硅清洗设备采用硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行表面氧化，并采用氢氟酸 (HF) 去除残留物，进行碳化硅晶圆的清洗。该设备还集成盛美上海的SAPS 和 Megasonix™ 技术实现更全面更深层次的清洗。Ultra C 碳化硅清洗设备可提供行业领先的清洁度，达到每片晶圆颗粒≤10ea0.3um，金属含量＜ 1E10atoms/cm3水平。该设备每小时可清洗超过 70 片晶圆，将于 2022 年下半年上市。Ultra C 湿法刻蚀设备：可为砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工艺提供＜2% 的均匀度，＜ 10% 的共面度及＜ 3% 的重复度。Ultra C 湿法刻蚀设备可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备将于 2022 年第三季度交付给某重要客户，并由其进行测试。Ultra ECP GIII 1309 设备：盛美上海的Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和后清洗腔，支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料，以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。设备实现了晶圆内和模内小于3%的均匀度和小于2% 的重复度。该设备已于 2021 年中交付给客户，并满足客户技术要求。Ultra ECP GIII 1108 设备：Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺，集成预湿和后清洗腔。设备采用盛美上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀，以提高阶梯覆盖率。它可达到晶圆内和模内＜ 3%的均匀度和＜ 2% 的重复度。腔体和工艺槽体经过专门设计，可避免金电镀液的氧化，且工艺槽体具有氮气吹扫功能，可减少氧化。该设备已于去年年底交货给关键客户。Ultra C ct 涂胶设备：盛美上海的Ultra C ct 涂胶设备采用二次旋转涂胶技术，可实现均匀涂胶。设备拥有行业领先的优势，包括精确涂胶控制、自动清洗功能、冷热板模块以及每个腔体的独立过程控制功能。Ultra C dv 显影设备：在化合物半导体工艺中，盛美上海的Ultra C dv 显影设备可进行曝光后烘烤、显影和硬烤的关键步骤。设备利用盛美上海的先进技术，可按要求实现+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度控制。Ultra C s刷洗设备：Ultra C s 刷洗设备以盛美上海先进的湿法清洗技术为基础，实现优秀的污染物去除效果。该设备通过氮气雾化二流体清洗或高压清洗实现高性能，以更有效地清洗小颗粒。此外，设备还可兼容盛美上海专有的兆声波清洗技术，以确保优良的颗粒去除效率（PRE），且不会损坏精细的图形结构。Ultra C pr 湿法去胶设备：盛美上海的Ultra C pr湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片工艺，确保高效地进行化合物半导体去胶。该设备最近由一家全球领先的整合元件制造商（IDM）订购，用于去除光刻胶，这进一步验证了盛美上海的技术优势。Ultra SFP无应力抛光设备：Ultra SFP 为传统的化学机械抛光在硅通孔 (TSV) 工艺和扇出型晶圆级封装 (FOWLP)应用提供了一种环保替代方案。在 TSV 应用中，盛美上海的无应力抛光 (SFP) 系统可通过运用专有的电抛光技术去除低至 0.2µm 的铜覆盖层，再使用传统的 CMP 进一步去除剩余铜至阻挡层，并通过湿法刻蚀去除阻挡层，从而显著降低耗材成本。对于 FOWLP，相同的工艺可以克服由厚铜层应力引起的晶圆翘曲，并应用于RDL中铜覆盖层并平坦化 。