有机场效应晶体管

仪器信息网有机场效应晶体管专题为您整合有机场效应晶体管相关的最新文章,在有机场效应晶体管专题,您不仅可以免费浏览有机场效应晶体管的资讯, 同时您还可以浏览有机场效应晶体管的相关资料、解决方案,参与社区有机场效应晶体管话题讨论。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

有机场效应晶体管相关的耗材

  • CS526 pH传感器
    用途:CS526 pH传感器采用具有先进水平的ISFET(场效应晶体管)技术,内置了一个镀银/氯化银-氯化钾参比系统。ISFET技术是当前最先进的pH值检测技术,能够有效降低极端pH条件下的酸性或碱性测量误差,这使得CS526 pH传感器可以在含有腐蚀性化学品、生物制剂的水体环境中正常工作,而这是传统的玻璃材料的pH探头所无法实现的。特点:采用创新性设计的ISFET技术,可用于极端pH环境下;全密封设计,易清洗,有效防止积垢、污染;比传统的玻璃制pH传感器更耐磨,适合于野外的长期观测;设计优良,制作精湛,环境适应性强;每个探头经过单独出厂测试;符合ISO900、CE标准;具备全温度补偿功能。技术规格:pH量程1~14 pH供电5 VDC耗电最大15 mA输出串行TTL逻辑,2400bps,8个数据位,无奇偶校验,1个停止位精度±0.2 pH(10~40℃)工作温度10~40℃24小时漂移0.15 pH(温度25℃时pH7的溶液15分钟后)承受水压0~700 kPa最大电缆长度100米传感器材质聚醚醚酮尺寸长度102毫米×直径16毫米重量318克(带3米电缆)产地:美国
  • CS526 pH传感器
    Campbell Scientific Inc.最新推出的CS526 pH计采用具有先进水平的场效应晶体管技术(Ion-sensitive field-effect transistor,ISFET),内置了一个镀银/氯化银-氯化钾参比系统。ISFET技术是当前最先进的pH值检测技术,能够有效降低极端pH条件下的酸性或碱性测量误差,这使得CS525可以在含有腐蚀性化学品、生物制剂的水体环境中正常工作,而这是传统的玻璃材料的pH探头所无法实现的。 特点:  ◆ 采用创新性设计的ISFET技术,可用于极端pH环境下  ◆ 全密封设计,易清洗,有效防止积垢、污染  ◆ 比传统的玻璃制pH传感器更耐磨,适合于野外的长期观测  ◆ 设计优良,制作精湛,环境适应性强  ◆ 与Campbell的数据采集器有良好兼容性  ◆ 每个探头经过单独出厂测试  ◆ 符合ISO900、CE标准  ◆ 具备全温度补偿功能 技术参数:  pH量程:0~14  电压:+5VDC  电流:15mA  测量时间:200ms500ms  输出:串行TTL,8 bit,2400 bps  精度:±0.2pH(10~40℃时)  工作温度:10~40℃  允许液体压力:0~700kPa(0~101.5psi)  最大电缆长度:100m  材质:聚芳醚醚酮  尺寸:长10.2cm,直径1.6cm  重量:318g(含3.3m电缆) 产地:美国
  • 电光Q开关
    这套电光Q开关系统由高压Q开关电源/时序控制器,高压脉冲输出模块和Q开关/普克尔盒组成。为了产生偏振光,也可以再增加一个高功率格兰偏振器。这套电光Q开关系统使用了先进的高压场效应晶体管电路,转换速度高达5ns,适合的工作频率最高达5KHz, 这套电光Q开关系统是一种多功能,高可靠性,操作简单的电光系统。在中科院上海光机所,复旦大学,南开大学,哈尔滨工业大学,山东大学等单位大量广泛使用。5048型电光Q开关系统使用高可靠性的Q开关电源可以在各种情况下工作,Q开关电源输出脉冲电压而不改变其波形。 电光Q开关系统配备了独特的FET高压输出Q开关电源开关,可以保证在输出各种电压的情况下保持其上升时间不变。而且,可以从电源的面板上手动调节高压转换模块的输出脉冲电压,非常方便地与半波电压和四分之一电压匹配。这套电光Q开关系统可以选配如下普克尔盒晶体材料:KD*P晶体:适合300-1100nm的激光 LiNbO3晶体:适合700-2500nm的激光 其中,对于KD*P晶体而言,如果激光光斑直径大于8mm,或峰值功率密度大于750MW/cm2(10ns 脉冲),建议选择对KD*P工作面进行Sol Gel 增透镀膜。而LiNbO3Q开关建议用于高重复频率(100pps)和低峰值功率密度(250MW/cm2)的激光。 5048型电光Q开关系统构成:高压电源/时序控制器/Q开关电源,高压输出模块,各种连线和接头,LiNbO3 普克尔盒或 KD*P普克尔盒5048型电光Q开关系统参数:(说明:这套Q开关系统比较适合1064nm激光,其他波长的激光应用请与我们联系)主要特色: Q开关电源脉冲电压高达8KV 电光Q开关系统重复频率高达5KV 电光Q开关系统全固态,上升时间小于10ns 波长范围300-2500nm 可使用KD*P,CdTe,BBO, LiNbO3和其他Q开关材料Q开关电源可增加EMI/RFI抑制功能,以及外腔使用的高压驱动器等附件。电光Q开关系统符合欧洲CE标准,安全可靠电光Q开关系统 (含Q开关电源,普克尔盒)参数波长范围:LiNbO3: 700-2500nm KD*P: 300-1100nm光学透过率:LiNbO3: 99℅ KD*P: 98.5℅ (增透镀膜时)光学转换速度:5ns建议的峰值功率密度(无热点):LiNbO3开关: 最大 250MW/cm2 KD*P开关: 850MW/cm2 (10ns 脉宽)输出脉冲重复频率:1Hz-5KHz输出脉冲延迟:35微秒—1毫秒输出脉冲抖动:+/-0.2℅ of setting +1ns输出脉冲抖动(直接触发高压脉冲模块):1ns电力要求:100-130V 或190-240V 50/60Hz AC高压电源/时序发生器尺寸:8x11x11英寸标准输出脉冲模块尺寸:2.5x3x6英寸领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!

有机场效应晶体管相关的仪器

  • 仪器简介:特性和优点: 持久耐用的设计 与一次性的袖珍pH计不同,哈希公司的miniLab袖珍pH计使用的是打不碎的非玻璃硅芯片传感器,几秒内即可给出稳定的读数。作为非玻璃探头H系列家族中的一员,miniLab测定仪使用的是ISFET(离子敏场效应晶体管)传感器技术,在硅片衬底上选择性沉积几层专有的覆盖层。最后一层只吸附氢离子。在传感器表面上或靠近传感器表面的氢离子的数量将会引起电场效应,该效应可被检测,测量值表示为pH。所有的miniLab测定仪都具有防水功能,可自动进行温度补偿,即使体积很小的样品也可以测量。可更换的参比电极可进一步延长测定仪的使用寿命。 无需维护 传感器可在干燥的环境中存储,因此不需要使用填充溶液。若要清洗测定仪,只需使用牙刷和清洗剂溶液即可。测定仪使用完毕后,只需把传感器保护盖重新盖好即可。 可在受限制或苛刻的环境中操作 非玻璃的pH探头在食品和饮料、教学实验室、环境研究、医疗、制药、农业和石化等应用领域中,使用非常方便,耐用,且性能优秀。 三种型号 所有的型号都具有左侧所描述的优点,但在校准、显示和分辨率方面有些差异
    留言咨询
  • 匀胶机产品特点: 1、稳定的转速和快 速启动,可保证胶厚度的一 致性和均匀性;2、转速在12000rpm/sec范围内稳定,美国国家标准技术研究院(NIST)认证过;3、采用PLC控制,速度可调节,在启动之后一般工艺先以低速运转使胶摊开,然后自动变到高速运转,步骤转速及相应的时间分别可调; 4、数据模拟:匀胶实验时将一组设定的涂胶速度和时长数值输入系统,系统会据此计算出速度设定方案,带有速度随 时间变化的曲 线;5、数据记录:为了提 高实验的可重复性,设备会在数据记录模式下,实时记录下前一 次工艺过程的实验实际值,并将该组数据存储并重复调用,达到近乎一 致的可重复性;6、NPP材质耐腐蚀及抗震; 一、匀胶机性能指标:1、腔体尺寸:9.5英寸 (241 毫米);2、Wafer芯片尺寸:10-150mm直径的材料,方片125x125mm;3、转动速度至少满足0-12,000rpm,4、旋涂加速度不小于12,000rpm/sec;5、马达旋涂转速:稳定性能误差不超过±1%;6、转速精度≤1RPM,具有国际NIST标准认证,并且无需再校准;7、工艺时间设定:1-5999.9 sec/step,精度不超过0.1s;8、匀胶机材质:NPP天然聚丙烯材质,抗腐蚀性和抗化学物性,美观大方;9、高精度数码控制器:PLC控制,设置点精度小于0.006%。10、程序控制:可存储20个程序段,每个程序段可以设置51步不同的速度状态;11、配套真空泵系统:无 油型 220~240伏交流,50/60赫兹;12、配套分析软件:SPIN3000操作分析软件;13、原装进 口水平测试仪;应用领域:钙钛矿太阳能电池Perovskite solar cells有机太阳电池OPV有机光伏OLED有机发光二 极管OFET & TFT有机场效应晶体管&薄膜晶体管Graphene &2D石墨烯&二维材料Substrates衬底Materials材料
    留言咨询
  • 匀胶机产品特点: 1、稳定的转速和快 速启动,可保证胶厚度的一 致性和均匀性;2、转速在12000转/分范围内稳定,美国国家标准 技 术研究院(NIST)认 证过;3、采用PLC控制,速度可调节,在启动之后一般工艺先以低速运转使胶摊开,然后自动变到高速运转,步骤转速及相应的时间分别可调; 4、数据模拟:匀胶实验时将一组设定的涂胶速度和时长数值输入系统,系统会据此计算出速度设定方案,带有速度随 时间变化的曲 线;5、数据记录:为了提 高实验的可重复性,设备会在数据记录模式下,实时记录下前一 次工艺过程的实验实际值,并将该组数据存储并重复调用,达到近乎一 致的可重复性;6、NPP材质耐腐蚀及抗震;一、匀胶机性能指标:1、腔体尺寸:9.5英寸 (241 毫米);2、Wafer芯片尺寸:10-150mm直径的材料,方片125x125mm;3、转动速度:0-12,000rpm,4、旋涂加速度:0-12000rpm/sec(空载);5、马达旋涂转速:稳定性能误差±1 %;6、转速调节精度:0.2rpm,重复性 0.2rpm;7、工艺时间设定:1-5999.9 sec/step 0.1精度;8、匀胶机材质:NPP天然聚丙烯材质,抗腐蚀性和抗化学物性,美观大方;9、高精 度数码控制器:PLC控制,设置点精度小于0.006%。10、程序控制:可存储20个程序段,每个程序段可以设置51步不同的速度状态;11、分辨率:分辨率小于0.5转/分,可重复性小于±0.5转/分,美国国家标准技 术研究院(NIST)认 证过的,并且不用再校准!]12、配套真空泵系统:无 油型 220~240伏交流,50/60赫兹;13、配套分析软件:SPIN3000操作分析软件;14、原装进 口水平测试仪;应用领域:钙钛矿太阳能电池Perovskite solar cells有机太阳电池OPV有机光伏OLED有机发光二 极管OFET & TFT有机场效应晶体管&薄膜晶体管Graphene &2D石墨烯&二维材料Substrates衬底Materials材料
    留言咨询

有机场效应晶体管相关的试剂

有机场效应晶体管相关的方案

有机场效应晶体管相关的论坛

  • 【转帖】美研制出新式超导场效应晶体管

    2011年04月29日 来源: 科技日报 作者: 刘霞  本报讯(记者刘霞)据美国物理学家组织网4月28日(北京时间)报道,美国科学家使用自主设计的、精确的原子逐层排列技术,构造出了一个超薄的超导场效应晶体管,以洞悉绝缘材料变成高温超导体的环境细节。发表于当日出版的《自然》杂志上的该突破将使科学家能更好地理解高温超导性,加速无电阻电子设备的研发进程。  普通绝缘材料铜酸盐在何种情况下从绝缘态跃迁到超导态?这种跃迁发生时,会发生什么?这些问题一直困扰着物理学家。探究这种跃迁的一种方法是,施加外电场来增加或减少该材料中的自由电子浓度,并观察其对材料负载电流能力的影响。但要想在铜酸盐超导体中做到这一点,还需要构建成分始终如一的超薄薄膜以及高达100亿伏/米的电场。  美国能源部物理学家伊万·博若维奇领导的布鲁克海文薄膜研究小组之前曾使用分子束外延技术制造出这种超导薄膜,该技术在一次制造一个原子层时还能精确控制每层的厚度。他们最近证明,用分子束外延方法制造出的薄膜内,单层酮酸盐能展示出未衰减的高温超导性,他们用该方法制造出了超薄的超导场效应晶体管。  作为所有现代电子设备基础的标准场效应晶体管内部,一个半导体材料将电流从设备一端的“源”电极运送至另一端的“耗”电极;一个薄的绝缘体则作为第三电极“门”电极负责控制场效应晶体管。当在绝缘体上施加特定的门电压时,该门电极会打开或关闭。但没有已知的绝缘体能对抗诱导该酮酸盐内部高温超导性所需的高电场,因此,标准场效应晶体管的设计并不适用于高温超导场效应晶体管。  博若维奇团队用一种能导电的液体电解质来分离电荷。当朝电解液施加外电压时,电解质中的正电荷离子朝负电极移动,负电荷离子朝正电极移动,但当到达电极时,离子会突然停止移动,就像撞到“南墙”一样。电极“墙”负载的等量相反电荷之间的电场能超过100亿伏/米。  新研制的超导场效应晶体管中,高温超导体化合物模型(镧-锶-铜-氧)的临界温度可达30开氏度左右,为其最大值的80%,是以前纪录的10倍。科学家可使用该晶体管来研究与高温超导性有关的物理学基本原理。  超导场效应晶体管的应用范围很广泛。基于半导体的场效应晶体管能耗大,而超导体没有电阻也无能耗。另外,原子逐层排列制造出的超薄结构也使科学家能更好地使用外电场来控制超导性。  博若维奇表示,这仅仅只是一个开始,高温超导体还有很多秘密有待探寻,随着其神秘“面纱”逐一揭开,将来能制造出超快节能的高温超导体。   总编辑圈点:  辛亥革命爆发、乔治五世加冕、普利策逝世……这是历史书上的1911年。但同年,一个平常的4月天里,荷兰一所实验室内人类首次发现了超导体,于今恰好百年。这种进入超导态就会电阻趋0的材料,尚未露真容,却承载了一个世纪的无热损和强磁场之梦,直接涉及超导电性的诺奖就有4起,1987年临界温度的速提甚至成为了科技史之奇迹。于是,人们谈起那年4月的荷兰小城,会说:超导百年,对人类社会的影响,不亚于和它同年发生之事。

有机场效应晶体管相关的资料

有机场效应晶体管相关的资讯

  • 微电子所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展
    近日,2020国际电子器件大会(IEDM)以视频会议的形式召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。 功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”(NCFET)可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限,有望在极低电源电压下工作,从而降低功耗并保持高性能。同时,原子层厚度的二硫化钼(MoS2)免疫于短沟道效应,具有较高的迁移率、极低的关态电流和CMOS兼容的制造工艺等优势,是面向先进晶体管的可选沟道材料之一。近期的一些实验显示,MoS2 NCFET能实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅。但这些研究仅实现了较长沟道(500 纳米)的器件,没有完全发掘和利用负电容效应在短沟道晶体管中的优势。 针对该问题,刘明院士团队通过对器件参数以及制造工艺的设计与优化,首次把MoS2 NCFET的沟道长度微缩至83 纳米,并实现了超低的亚阈值摆幅(SSmin=17.23 mV/dec 和 SSave=39 mV/dec)、较低回滞和较高的开态电流密度。相比基准器件,平均亚阈值摆幅从220 mV/dec提高至39 mV/dec,沟道电流在VGS=0 V和1.5 V下分别提高了346倍和26倍。这项工作推动了MoS2 NCFET尺寸持续微缩,对此类器件面向低功耗应用有一定意义。 基于上述研究成果的论文“Scaling MoS2 NCFET to 83 nm with Record-low Ratio of SSave/SSRef.=0.177 and Minimum 20 mV Hysteresis”入选2020 IEDM。微电子所杨冠华博士为第一作者。图(a) MoS2 NCFET转移曲线。(b)亚阈值摆幅~沟道电流关系。MoS2 NCFET与MoS2 FET对比数据:(c)转移曲线和(d)输出曲线
  • CASA发布《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》团队标准【附标准全文】
    碳化硅(SiC)具有宽禁带、耐击穿的特点,其禁带宽度是Si的3倍,击穿电场为Si的10倍;且其耐腐蚀性极强,在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂。而金属氧化物半导体场效晶体管(简称:金氧半场效晶体管;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,缩写:MOSFET),是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。2020年12月28日,北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布一项联盟标准T/CASA 006-2020《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》。该项标准由中国科学院微电子研究所牵头起草,按照CASAS标准制定程序(立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿),反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。标准于2021年1月1日施行。附件下载https://www.instrument.com.cn/download/shtml/976637.shtml【相关阅读】企业成半导体刻蚀设备采购主力——半导体仪器设备中标市场盘点系列之刻蚀设备篇超亿采购中磁控溅射占主流——半导体仪器设备中标市场盘点系列之PVD篇上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇第27批国家企业技术中心名单出炉,涉及这些仪器厂商探寻微弱电流的律动:超高精度皮安计模块亮相三家半导体设备商上榜“中国上市企业市值500强”862项标准获批,涉及半导体、化工检测和检测仪器等领域盘点各地十四五规划建议”芯“政策湖北省集成电路CMP用抛光垫三期项目拟购置43台仪器设备
  • 《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案(线上)讨论会顺利召开
    2021年5月26日下午,联盟团体标准T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案线上讨论会顺利召开。本次会议共计15位专家代表参与标准研讨。会议由联盟标委会高伟博士主持,联盟秘书长于坤山提到团体标准作为国行标的补充,具有十分重要的意义,目前第三代半导体特别是碳化硅相关的应用发展迅速,国内外都非常的关注,但是缺乏相关的标准,该项标准的制定有助于促进相关平台的建设,推动企业研发工作的同时促进上下游之间的交流。本次会议主要针对T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论,并提出了诸多修改意见。SiC MOSFET的热阻在热管理设计中具有重要作用,热阻能够为器件运行时的结温评估与结构评价提供信息,为器件设计与优化改进提供参考,衡量器件散热性能的关键指标之一。准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价具有重要意义。
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制