【FAQ】[请教]Si（Li）晶体的结构

这是你自己画的吗？我找了一下书，没有太多的信息。

Seanwen 发表:

不是我画的，是在看个Powerpoint时看到的，因为跟我想象中的不一样，所以上来问问！！

我在一本《物质元素的X射线分析——能谱测试技术及其应用》（冶金工业部钢铁研究总院物理室扫描电镜组编写）的书中找到了和你类似的示意图：


应该算大体一致吧。只是那个P型Si这里没有。

能麻烦把相应的文字列出来吗？谢谢

最近几年迅速发展了一种测量X—射线能量的新方法和
新设备，利用这种直测量x—射线的能量进行元素分析的
方法，称为x—射线的能量色散分析法。图4表示了EDAX谱
仪深侧器的工作原理，从样品激发出来的X—射线进入硅片，
这硅片是经过埋特殊处理的，以便在晶体结构内捕获电子时不
会存在着杂质和缺陷，这就是所谓漂移硅(理)的固体探测器
，当x—射线进入探测器的时候，能量的传递过程是比控
复杂的。人们对光电效应和散射的相互作用过程，做过很多研究。
概括说来，一部分能量产生电子空入对，使硅的原子电离，而另
一部分能量用于其它类型的激发过程(包括热的产
生)。硅的带隙能近似等于1．1eV(电子伏特)，但由于其它过
忍部需要能量，因此在操作温度为77 K的情况下，每产生一
个电子空穴对所消耗的能量大约是3．8eV，结果就有硅原予
离于化的数目(和等价的自由电子数)等于x—射线的能量除
以3．8(因此正比于X—射线的能量)。在硅探测器上加L负偏
压收集电子，共时间不超过一微秒(下一个x—射线进入探测
器之前)。探测器末端的讯息是电荷脉冲。这信号通过场效应
品体管前置放大器进行积分，并将其变换成电压信号。该放
大器的输出是一系列阶梯形波，每个阶梯波的高度和相应的
X—射线的能量成正比。这一级的特性对整个性能影响相当复
杂。首先应该考虑的是保持低的电子噪音，因此硅计和场效
应晶体管都需要冷却到液氮温度，以促提高信号噪音比

好像没有详细的解释结构........

还是谢谢你啊！

看来做电镜的真的够少的了！

不是少，是来这里的少罢了

科学之眼(shxie)解释的不错！