【已解决】Thermo TSQ中Tube lens offset和Skimmer Offset的作用及其值得范围

Tube Lens大概是管透镜的意思，这是一个非常重要的参数，它的数值决定了刚刚经过ESI/APCI形成的分子离子流的偏转角度，而这个角度决定离子流能否顺利通过Skimmer上的锥孔。（而没有带电荷的中性杂质就会湮灭在Skimmer上，这是Skimmer上常见的黑点的来源）
这个数值不是一个定值，其与m/z，空间尺寸等等相关。仪器通常通过利用标准物质（CsINa等）自校正确定某一个质量范围内tub lens的范围，如果做全扫描，你会发现tube lens的数值是不断在变化的；如果做SIM/MRM则会是一个定值。一般不用自行设置，弄错了的话灵敏度大受影响。

Skimmer offset类似于岛津等仪器上的Source CID,作用有点类似碰撞池内的CID,多半用于去除M+H2O峰或者2M+, 3M+峰。

具体数值建议你问Finnigan的工程师，各家仪器不一样。不过一般来说Skimmer offset一般不会太高。

tube lens offset voltage称为“套管透镜补偿电压”，该电压家在套管透镜上，作用是加速将离子源进入到Q00的离子进入到离子传输套管和skimmer区域，该电压大小通常在0-正负250v之间。太高了，离子可与存在在该区域的气体发生碰撞产生碎片（源内裂解），从而减低灵敏度。该值在仪器调谐时自动设定到能够产生最大灵敏度的值。

讲解地不错，通俗易懂，谢谢了

很好，学习了

有thermo tsq的相关应用资料吗？能否分享点。。。谢谢

省上某位专家跟我辩论：单四极杆液质设置在这个地方的电压可以产生碎片，进行谱图定性。我觉得这个方法定性不对。因为谱图本身很难稳定，而且产生碎片的物质本身很有限。结果那天跟我辩了一下午。你们怎么认为的？

他说得有一定道理，这里加电压其实就是在做源内裂解，合适的话，是可以得到稳定（但不一定是特异性）的碎片。对于没有Q2的单杆来说，这也算是一种得到二级结构的办法。

他当时的意思是用这个方法做标准物质，然后得到一系列图谱，然后把这些图谱保存起来，用于图谱检索定性。我觉得这个不可行。

这种做法就是螺蛳壳里做道场，没有其他更好办法的时候将就用一下，做谱库肯定不靠谱