【华山论剑第三十六集】Source CID大家谈

风之彩

2009/02/20

私聊

液质联用（LCMS）

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Source CID 即Source Collision induced dissociation，源内的碰撞诱导解离，通常在真空接口处调节电压会发生CID现象，一般是用来去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。

那么在大家所用的液质联用仪中，源区的哪个参数调节后会影响或者产生这种现象呢？如果遇到这种现象，你是怎么处理的呢？这种现象的产生对于你的检测是有利的，还是有害的？这种现象的产生对我们定量会不会有影响，有什么样的影响呢？
欢迎大家结合自己的经历，与大家一起分享一下。请大家在回帖时把仪器的具体型号、对应的仪器参数名称，和所做的化合物名称、性质等介绍详细一些。

sat 2009/02/27

[quote]原文由 [B]juju11[/B] 发表: Source CID 即Source Collision induced dissociation，源内的碰撞诱导解离，通常在真空接口处调节电压会发生CID现象，一般是用来去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。那么在大家所用的液质联用仪中，源区的哪个参数调节后会影响或者产生这种现象呢？如果遇到这种现象，你是怎么处理的呢？这种现象的产生对于你的检测是有利的，还是有害的？这种现象的产生对我们定量会不会有影响，有什么样的影响呢？欢迎大家结合自己的经历，与大家一起分享一下。请大家在回帖时把仪器的具体型号、对应的仪器参数名称，和所做的化合物名称、性质等介绍详细一些。[/quote] 我们首先来看CID，Collision induced dissociation中译是碰撞诱导解离，至少要有两个条件才能形成：1、合适的碰撞介质（碰撞气）2、可控的能量————这就是说要在设置的碰撞区域形成合适密度的碰撞气分子，然后通过可控的能量加速所需要的离子（经过质量分析器筛选的），让这些离子以合适的能量（动能）撞上碰撞气分子，从而产生碎片。碰撞气用的比较多的有He, Ar, N2, 一般都要求高纯的，以便达成密度，粒度（分子大小）都均匀的碰撞环境。现在来看Source CID，Source Collision induced dissociation，source,源区，源区是由常压向高真空过渡的区域，在这个逐级变化的区域内，会有那么一块的气压值接近真正碰撞室的地方。那么也就提供了类似CID的介质条件。但是，请注意，此处的气体是不纯的，甚至可以说是脏的。各种空气中含有的成分，各种Probe汽化出来的溶剂，甚至小的危及完全气化溶剂颗粒，杂质颗粒等等。好，现在来看需要碰撞的离子。在CID中，这些离子是经过质量分析器选择的，是纯度很高的某一个或者数个m/z的离子流。而在SourceCID区域，没有经过质量分析器，或者是一个非常简易的分析器，离子流是极端不纯的，几乎所有经Probe形成的离子都会和刚才提到的不纯的碰撞气产生碰撞。效果可想而知了。 Source CID的作用，主要在于减少M+H20，2M+, 3M+等等，从而增加需要的母离子的强度。次要作用是通过施加一个较小的能量，提高离子流的动能，从而一定程度上提高信号，特别是m/z较大的。

peterhello 2009/02/24

agilent仪器中好像叫fragment voltage，范围是70V-250V好像电压增加可以提高离子的传输效率，对于大分子效果明显一点曾经分析过一个m/z 1500左右的多肽，随便电压和响应正相关，220V以后稍有下降可能是出现了源内CID

xhcb2007 2009/02/26

TSQ里面的skimmer就是这个东东。主要除去水和分子，还有溶剂簇。一般的组分都是0~~5之间样子，如果你觉得和信号都很高基线太高，可以手动调高一些，系统自动优化一般都是0，因为它只看是信号水平的。 [quote]原文由 [B]zhufangwei[/B] 发表: [quote]原文由 [B]juju11[/B] 发表: Source CID 即Source Collision induced dissociation，源内的碰撞诱导解离，通常在真空接口处调节电压会发生CID现象，一般是用来去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。那么在大家所用的液质联用仪中，源区的哪个参数调节后会影响或者产生这种现象呢？如果遇到这种现象，你是怎么处理的呢？这种现象的产生对于你的检测是有利的，还是有害的？这种现象的产生对我们定量会不会有影响，有什么样的影响呢？欢迎大家结合自己的经历，与大家一起分享一下。请大家在回帖时把仪器的具体型号、对应的仪器参数名称，和所做的化合物名称、性质等介绍详细一些。[/quote] Thermo TSQ三重四级杆好像没有这样的参数，还是我自己不知道。[/quote]

dickwang2008 2009/02/27

[quote]原文由 [B]peterhello[/B] 发表: agilent仪器中好像叫fragment voltage，范围是70V-250V好像电压增加可以提高离子的传输效率，对于大分子效果明显一点曾经分析过一个m/z 1500左右的多肽，随便电压和响应正相关，220V以后稍有下降可能是出现了源内CID [/quote] 是的，如果这个值太大，引起源内CID，这就相当于增加碰撞能，产生碎片离子。

expl 2009/03/03

[quote]原文由 [B]peterhello[/B] 发表: agilent仪器中好像叫fragment voltage，范围是70V-250V好像电压增加可以提高离子的传输效率，对于大分子效果明显一点曾经分析过一个m/z 1500左右的多肽，随便电压和响应正相关，220V以后稍有下降可能是出现了源内CID [/quote] Agilent的应该叫Fragmentor Voltage (碎裂电压），一般来说分子量越大，电压也要大一些，不过也不能设太高，要考虑是否发生源内CID，这个参数也是要优化的较重要的条件。