【求助】关于GaN薄膜断面分析

楼主的这个问题非常典型。比如一张TEM照片，没有任何附加信息，甚至连标尺也没有，但又很想知道到底是什么。 其实这种情况下别人是不大可能提供确信的信息，只能猜测。其实最有可能提供信息的应该是当场做电镜的老师。离线的分析也必须基于在线时提供的足够信息。
A有可能是制备截面样品时的grub,其实拍照片时无论时高分辨还是衍射都能立即确认，grub是无定形态的。但是让其他人仅从照片上看，只能推测。
至于B,C,和D.从明场像看衬度上没什么太大区别。似乎C衬度比B和D更弱，但到底C是怎么回事，照片上有没有衬底的存在,如果有不同区域的衍射或者高分辨或者能谱分析就能清楚了。
超晶格结构也是一样， 总是要有成分或者应力的改变的。从高分辨或者是成分，应力敏感的暗场像，或者元素的mapping，都可以获得具体的信息。
但是这些信息应该是在做电镜时所获得的。如果当时没有考虑，单独从照片上得不到太多的信息。
样品本身其实很好，可以研究的东西也很多。比如外延层和衬底界面的情况，外延层中是否有缺陷，应力的分布，是否有量子点或量子井形成
等等。但这都是需要在电镜观察时所考虑的以及用不同的方法测试。
所以最好是能事先事先从类似的文献中或者到版上来问。然后跟做电镜的老师多交流，这样才能保证实验中获得足够的信息。

yongchen1222 发表:所传图片为GaN薄膜的断面分析，该图片有点不是太明白，想请各位前辈指导一下。在图中“A”代表什么？“B”是不是薄膜的最外层？“C”是不是超晶格结构层？“D”是不是也是一层GaN薄膜？在该图中基片层是不是没有显示出来？已知该薄膜为在蓝宝石衬底上生产的GaN薄膜，其中有超晶格结构。