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雾化室冷却与氧化物产率的问题

ICP-MS

  • 请问大家 为降低氧化物产率,雾化室的温度是设在多少,2度还是4 度?氧化物的产率能降低到多少(指CeO/Ce)?
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  • 古道西风瘦马

    第1楼2006/02/28

    一般都是设在2℃,但是有资料说保持雾室4℃时氧化物产率最低。不过个人感觉2℃和4℃没有很大差别。

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  • zsdzsdzsd

    第2楼2006/03/01

    好象是2度,标准桶型雾化室的氧化物CEO/CE为3.5%,看的一个幻灯片上的材料。

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  • aifeiyu_2002

    第3楼2006/03/11

    2摄氏度,氧化物水平小于百分之一 ,双电荷水平 小于百分之三 我指的是用铈来衡量

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  • kiwi-kids

    第4楼2006/03/19

    这个还应该和雾化器有些关系,主要就是进样量还有雾化效率

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  • syymwan

    第5楼2006/03/22

    agilent的培训教材上是说氧化物随雾化室的温度的降低而升高。我绝得2度比较好,我一般也是用的这个温度

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  • kiwi-kids

    第6楼2006/03/29

    温度低,去溶效果较好,因此氧化物有所降低
    但是在较低温度下,此情况不是非常明显

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  • 古道西风瘦马

    第7楼2006/03/30

    个人感觉低温的时候,应该不是去溶剂,而是最大限度减少了较大的雾滴进入PLASMA,这些雾滴中的溶质被电离的很少,但是水却被大量电离,所以会形成很多的氧化物干扰。

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