[求助]关于截面外延薄膜样品，位错伯格斯矢量的测定，用JEOL2010。

大家请再多指教一点啊。

GaN应该比氧化物 稳定得多，
平时衍衬，高分辨都没有问题，只是不知会聚束得强电子会不会打坏？


还有 利用CBED做伯格斯矢量，容易吗？
我是说 用2010拍的话，容易得到想要的清晰照片吗？

再就是，样品的厚度可能偏厚，做衍衬可以清楚看到位错，
但是g.b时消光不是很彻底，
我的意思是：不是没有踩到应有的衍射方向，
而是在想要的区域内 图像不均匀，
应该是样品偏厚，

可是找到的位错分布 可遇不可求啊，样品不能再减薄了，
这种样品偏厚的情况 可以拍出比较理想的照片吗？

我的要求只是定出 伯格斯矢量，不要大范围的CBED照片。


大侠请教了。
也不知道我说清楚没有。