求教：ZnO各个晶面能是如何计算的？

哈哈
居然碰到一个
我现在想找ZnSe的晶面能
不过是cubic和hexagonal的都要
可惜现在有报道的都是ZnS的模拟
模型倒挺多
如果你有条件可以用第一性原理，分子动力学原理进行模拟
ZnO的我不是很清楚
而我的ZnSe我只找到一篇PRL上有cubic的
wurtzite的数据没有
郁闷啊
如果你什么时候知道了ZnO的也给我发一份啊
我也quote一下

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我这边有一篇关于ZnO的，"Applied Physics Letters (APL) 80 (2002)3090"
你可参考一下，有关于（002）-1.6J/m2, (110)-2.0J/m2, (101)-3.4J/m2这三个的，别的还没看到，想知道另外几个，并且想明白具体怎么算出来的，物理依据是什么。 这些固体物理学方面的知识希望有做这方面工作的大虾指点一下。

后面作者引用的文章，我还没有找到，Journal of crystal growth 130 (1993)269 上面或许有更详细的信息。我这边网上资源还没找到，你若能找到给传一份，希望多多交流。
E-mail: cxlruzhou@163.com

大致的方法是
考虑到内部原子和表面的原子的不同，然后把到原子之间的相互作用（包括长程的库仑相互作用和短程的电子云交叠产生的作用）都写出来，库仑相互作用可以用二维的parry方法而用Buckingham 势来建立模型，就可以计算了。当然最后在作一个弛豫就可以了（因为大量的研究解理面110=的文章来看，他们的表面有会发生重构，导致阴，阳离子会有不同的趋向，粗略的有个29度左右的旋转）
那篇j.cryst.growth的文章老了，所以没有买。
看来写email给作者吧。
如果采用你提供的paper，从趋势来看ZnO和ZnS展现了很大的差异，六角的ZnO是（0001）<(11-20)<(10-10)而六角的ZnS是(11-20)<(10-10)<(0001)。讨论基于比较理想的情况。但是特殊情况，比如对于立方的ZnS，如果考虑到110表面的点缺陷，那么必然引起Zn和S化学计量比的变化，这样会使110这个非极化面的能量提高。
为什么ZnO中极化的面具有较低的表面能但是ZnS中极化的面却具有最高的能量？我对这片apl引用的结果有点怀疑。我更趋向于2个非极化的面的能量比0001这个极化的面的能量低，而大量的报道都展示了这样的特征。那就是对于纳米的ZnO纳米belt来说，其占统治地位的表面是非极化的10-10和11-20,我们知道纳米样品的表面特性对其的稳定性有很大的影响。而样品的生长基本上是趋向于能量最小。所以0001应该会具有较高的能量，我想至少在王中林的文章中是这个理解。（apl 84 975）继续下去，他们研究的ZnS样品是同样展示了极化的0001具有最高的能量。这一点就比较一致了。因为II－VI半导体在很多性质上具有universal的性质。而他们报道的ZnO nanoring的样品展现了占统治地位的0001面且指向圆心，这一点在我们在ZnSe上也发现了同样的结构，参看apl 2006 88 183110提到生长的原因。而wang的解释是形成圈可以降低体系的能量，所以可以有0001作表面。
如果是这样，我现在写的一个paper就有救了哈哈，我就是要ZnSe的表面能。不行就universal一把了

但是查他的文章没有发现他引用ZnO表面能的数据
1)是他没有查到过，我想可能性不大
2)是觉得数据有问题

这个说的有道理

高深啊，我也遇到过，不只如何计算，最后放弃了

你提供的这个
那个第二作者是贾春林吧
呵呵郁闷呐
本想去他那联合培养的，因为直博没有硕士学位泡汤了

特别感谢querida 大虾的精彩分析和评论！

我做的MOCVD-ZnO 薄膜随温度变化的关系是：
低温下是较纯（002），逐渐增加温度出现（110）和（100）出现，再较高温度（110）消失，（100）有所增强，最后更高的温度区域是强（101）趋向。
初步得到实验结果的演变规律：（002）-（110）-（100）-（101）。

我想这应该是温度激活将ZnO薄膜从较低能量激活到较高能量的晶面能，但这毕竟是相对粗糙的推断。期望能得到更多的理论支持。。。

许多ZnO报道中研究者一致认为（002）具有最低的表面能，希望能看到更多理论上的物理探讨（如晶面能方面等），感谢大家提出宝贵意见。

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德国的这家研究所很有名气的，我有个的师兄也是去他那边联合培养，做了三年博士工作，做出了不少成果。。很不错。。