rf和DC的功率那个大？比如对于钢样的分析？

RF应大于DC，这是因为钢铁样品是比较容易激发的，而非导体要比金属难激发，RF提供的能量要大于DC

功率哪个大？ 这个值是可以设定的啊 你想设多少都可以啊 只要能达到 怎么比哪个大的

应助达人

ICP 是液体样品，DC是固体样品，两者确实不太好比，DC是直接激发，r f 是间接激发，所以从功率转换效率来讲，DC大于r f ，当两者都以最大功率工作时，r f的耗电比DC要大一些。

我在百度文库看到一个文件，看看能说明什么问题：
辉光放电光谱技术解决了大部分的这些问题，提供了一种快速、定量、可靠的深度剖面分析方法，测量深度一次可达150μm以上，耗费时间不超过2小时。本次试验对RF和DC两种光源的检测能力做了对比，同时说明了辉光放电光谱技术对工业表面处理分析的重要性，例如CVD，PVD和离子注入等表面处理方法。结果表明，对于表面处理的观察分析和质量控制来说，DC和RF辉光放电光谱技术是一种强有效的方法。

辉光放电光谱技术采用DC或RF放电光源对待测试样表面产生溅射。尽管现在dc放电光源比较更广泛的应用于检测传导材料，但是，能够使用同一种放电光源来检测传导料和非传导材料的趋势将会促进rf放电光源的使用增多。本文对比研究了两种不同的放电光源（dc和rf）对PVD，CVD和离子注入试样的定量深度剖面分析。对用dc和rf光源对试样的成分深度剖面分析进行了对比和讨论，从中得出每种光源的主要优点和局限性。

用dc和rf放电光源分别检测了三种经过不同表面处理的试样，表1所示为这些处理方法的主要数据参数，包括处理过程，全部厚度，单层厚度和每步处理中存在的元素。

三种不同的离子注入试验按下列方法进行： 4×1017at/cm2的氮原子，8×1017at/cm2的氮分子在150keV的条件下进行，氮加碳混合注入。这些注入都在Whickham 200keV，质量分析器，大电流注入器的条件下进行。在靶室中配备有一台1×10-4Pa的低温真空泵和机械扫描系统，用来确保注入量的均匀性。在注入过程中，电流密度保持在0.05mA/cm2，以防止基体过热。

PVD沉积采用活性的阴极真空电弧蒸发METAPLAS MZR323系统来进行沉积的。这个设备有6个圆柱形的蒸发器，工作条件为电压30V，电流100A，且在弱磁性环境中进行。在将试样放到试样室检测之前，要用碱性清洁剂对试样进行清洗，然后用丙酮超声波清洗。工作温度在400-500℃之间，主要取决于沉积类型。剩余真空大约为10-4Pa，工作压强在10-2和1 Pa之间。
CVD沉积是用热的低压CVD设备，在温度大约为1000℃ 和压强大约为300 Pa的条件下进行。