【求助】请问硅烷化试剂对质谱有没有污染?

不要都不理我啊!!
我不想吹干,但是又害怕对仪器不好,请大家帮我出个主意啊!

不清楚你硅烷化处理之后Si的存在形式是什么样子的，我只知道如果在高温真空管道有硅尤其是SiO2进入的话，附着在真空管道上很难清洗掉，如果在质谱真空管道中更加麻烦，由于二氧化硅坚硬，绝缘，许多离子打在上面放不掉，积累起来形成附加电场，从而干扰了正常电离子的轨道，氦离子受到干扰后，就偏离原来的轨道，到达不了收集片，从而大大地降低了仪器地灵敏度，严重时仪器无法正常工作。

谢谢版主回复!
我用的硅烷化试剂是N,O-双(三甲基硅基)三氟乙酰胺(BSTFA)+三甲基氯硅烷(TMCS) 99+1.衍生产物是分子里多了-Si(CH3)3.
我不知道剩余的试剂会不会发生您说的那些现象,请您帮我看看好吗?看过的文献里有的要吹干,有的就直接上机了.不管怎样,还是小心为好,毕竟仪器是我的好朋友,不想伤害它.

以我多年的经验，可以肯定地说污染的确存在

谢谢您!
我会注意的.

呵呵
如果真空管路有微量的氧
二氧化硅就有可能存在了……