【求助】扫描电镜中二次电子的穿透深度及吸收问题

如果是深层的二次电子会被吸收而成为吸收电子，只有接近表层的二次电子才能逸出来显示表层情况。一般二次电子能够逸出的深度大概在10nm左右吧，再深了可能就出不来了。

应该是二次电子

5-50nm深度，逃逸出来的50eV以下的就是二次电子

二次电子有可能被吸收，成为吸收电子。但探头是靠逸出的二次电子成象的，跟吸收电子没关系。而跟二次电子的数量有关，二次电子的数量主要决定于样品的二次电子产出率，加速电压，倾斜角度等。
二次电子的产出深度在10NM一下，但穿透深度跟样品、加速电压等有关。这2个是不同的概念。
不知楼主满意不？

楼主满意否我不知道，但我很不满意，您讲的都错了。

二次电子的产率几乎不受加速电压的影响，这个很难让人相信，但是是事实。

样本的影响对二次电子的产率也很小，只有在轻元素区有一定的影响。

请您参考我以前的每周一问帖子，希望会有帮助。

讲得很确切，同意您的观点。

所谓的二次电子一般指的是电子能量低于50EV的。

上传一幅图，供参考。



E1≈1keV，E2≈5keV。

好图，收藏了，论坛就应该是这个样子嘀！