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二次电子信号与原子序数的关系

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2020/05/11

扫描电镜（SEM/EDS）

我们通常认为二次电子（SE）与原子序数之间没有关系，而背散射电子（BSE）产额则随原子序数的增大而增大。事实上，SE也和原子序数之间有一定的关系。

二次电子产额在总体上随着原子序数的增大而增加。在原子序数Z 小于20时，δ 随着原子序数Z 的增加也有所增加；当原子序数Z 大于20时，二次电子产额基本上不随原子序数变化，只有Z 小的元素的二次电子产额与试样的组分有关。所以二次电子通常情况下用于观察表面形貌，而不用于观察成分分布；

不过在原子序数较低或差异较大的时候，二次电子也能看出原子序数衬度。

欢迎版内的各位老师上传电镜照片来验证这个理论。

对这个理论我自己有一个想法：根据SE的类型，其中有背散射电子激发的二次电子信号（SE3)，那么这种SE是否可以说就和原子序数有一定的关系呢？是否这是导致上述理论成立的原因呢？？？

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