介于网络上对于紫外可见漫反射光谱方法的原理有详细的介绍，而对于其具体的使用却没有一个详尽的介绍。
这个指南主要就是对第一次接触紫外可见漫反射光谱测量半导体吸光（带隙）的同学们作一个详细的手把手教学。
首先拆解仪器构造。
上图是紫外可见漫反射光谱（DRS）的构造图，分别是固体池（含有积分球），硫酸钡样板池，样品池。
首先在测试样品吸光性能前，进行基线的调整。就是用硫酸钡样板池进行测量基线。完整图见上。
点击上图标识，开始测量基线。
测量完成基线之后，修改参数与基线参数吻合，点击上图图标便可开始测量样品吸光度。
这里要注意一点，调整参数时一定注意样品测量参数与基线测试时的参数要保持一致，否则就需要修改参数，左侧参数栏也会对于不一致的参数标红进行提示。如下图
对于样品的制备也很简单，若是粉末只需将粉末置于样品池，并压平即可，若是薄膜样品将样品置于样品池即可。
放有样品的样品池如下图所示：
以上就是固体紫外的具体测试方法，使用起来还是很简单的，这里使用的紫外漫反射光谱仪器型号是：日本的 JASCO V-650
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