【讨论】请问EDS谱峰一直有Si的峰是什么原因呢？

看到这个解释，renxin版主说是逃逸峰，二者有何区别呢？
如果经常出现这个峰，是不是说明Si死层变多？寿命到了？

个人以为硅荧光的解释为正解，逃逸峰的解释是不正确的，可能的原因如下，请SHXIE尝试一下：探测器位置被动过，没有安装到合适的位置会造成slicon fluorescence 也就是出现矮小的Si峰，或者样品在样品杆上的位置不正确。当然也有可能作能谱分析时候放大倍数太小，或者使用了非电镜厂商提供的STEM功能。BTW通常Si荧光的峰对定量结果的影响小于1%是可以接收的，所谓硅死层变厚的说法也值得商榷。

补充一下，逃逸峰的位置是正确的峰的能量减去Si峰的能量也就是减去1.74以后的位置出现的峰叫逃逸峰。举个例子如下：谱图中应该只有Fe55的峰位置应该在5.89 ， 但是我们可以看到在5.89-1.74＝4.15的位置出现了一个逃逸峰，这样应该很清楚了，呵呵。

长知识了!谢谢!

谢谢SDD的扇子，呵呵，这下明白了，五一之后请牛津来人看看。

eds有时候会不准的，你查查看Si的特征峰值是不是和其他的元素有重叠的部分。

呵呵，这个逃逸峰的解释才是正版。好像其他帖子上有一些误导，建议澄清一下。

请问你的EDX中Si峰的问题解决了吗？ 我们的EDX也是OXFORD， INCA 2003年买的，现在也会出现这个Si峰。

还没解决，唉！