【求助】背散射像为什么会消除荷电现象呢？

背散射电子信号产生的深度比二次电子深,而荷电只是样品的表面,层次深的没有.而且它的能量比较强,不太易受影响.

样品荷电后，在样品表面形成一个电场。由于二次电子的能量很低，只有几十eV，受电场力的影响较大，所以荷电对二次电子像有较严重的影响。而背散射电子的能量较高，可达几keV，以至接近加速电压，荷电电场对它的影响就很小，所以背散射电子像受荷电的影响很小。

背散射像不会消除充电现象，只是背散射检测器对充电不是很敏感。
背散射探头对高能电子才敏感，一般这些高能电子是由于弹性散射引起的，多来自样本内部。
二次电子探头对高能低能电子都敏感，所以对样本表层的充电有反应。
论坛上有顶置的关于背散射电子探头种类的帖子， 不同种类的背散射探头对充电现象也有不同的反应。

非常感谢！