量伙半导体在2022年12月招标的“清华大学快速热退火系统购置项目”,喜获甲方一致好评,中标该项目。预祝合作顺利!
清华大学(Tsinghua University)是中国排名最高的学府之一,位于北京市海淀区,是中华人民共和国教育部直属的全国重点大学,位列国家“双一流”、 “985工程”、“211工程”,入选“2011计划”、“珠峰计划”、“强基计划”、“111计划”,为九校联盟 、松联盟、中国大学校长联谊会、亚洲大学联盟、环太平洋大学联盟、中俄综合性大学联盟 、清华—剑桥—MIT低碳大学联盟成员、中国高层次人才培养和科学技术研究的基地,被誉为“红色工程师的摇篮”。
8寸快速退火炉RTP
产地:中国
型号: LH-RTA-D,LH-RTA-D-H,LH-RTA-D-R
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简介(Description):
适用于单片最大8寸(200mm*200mm)晶体化合物等半导体材料进行快速热处理、退火等工艺。使用基于Windows 10系统的Larcomse专用控制软件,可快速上手操作,亦方便读写存数据,全中文软件界面(可定制语言和模块),能实时显示工艺曲线、气体流量、冷却水等各种数据;具有多种自动保护功能。可配置多种气氛通路,能抽真空,根据实验方向进行多样化定制。独有专利的温控系统,可以多温区实时同步闭环PID控制,能进行精度±0.5℃的温控操作,以及保障更可靠的重复性操作。采用的双面加热方式与单面加热相比,可以大幅减小图案加载效应,使晶片的热均匀性更好。
可选配高温计,机械手Robot。
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定义(Definition):
快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备,可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300℃),并且能够快速降温,升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能,如极佳的热预算和更好的表面均匀性,尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤,多腔体规格可以大幅提高产能产量,也可以实现不同工艺同时加工。
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设备主要工艺应用(Application):
●快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);
●离子注入/接触退火;
●高温退火;
●高温扩散;
●金属合金;
●热氧化处理。
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设备主要应用领域(Field):
●化合物半导体(磷化铟、砷化镓、氮化镓、碳化硅等);
●多晶硅;
●太阳能电池片;
●MEMS等传感器;
●二极管、MOSFET及IGBT等功率器件;
●MiniLED、MicroLED、CMOS等光电器件;
●IC晶圆。
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